System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 氟化的清洁流体混合物制造技术_技高网

氟化的清洁流体混合物制造技术

技术编号:42425384 阅读:7 留言:0更新日期:2024-08-16 16:39
清洁流体包含至少两种流体组分。第一流体组分是氢氟硫醚或氯化氯氟烯烃、或者氢氯氟烯烃的异构体中的至少一种,并且第二流体组分是具有1至5个碳原子的醇。当与包含氟化流体的清洁流体相比时,该清洁流体提供了增强的颗粒污染物去除、改善的颗粒再附着减少或其组合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

1、本文公开了氟化清洁流体混合物,其包含至少一种氟化流体和醇。还公开了用于使用该氟化清洁流体混合物进行清洁的方法。

2、在一些实施方案中,该清洁流体包含第一流体组分和第二流体组分,该第一流体组分包括氢氟硫醚或氯化氢氟烯烃、或氢氯氟烯烃的异构体中的至少一种,该第二流体组分包括至少一种具有1至5个碳原子的醇。当与包含氟化流体的清洁流体相比时,该清洁流体提供了增强的颗粒污染物去除、改善的颗粒再附着减少或其组合。

3、还公开了用于清洁制品的方法。在一些实施方案中,该方法包括提供待清洁的制品,该待清洁的制品包括具有至少一种污染物的至少一个表面,提供如上所述的清洁流体,以及使基底表面与清洁流体接触。

【技术保护点】

1.一种清洁流体,所述清洁流体包含:

2.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第一流体组分包含结构1的氢氟硫醚:

3.根据权利要求2所述的清洁流体,其中Rf3和Rf4是具有1个碳原子的全氟化烷基基团。

4.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第一流体组分占清洁流体的85重量%至99.9重量%。

5.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中R2是具有1至4个碳原子的烷基基团。

6.根据权利要求5所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中R2是具有2至3个碳原子的烷基基团。

7.根据权利要求6所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括异丙醇,并且其中当与包含氟化流体的清洁流体相比时,所述清洁流体提供改善的颗粒去除。

8.根据权利要求7所述的清洁流体,还包含至少第三流体组分,其中所述第三流体组分包括醇。

9.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中R2是具有4个碳原子的烷基基团。

10.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括丁醇,并且其中当与包含氟化流体的清洁流体相比时,所述清洁流体提供改善的颗粒再附着减少。

11.根据权利要求10所述的清洁流体,还包含至少第三流体组分,其中所述第三流体组分包括醇。

12.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述清洁流体是不易燃的。

13.一种清洁制品的方法,所述方法包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其中使所述基底表面与所述清洁流体接触包括通过刷涂、喷涂或旋涂来施加所述清洁流体。

15.根据权利要求13所述的方法,其中使所述基底表面与所述清洁流体接触包括将所述基底浸入所述清洁流体中。

16.根据权利要求13所述的方法,还包括从所述基底表面去除所述清洁流体。

17.根据权利要求16所述的方法,其中从所述基底表面去除所述清洁流体包括蒸发所述清洁流体或将所述基底从所述清洁流体中的浸泡中取出。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种清洁流体,所述清洁流体包含:

2.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第一流体组分包含结构1的氢氟硫醚:

3.根据权利要求2所述的清洁流体,其中rf3和rf4是具有1个碳原子的全氟化烷基基团。

4.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第一流体组分占清洁流体的85重量%至99.9重量%。

5.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中r2是具有1至4个碳原子的烷基基团。

6.根据权利要求5所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中r2是具有2至3个碳原子的烷基基团。

7.根据权利要求6所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括异丙醇,并且其中当与包含氟化流体的清洁流体相比时,所述清洁流体提供改善的颗粒去除。

8.根据权利要求7所述的清洁流体,还包含至少第三流体组分,其中所述第三流体组分包括醇。

9.根据权利要求1所述的清洁流体,其中所述第二流体组分包括醇,其中r...

【专利技术属性】
技术研发人员:木村珠美L·C·恩格安藤伸明
申请(专利权)人:三M创新有限公司
类型:发明
国别省市:

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