【技术实现步骤摘要】
本技术涉及射频微波，具体涉及一种ku波段射频开关。
技术介绍
1、ku波段是指比ieee 521-2002标准下的k波段频率低的波段，通常下行从10.7到12.75ghz，上行从12.75到18.1ghz。ku波段具有较高的频段，因此用于该波段的射频开关也需要设计为较宽的频段。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种ku波段射频开关，三个串联的pin二极管具有更宽的频段，适用于ku波段。
2、为了实现上述目的，本技术采取的技术方案如下：
3、一种ku波段射频开关，包括：第一射频电路j0-j1、第二射频电路j0-j2、第三射频电路j0-j3、第四射频电路j0-j4；
4、第一射频电路j0-j1、第二射频电路j0-j2、第三射频电路j0-j3、第四射频电路j0-j4的输入端相同；
5、第一射频电路j0-j1、第二射频电路j0-j2、第三射频电路j0-j3、第四射频电路j0-j4分别连接有第一控制电路e1、第二控制电路e2、第三控制电路e3、第四控制电路e4；
6、第一射频电路j0-j1包括第一pin二极管v1、第二pin二极管v2、第三pin二极管v3、第一电容c1，所述第一pin二极管v1的阳极与第一射频电路j0-j1的输入端连接，所述第一pin二极管v1的阴极与第二pin二极管v2的阳极连接，所述第二pin二极管v2的阴极与第三pin二极管v3的阳极连接，所述第三pin二极管v3的阴极与第一电容c1的一端连接，所述第一
7、第二射频电路j0-j2包括第四pin二极管v4、第五pin二极管v5、第六pin二极管v6、第二电容c3，所述第四pin二极管v4的阳极与第二射频电路j0-j2的输入端连接，所述第四pin二极管v4的阴极与第五pin二极管v5的阳极连接，所述第五pin二极管v5的阴极与第六pin二极管v6的阳极连接，所述第六pin二极管v6的阴极与第二电容c3的一端连接，所述第二电容c3的另一端与第二射频电路j0-j2的输出端j2连接；第六pin二极管v6的阴极连接第二控制电路e2的控制端；
8、第三射频电路j0-j3包括第七pin二极管v7、第八pin二极管v8、第九pin二极管v9、第三电容c5，所述第七pin二极管v7的阳极与第三射频电路j0-j3的输入端连接，所述第七pin二极管v7的阴极与第八pin二极管v8的阳极连接，所述第八pin二极管v8的阴极与第九pin二极管v9的阳极连接，所述第九pin二极管v9的阴极与第三电容c5的一端连接，所述第三电容c5的另一端与第三射频电路j0-j3的输出端j3连接；第九pin二极管v9的阴极连接第三控制电路e3的控制端；
9、第四射频电路j0-j4包括第十pin二极管v10、第十一pin二极管v11、第十二pin二极管v12、第四电容c7，所述第十pin二极管v10的阳极与第四射频电路j0-j4的输入端连接，所述第十pin二极管v10的阴极与第十一pin二极管v11的阳极连接，所述第十一pin二极管v11的阴极与第十二pin二极管v12的阳极连接，所述第十二pin二极管v12的阴极与第四电容c7的一端连接，所述第四电容c7的另一端与第四射频电路j0-j4的输出端j4连接；第十二pin二极管v12的阴极连接第四控制电路e4的控制端。
10、作为一种优选技术方案，第一pin二极管v1、第二pin二极管v2、第三pin二极管v3串联设置在氮化铝基片散热片上，第四pin二极管v4、第五pin二极管v5、第六pin二极管v6串联设置氮化铝基片散热片上,第七pin二极管v7、第八pin二极管v8、第九pin二极管v9串联设置在氮化铝基片散热片上，第十pin二极管v10、第十一pin二极管v11、第十二pin二极管v12串联设置在氮化铝基片散热片上。
11、作为一种优选技术方案，第一pin二极管v1的阳极、第四pin二极管v4的阳极、第七pin二极管v7的阳极、第十pin二极管v10的阳极还连接第一电感l1的一端，第一电感l1的另一端接地。
12、作为一种优选技术方案，第一射频电路j0-j1还包括第二电感l2、第五电容c2；第二电感l2的一端连接第五电容c6的一端，并连接到第一控制电路e1的控制端；第五电容c2的另一端接地；
13、第二射频电路j0-j2还包括第三电感l3、第六电容c4；第三电感l3的一端连接第六电容c4的一端，并连接到第二控制电路e2的控制端；第六电容c4的另一端接地；
14、第三射频电路j0-j3还包括第四电感l4、第七电容c6；第四电感l4的一端连接第七电容c6的一端，并连接到第三控制电路e3的控制端；第七电容c6的另一端接地；
15、第四射频电路j0-j4还包括第五电感l4、第八电容c8；第五电感l4的一端连接第八电容c8的一端，并连接到第四控制电路e4的控制端；第八电容c8的另一端接地。
16、本技术与现有技术相比，具有以下有益效果：
17、本技术中，将pin二极管串联安装在氮化铝基片散热片上，不仅解决了pin二极管散热难的问题，而且缩短了传输线长度，减小插入损耗。
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1.一种Ku波段射频开关，其特征在于，包括：第一射频电路J0-J1、第二射频电路J0-J2、第三射频电路J0-J3、第四射频电路J0-J4；
2.根据权利要求1所述的一种Ku波段射频开关，其特征在于，第一PIN二极管V1、第二PIN二极管V2、第三PIN二极管V3串联设置在氮化铝基片散热片上，第四PIN二极管V4、第五PIN二极管V5、第六PIN二极管V6串联设置氮化铝基片散热片上,第七PIN二极管V7、第八PIN二极管V8、第九PIN二极管V9串联设置在氮化铝基片散热片上，第十PIN二极管V10、第十一PIN二极管V11、第十二PIN二极管V12串联设置在氮化铝基片散热片上。
3.根据权利要求1所述的一种Ku波段射频开关，其特征在于，第一PIN二极管V1的阳极、第四PIN二极管V4的阳极、第七PIN二极管V7的阳极、第十PIN二极管V10的阳极还连接第一电感L1的一端，第一电感L1的另一端接地。
4.根据权利要求2所述的一种Ku波段射频开关，其特征在于，第一射频电路J0-J1还包括第二电感L2、第五电容C2；第二电感L2的一端连接第五电容C6
...【技术特征摘要】
1.一种ku波段射频开关，其特征在于，包括：第一射频电路j0-j1、第二射频电路j0-j2、第三射频电路j0-j3、第四射频电路j0-j4；
2.根据权利要求1所述的一种ku波段射频开关，其特征在于，第一pin二极管v1、第二pin二极管v2、第三pin二极管v3串联设置在氮化铝基片散热片上，第四pin二极管v4、第五pin二极管v5、第六pin二极管v6串联设置氮化铝基片散热片上,第七pin二极管v7、第八pin二极管v8、第九pin二极管v9串联设置在氮化铝基片散热片上，第十pin二极管v10、第十一pin二极...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁文碧，黄佳锐，
申请(专利权)人：四川海湾微波科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
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