【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种改善边界侧掏缺陷的方法。
技术介绍
1、集成电路制造过程中，常需要对特定区域的氧化硅进行刻蚀。22hv dgr工艺是对中压(mv)器件区域的浅沟槽隔离结构的氧化硅高度进行调整的工艺。如图1～4所示，当前工艺具体过程为：在形成有氧化层pad及氮化硅层sin的si衬底表面cvd沉积一层teos氧化硅，以保证光刻胶pr的结合；通过光刻打开mv区域；采用湿法工艺氢氟酸对mv器件区域的氧化硅ox进行刻蚀，而后去除光刻胶pr。
2、然而，上述工艺方法中，光刻胶去除后，对晶圆表面进行扫描缺陷发现，在光刻胶显影边界处，存在大量氧化硅“侧掏”缺陷。而“侧掏”缺陷形成原因为：dgr工艺中，光刻胶打开区域teos氧化硅首先被刻蚀，如图5所示。随后，浅沟槽隔离结构区harp氧化硅开始刻蚀，由于湿法药液刻蚀的各向同性，非中压器件区的光刻胶下方的teos氧化硅也被刻蚀，氢氟酸进入光刻胶下方区域，该区域harp氧化硅也同时被刻蚀，如图6所示，但是氢氟酸对teos氧化硅的刻蚀速率远高于浅沟槽隔离区harp氧化硅(混合比为200:1的氢氟酸对harp氧化硅的刻蚀速率约而对teos氧化硅的刻蚀速率约)，因而，侧向刻蚀量较大，在光刻胶去除后，显影边界处产生“侧掏”缺陷，如图7所示。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善边界侧掏缺陷的方法，用于解决以现有的侧掏缺陷严重的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利
3、提供一种半导体结构，其包括衬底，形成于所述衬底表面的氧化层，形成于所述氧化层表面的氮化硅层，其中，所述半导体结构分为中压器件区及非中压器件区，且所述中压器件区内形成有浅沟槽隔离结构，其表面高度与所述氮化硅层的表面高度一致；
4、于所述氮化硅层及所述浅沟槽隔离结构的表面形成致密性高的氧化层；
5、于所述氧化层的表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以露出位于所述中压器件区的所述氧化层；
6、采用氢氟酸对露出的所述氧化层进行刻蚀，并刻蚀所述浅沟槽隔离结构，使刻蚀后的所述浅沟槽隔离结构的表面高度低于所述氮化硅层的表面高度；
7、去除所述光刻胶；
8、其中，所述氧化层的刻蚀速率低于或等于所述浅沟槽隔离结构的刻蚀速率，且在所述氢氟酸中的稀释液与hf的比例为200:1时，所述氧化层的刻蚀速率为
9、可选地，采用o2处理工艺形成所述氧化层。
10、可选地，所述o2处理工艺的工艺条件包括：温度包括180℃～240℃。
11、可选地，通过所述o2处理工艺形成的所述氧化层的厚度包括
12、可选地，采用issg工艺形成所述氧化层。
13、可选地，所述issg工艺的工艺条件包括：温度包括900℃～1200℃。
14、可选地，通过所述issg工艺形成的所述氧化层的厚度包括
15、可选地，所述氧化层的材质包括氧化硅。
16、可选地，所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽及填充于所述浅沟槽内的氧化硅。
17、可选地，所述衬底为硅衬底。
18、可选地，适用的技术节点包括40nm或小于等于28nm。
19、如上所述，本专利技术的改善边界侧掏缺陷的方法，通过o2处理工艺或issg工艺形成致密性高的氧化硅，使得在对浅沟槽隔离结构进行刻蚀时，非中压器件区的氧化硅的刻蚀量减少，从而有效改善显影边界处的“侧掏”缺陷。
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1.一种改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，采用O2处理工艺形成所述氧化层。
3.根据权利要求2所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述O2处理工艺的工艺条件包括：温度包括180℃～240℃。
4.根据权利要求2或3所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，通过所述O2处理工艺形成的所述氧化层的厚度包括
5.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，采用ISSG工艺形成所述氧化层。
6.根据权利要求5所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述ISSG工艺的工艺条件包括：温度包括900℃～1200℃。
7.根据权利要求5或6所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，通过所述ISSG工艺形成的所述氧化层的厚度包括
8.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述氧化层的材质包括氧化硅。
9.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽及
10.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
11.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，适用的技术节点包括40nm或小于等于28nm。
...【技术特征摘要】
1.一种改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，采用o2处理工艺形成所述氧化层。
3.根据权利要求2所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述o2处理工艺的工艺条件包括：温度包括180℃～240℃。
4.根据权利要求2或3所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，通过所述o2处理工艺形成的所述氧化层的厚度包括
5.根据权利要求1所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，采用issg工艺形成所述氧化层。
6.根据权利要求5所述的改善边界侧掏缺陷的方法，其特征在于，所述issg工艺的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王金磊，管冯林，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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