【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件,具体为一种半导体器件制造装置。
技术介绍
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料;半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件;在半导体加工过程中需要对其配件以及其他连接线进行焊接。
2、目前,公告号为cn216656834u的中国专利公开了一种半导体器件制造用焊线装置,涉及半导体器件
,包括焊接平台,所述焊接平台的底部固定安装有箱体,所述焊接平台的背面且位于箱体的上表面固定安装有固定装置,所述箱体包括工作台,所述工作台的上表面与焊接平台的底面固定安装,所述工作台上表面的左侧固定连接有支板,所述支板的顶部固定连接有横板,所述横板内腔的右侧设置有焊接装置。本技术通过吸气机的作用将有害的气体,从过滤结构中吸入,从而减少操作人员对有害气体的吸入,减少有害气体对身体的伤害,通过过滤结构的气体,在过滤网和净化器的作用下,对有害气体进行处理,从而减少对空气的危害,更好的保护环境。
3、根据上述专利可知,现有的部分半导体器件制造装置不具有便捷检修废气过滤装置的功能,而废气过滤装置在长时间使用后,需要对其进行拆卸检修,以避免废气过滤装置过滤效果下降的现象,而如果半导体器件制造装置不具有便捷检修废气过滤装置的功能,则会影响人们的检修效率,从而降低了实用性。
技术实现思路
1、为解决上述
技术介绍
中提出的问题,本技术的目的在于提供一种半导体器件制造装置,具备便捷检修废
2、为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种半导体器件制造装置,包括底座,所述底座的顶部固定连接有安装箱,所述安装箱的右侧固定连接有加工装置,所述安装箱的内部套设有风机,所述安装箱的内部设置有多个过滤组件和检修单元;
3、所述检修单元包括滑动连接在安装箱上下两壁的滑动件,两个所述滑动件之间固定连接有多个u形板和防护网,且过滤组件与u形板滑动连接,所述滑动件的内部套设有横杆,所述横杆的表面套设有磁板,且磁板与滑动件固定连接,所述横杆的右端贯穿滑动件固定连接有电磁铁,且电磁铁与安装箱固定连接,所述加工装置的顶部固定连接有蓄电池。
4、作为本技术优选的,所述蓄电池的表面套设有防护壳,且防护壳与加工装置固定连接。
5、作为本技术优选的,所述横杆的左端固定连接有竖板,且竖板与滑动件滑动连接。
6、作为本技术优选的,所述电磁铁的左侧固定连接有多个限位件,且限位件与磁板相贴。
7、作为本技术优选的,所述过滤组件的前端固定连接有把手,且把手可与手掌相贴。
8、作为本技术优选的,所述滑动件的内部滚动连接有多个滚珠,且滚珠与横杆滑动连接。
9、与现有技术相比,本技术的有益效果如下:
10、1、本技术通过电磁铁磁力的影响,使得磁板带动滑动件、u形板、防护网和过滤组件沿着横杆的表面向左侧移动,从而使过滤组件远离安装箱,随后人们将过滤组件拿掉,并对其进行检修即可,以此使得该半导体器件制造装置具有了便捷检修废气过滤装置的优点。
11、2、本技术通过设置防护壳,从而避免了蓄电池在外界受到磕碰,而导致蓄电池出现损伤的现象,提高了防护性。
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1.一种半导体器件制造装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的顶部固定连接有安装箱(2),所述安装箱(2)的右侧固定连接有加工装置(3),所述安装箱(2)的内部套设有风机(4),所述安装箱(2)的内部设置有多个过滤组件(5)和检修单元(6);
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述蓄电池(67)的表面套设有防护壳(7),且防护壳(7)与加工装置(3)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述横杆(64)的左端固定连接有竖板(8),且竖板(8)与滑动件(61)滑动连接。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述电磁铁(66)的左侧固定连接有多个限位件(9),且限位件(9)与磁板(65)相贴。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述过滤组件(5)的前端固定连接有把手(10),且把手(10)可与手掌相贴。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述滑动件(61)的内部滚动连接有多个滚珠(
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的顶部固定连接有安装箱(2),所述安装箱(2)的右侧固定连接有加工装置(3),所述安装箱(2)的内部套设有风机(4),所述安装箱(2)的内部设置有多个过滤组件(5)和检修单元(6);
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述蓄电池(67)的表面套设有防护壳(7),且防护壳(7)与加工装置(3)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制造装置,其特征在于:所述横杆(64)的左端固定连接有竖板...
【专利技术属性】
技术研发人员:金众,谢佳,
申请(专利权)人:上海拓赛半导体材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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