【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新能源电池，更具体地说，涉及一种topcon电池及其制备方法。
技术介绍
1、目前topcon电池已成为n型电池的主流电池结构，随着各家厂家不断的技术优化，由其是正面导入se后，效率有了较大的提升。同时如何对电池背面进行结构的优化，从而进一步的提升topcon电池的效率，引起了行业强烈的需求和关注。
2、topcon电池背面核心是制备隧穿氧化层和poly的多晶层，其主要是提供背面钝化和提高背面收集载流子的能力，但是要做好这两点就需要提高poly多晶硅的厚度和提高掺杂的浓度，从而会导致过多的背面对光的寄生吸收，所以如何解决对非金属区域poly多晶层光的寄生吸收问题成为行业的痛点，且行业急需找到一种在现有的量产方法上，能实现简单，增加成本最小的工艺制备流程。
3、如中国专利cn220491893u，提供了的一种topcon电池背面se结构，提到了通过刻蚀浆料做涂层，采用涂覆的在电池背面形成分段和多种形状覆盖，该方法首先要增加辅料成本，且浆料基本都是有机和无机的混合物，不易清洗，其次还需要增加涂覆的工序。
4、又如中国专利cn216902959u，提供了的一种topcon太阳能电池片的背面结构及topcon太阳能电池片，采用背面沉积二层poly非晶硅和二层隧道氧的方式，降低了背面的接触电阻和饱和电流密度，但实际上还是没有提出或者解决如何提升非载流子收集区域poly非晶硅寄生吸收的问题。
技术实现思路
1、本申请的内容部分用于以简要的形式介
2、本申请的一些实施例提出了一种topcon电池及其制备方法，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。
3、作为本申请的第一方面，本申请的一些实施例提供了一种topcon电池的制备方法，包含以下步骤：
4、对硅片进行第一类型掺杂并去除其背面的第一类型多晶硅玻璃层；
5、在硅片的背面依次沉积第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、第二隧穿氧化层、第二多晶硅层；
6、对硅片背面进行第二类型掺杂并氧化得到一层第二类型多晶硅玻璃层和一层氧化硅层；
7、通过激光对背面进行激光刻蚀以使非金属收集区域的第二类型多晶硅玻璃层和一层氧化硅层消融。
8、进一步的，所述第一类型掺杂为硼元素掺杂，所述第二类型掺杂为磷元素掺杂。
9、进一步的，所述的对硅片进行第一类型掺杂并去除其背面的第一类型多晶硅玻璃层的方法之前还包括对硅片进行制绒并对制绒后的硅片进行前硼掺杂。
10、进一步的，所述的对硅片进行第一类型掺杂并去除其背面的第一类型多晶硅玻璃层的方法包括对进行前硼掺杂后的硅片进行正面激光se选择性重掺杂并完成二次硼掺杂。
11、进一步的，所述的对硅片进行第一类型掺杂并去除其背面的第一类型多晶硅玻璃层的方法包括对完成二次硼掺杂后的硅片链式去除其背面的bsg后，用碱液将硅片背面抛光形成平坦的塔基结构。
12、进一步的，所述的在硅片的背面依次沉积第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、第二隧穿氧化层、第二多晶硅层的方法中，所述第二多晶硅层的厚度大于或等于所述第一多晶硅层的厚度；所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度。
13、进一步的，所述的对硅片背面进行第二类型掺杂并氧化得到一层第二类型多晶硅玻璃层和一层氧化硅层的方法包括：
14、对硅片背面进行管式磷元素掺杂，背面磷元素掺杂形成的poly层的ecv表面浓度为0.5至1.8*e20，方阻值30至80ω/sqr，以使所述第二类型多晶硅玻璃层的厚度范围为50至100纳米，氧化硅层的厚度范围为20至50纳米。
15、进一步的，所述的通过激光对背面进行激光刻蚀以使非金属收集区域的第二类型多晶硅玻璃层和一层氧化硅层消融的方法包括：
16、通过激光先对硅片背面边缘进行2～8次的激光刻蚀，对非金属收集区域的第二类型多晶硅玻璃层和氧化硅层采用单次的激光作用，激光为绿光皮秒。
17、进一步的，所述的通过激光对背面进行激光刻蚀以使非金属收集区域的第二类型多晶硅玻璃层和一层氧化硅层消融的方法包括：
18、所述绿光皮秒激光的波长范围为450纳米至600纳米，掺杂频率为10khz至100khz，激光功率为20％至80％，控制光斑大小为20至150纳米。
19、进一步的，所述的topcon电池的制备方法还包括：
20、用链式机去除正面的psg，然后通过湿法碱液腐蚀，去除正面绕度的poly，在背面通过湿法腐蚀控制，将非金属区域的最上层的poly腐蚀去除，保留底层的poly硅，同时对激光刻蚀的边缘区域进行腐蚀。
21、进一步的，所述的topcon电池的制备方法还包括：
22、在硅片正面及背面沉积氧化铝层及sinx减反射膜。
23、进一步的，所述的topcon电池的制备方法还包括在硅片的正面和背面进行金属化。
24、作为本申请的第一方面，本申请的一些实施例提供了一种topcon电池，由上述的topcon电池的制备方法制成。
25、本申请的有益效果在于：在电池背面将非金属区域的最上层的poly腐蚀去除，保留底层的poly硅，同时对边缘区域进行腐蚀，确保无边缘漏电情况，最终形成金属区多层poly重掺，非金属区域底层poly保证钝化，同时有效解决非金属收集区域poly吸光问题，其具有跟目前主流工艺高度兼容性。
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1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
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11.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
12.根据权利要求1所述的TOPCon电池的制备方法，其特征在于：
13.一种TOPCon电池，其特征在于：由权利要
...【技术特征摘要】
1.一种topcon电池的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：
2.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的所述的topcon电池的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的topcon电池的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的topcon电池的制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑倩玮，方涛，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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