【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频开关电源，具体涉及一种射频开关电源切换电路、电源管理电路和射频芯片。
技术介绍
1、随着技术的不断发展，人们对射频前端设备例如功率放大器、有源天线调谐器、低噪声放大器和天线开关等的需求不断增加，对于设备制造商而言，控制所有射频前端设备将是非常巨大的挑战。
2、目前，射频前端终端芯片控制走线一般采用mipi总线控制；同时gpio控制走线也存在部分射频前端终端芯片上。
3、对于gpio控制方式，是单独电源供电加上某些控制位信号走线；其电源管理电路的结构如图2所示，mipi协议解调模块用于在输入有电源vio时向射频开关模块输入使能信号en，使能信号en用于射频开关模块是否能进行射频开关选择，另外mipi协议解调模块输出的控制信号vctrl用于选择射频开关模块中的射频通道进行射频信号传输。
4、对于mipi总线控制方式，除了mipi协议规定的电源vio，还有电源vdd，即有两个电流源供电，增加了系统板电源走线的资源压力；
5、另外mipi总线控制方式对应的电源管理电路的结构如图1所示，mipi协议解调模块用于在输入有电源vio时分别向射频开关模块和供电模块输入使能信号en，供电模块在有电源vdd和使能信号en输入时，输出电压vldo；
6、结合图1和图2的内容，现有的电源管理电路不能同时兼容单电源vio和双电源输入，不能进行切换选择。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
的不足，本专利技术是提供了一种射频开关电源切换电
2、为解决以上技术问题，第一方面，本专利技术提供了如下技术方案：一种射频开关电源切换电路，包括电源检测单元和输出单元；
3、所述电源检测单元包括电阻r1、电阻r2、电阻r3、mos管mp1、压降单元和信号处理单元，所述电阻r1一端与mos管mp1的源极电连接，用于输入电源vio，所述电阻r1另一端分别与电阻r2一端和mos管mp1的栅极电连接，且通过压降单元接地，电阻r2另一端用于输入电源vldo，mos管mp1的漏极通过电阻r3接地，且与信号处理单元电连接，所述信号处理单元用于对输入的信号进行两次反相处理，并输出选择信号sel；
4、所述输出单元包括第二信号处理单元、第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元的输入端用于输入电源vio，所述第二开关单元的输入端用于输入电源vldo，所述第一开关单元的输出端和第二开关单元的输出端电连接，所述选择信号sel输入到第一开关单元，用于控制第一开关单元的通断，所述第二信号处理单元用于对选择信号sel进行反相处理，并向第二开关单元输入控制信号，所述控制信号用于控制第二开关单元的通断。
5、在第一方面的某种实施方式中，所述第一开关单元在所述选择信号sel为高电平时导通，在所述选择信号sel为低电平时关断。
6、在第一方面的某种实施方式中，所述第一开关单元包括mos管mn1、mos管mp2和电阻r4，mos管mp2的漏极为第一开关单元的输入端，mos管mp2的源极为第一开关单元的输出端，且通过电阻r4分别与mos管mp2的栅极和mos管mn1的漏极电连接，选择信号sel输入到mos管mn1的栅极，mos管mn1的源极接地。
7、在第一方面的某种实施方式中，所述第二开关单元在所述控制信号为高电平时导通，在所述控制信号为低电平时关断。
8、在第一方面的某种实施方式中，所述第二开关单元包括mos管mn2、mos管mp3和电阻r5，mos管mp3的漏极为第二开关单元的输入端，mos管mp3的源极为第二开关单元的输出端，且通过电阻r5分别与mos管mp3的栅极和mos管mn2的漏极电连接，控制信号输入到mos管mn2的栅极，mos管mn2的源极接地。
9、在第一方面的某种实施方式中，所述压降单元包括四个依次串联的二极管，电阻r2一端与首端二极管的阳极电连接，末端二极管的阴极接地。
10、在第一方面的某种实施方式中，所述信号处理单元包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与电阻r3一端电连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端电连接，第二反相器的输出端输出所述选择信号sel。
11、在第一方面的某种实施方式中，所述第二信号处理单元包括第三反相器，第三反相器的输入端输入所述选择信号sel，第三反相器的输出端输出所述控制信号。
12、第二方面，本专利技术提供了一种电源管理电路，包括mipi协议解调模块、供电模块和射频开关模块，所述mipi协议解调模块用于在有电源vio输入时分别向所述供电模块和射频开关模块输入使能信号en，所述mipi协议解调模块与所述射频开关模块电连接，向所述射频开关模块输入射频控制信号vctrl，
13、还包括上述的射频开关电源切换电路，所述供电模块用于在输入电源vdd和使能信号en时向所述射频开关电源切换电路输入电源vldo，所述第一开关单元的输出端与所述射频开关模块电连接，用于向所述射频开关模块提供电压vcon。
14、第三方面，本专利技术还提供了射频芯片，射频芯片上设有上述的电源管理电路。
15、本专利技术与现有技术相比所具有的有益效果是：本专利技术通过设置电源检测单元来检查电源vio和电源vldo是否接入，并通过选择信号sel和控制信号来控制第一开关单元和第二开关单元的通断，从而实现电源vio和电源vldo的选择输出，从而使本专利技术能兼容单电源和双电源输入；
16、另外电源vio除了给mipi协议相关数字电路模块供电之外，还给模拟控制器电路供电，从而节约系统走线资源。
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1.一种射频开关电源切换电路，其特征在于，包括电源检测单元和输出单元；
2.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第一开关单元在所述选择信号SEL为高电平时导通，在所述选择信号SEL为低电平时关断。
3.根据权利要求1或2所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第一开关单元包括MOS管MN1、MOS管MP2和电阻R4，MOS管MP2的漏极为第一开关单元的输入端，MOS管MP2的源极为第一开关单元的输出端，且通过电阻R4分别与MOS管MP2的栅极和MOS管MN1的漏极电连接，选择信号SEL输入到MOS管MN1的栅极，MOS管MN1的源极接地。
4.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第二开关单元在所述控制信号为高电平时导通，在所述控制信号为低电平时关断。
5.根据权利要求1或4所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第二开关单元包括MOS管MN2、MOS管MP3和电阻R5，MOS管MP3的漏极为第二开关单元的输入端，MOS管MP3的源极为第二开关单元的输出端，且通过电阻
6.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述压降单元包括四个依次串联的二极管，电阻R2一端与首端二极管的阳极电连接，末端二极管的阴极接地。
7.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述信号处理单元包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端与电阻R3一端电连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端电连接，第二反相器的输出端输出所述选择信号SEL。
8.根据权利要求1或7所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第二信号处理单元包括第三反相器，第三反相器的输入端输入所述选择信号SEL，第三反相器的输出端输出所述控制信号。
9.一种电源管理电路，包括MIPI协议解调模块、供电模块和射频开关模块，所述MIPI协议解调模块用于在有电源VIO输入时分别向所述供电模块和射频开关模块输入使能信号EN，所述MIPI协议解调模块与所述射频开关模块电连接，向所述射频开关模块输入射频控制信号VCTRL，其特征在于，还包括权利要求1-8任一项所述的射频开关电源切换电路，所述供电模块用于在输入电源VDD和使能信号EN时向所述射频开关电源切换电路输入电源VLDO，所述第一开关单元的输出端与所述射频开关模块电连接，用于向所述射频开关模块提供电压Vcon。
10.射频芯片，其特征在于，所述射频芯片上设有权利要求9所述的电源管理电路。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关电源切换电路，其特征在于，包括电源检测单元和输出单元；
2.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第一开关单元在所述选择信号sel为高电平时导通，在所述选择信号sel为低电平时关断。
3.根据权利要求1或2所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第一开关单元包括mos管mn1、mos管mp2和电阻r4，mos管mp2的漏极为第一开关单元的输入端，mos管mp2的源极为第一开关单元的输出端，且通过电阻r4分别与mos管mp2的栅极和mos管mn1的漏极电连接，选择信号sel输入到mos管mn1的栅极，mos管mn1的源极接地。
4.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第二开关单元在所述控制信号为高电平时导通，在所述控制信号为低电平时关断。
5.根据权利要求1或4所述的一种射频开关电源切换电路，其特征在于，所述第二开关单元包括mos管mn2、mos管mp3和电阻r5，mos管mp3的漏极为第二开关单元的输入端，mos管mp3的源极为第二开关单元的输出端，且通过电阻r5分别与mos管mp3的栅极和mos管mn2的漏极电连接，控制信号输入到mos管mn2的栅极，mos管mn2的源极接地。
6.根据权利要求1所述的一种射频开关电源切换电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘刚，丁佳佳，刘洋，黄小妍，郭天生，赵鹏，
申请(专利权)人：江苏乾合微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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