【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于技术属于复合膜领域，具体涉及一种热发泡解粘复合膜及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着科技的不断发展，半导体芯片的集成度和尺寸要求越来越高。晶圆切割技术能够实现非常细小和精确的芯片尺寸，从而支持更高的集成度和更小尺寸的芯片的制备，晶圆切割技术可以根据需求将晶圆切割成不同尺寸和形状的芯片，从而实现多种芯片的成产，是半导体芯片制造过程中的关键步骤之一，对于提高晶圆利用率以及成本效益均有重要意义。
2、半导体晶圆切割过程常常需要使用胶带进行临时保护、固定和承载，热发泡解粘复合膜在工艺使用完成后只需加热即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，是目前最常用的晶圆切割定位膜。cn116042124a公开了一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，由以下重量份数的组分制成：聚丙烯酸酯树脂20～110份；固化剂0.1～5份；催化剂0.5～4份；热膨胀微球8～15份；乙酸乙酯40～100份；该专利技术形成的半导体晶片表面加工热解粘保护膜加热后即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，减少产品的不良率。
3、但是，包括上述专利技术在内的现有热发泡解粘膜均为单层结构，发泡微球受热膨胀后会导致发泡面不平整，同时使胶层和基材层部分脱离，导致切割粒子无法平整排列，晶圆、玻璃等脆性材料切割后粒子间碰撞损坏，边缘磕碰崩裂；同时，现有解粘膜发泡膜在发泡前的粘性偏低，切割过程出现飞粒，且热发泡解粘后粘性偏高，小尺寸切割粒子无法完全脱落，无法满足高效自动化生产的需求，生产报废率高。
4、因此，为解决上述技术问题，开发一种热发泡
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种热发泡解粘复合膜及其制备方法和应用，所述热发泡解粘复合膜热发泡解前粘性高，热发泡解粘性小，且热发泡面的平整度高，热发泡温度区间宽，热发泡时间短，可以满足现阶段切割尺寸越来越小的晶圆、基板等方面的自动化生产需求，有助于降低能耗，提高产品生产良率。
2、为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种热发泡解粘复合膜，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜。
4、经本专利技术的专利技术人研究发现，现有传统的热发泡解粘膜直接在胶粘剂层中添加热发泡微球后直接涂布在基材表面，通过发泡微球受热膨胀的原理降低胶粘剂表面的粘性，达到解粘的目的，当发泡微球迅速膨胀后容易造成胶粘剂层与基材剥离，导致发泡面不平整，同时胶粘剂层的粘性降低不明显，无法满足切割小尺寸粒子解粘掉落的生产工艺需求；
5、基于上述发现，本专利技术提供的热发泡解粘复合膜在基材表面优先设置耐温粘结剂层，再在所述耐温粘结剂层表面设置热发泡解粘层，由于所述耐温粘结剂层具有优异的耐温性，可以与基材和耐温粘结剂层进行紧密粘结，使所述热发泡解粘复合膜在热发泡解前具有高粘性，可以保证热发泡解粘复合膜在切割过程不易出现飞粒，同时避免了热发泡解粘层中热发泡微球受热膨胀后会导致发泡面不平整的问题，还具有发泡温度区间宽，发泡时间短，以及热发泡解粘后粘性低的优势，有助于减少切割过程中的飞片数量，提高切割过程中的产品良率，可以满足现阶段切割尺寸越来越小的晶圆、基板等方面的自动化生产需求。
6、优选地，所述基材的厚度为90～110μm，例如90μm、92μm、94μm、96μm、98μm、100μm、102μm、104μm、106μm、10 8μm或110μm等。
7、优选地，所述基材包括pet基材，具有更高的拉伸强度、断裂伸长率和表面抗阻，进一步优选为表面涂覆有抗静电剂的pet基材，所述抗静电剂涂覆在远离耐温粘结剂层一侧的pet基材表面。
8、优选地，所述耐温粘结剂层的厚度为15～20μm，例如15μm、16μm、17μm、18μm、19μm或20μm等。
9、优选地，所述耐温粘结剂层的制备原料按照重量份包括如下组分：
10、
11、其中，所述耐高温聚丙烯酸酯指的是温度升高至260℃时，粘度也不会发生显著变化的聚丙烯酸酯。
12、其中，所述耐温粘结剂层的制备原料中第一增粘树脂的含量可以为15重量份、20重量份、25重量份、30重量份、35重量份、40重量份或45重量份等。
13、其中，所述耐温粘结剂层的制备原料中第一固化剂的含量可以为0.1重量份、0.5重量份、1重量份、1.5重量份、2重量份、2.5重量份或3重量份等。
14、其中，所述耐温粘结剂层的制备原料中第一溶剂的含量可以为20重量份、30重量份、40重量份、50重量份、60重量份、70重量份或80重量份等。
15、优选地，所述耐高温聚丙烯酸酯的制备原料包括丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯或丙烯酸2-乙基己酯中的任意一种或至少两种的组合。
16、优选地，所述第一增粘树脂包括液态c5石油树脂、液态聚萜烯树脂、氢化松香酸甲酯、双环戊二烯树脂、2,2'-硫代二乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酸酯]、聚酯树脂或醋酸乙酯中的任意一种或至少两种的组合。
17、优选地，所述第一固化剂包括六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯或二环己基甲烷二异氰酸酯中的任意一种或至少两种的组合。
18、优选地，所述第一溶剂包括乙酸乙酯、甲苯、乙醇、甲基乙基酮、丙酮或二氯甲烷中的任意一种或至少两种的组合。
19、优选地，所述热发泡解粘层的厚度为25～30μm，例如25μm、26μm、27μm、28μm、29μm或30μm等。
20、优选地，所述热发泡解粘层的制备原料按照重量份包括如下组分：
21、
22、其中，所述低tg聚丙烯酸酯中的“tg”指的是玻璃化转变温度，所述“低tg”指的是玻璃化转变温度不高于-40℃。
23、优选地，所述低tg聚丙烯酸酯的制备原料包括丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异辛酯或丙烯酸正丁酯中的任意一种或至少两种的组合。
24、优选地，所述抗静电剂包括三丁基甲基铵三氟甲烷磺酰亚胺盐、双(三氟甲磺酰)亚胺锂盐或碳酸二甲酯中的任意一种或至少两种的组合。
25、优选地，所述第二固化剂包括六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯或二环己基甲烷二异氰酸酯中的任意一种或至少两种的组合。
26、优选地，所述第二溶剂包括乙酸乙酯、甲苯、乙醇、甲基乙基酮、丙酮或二氯甲烷中的任意一种或至少两种的组合。
27、优选地，所述热发泡微球包括松本的f-20、f-36、f-82、f-50或msh-500中的任意一种或至少两种的组合，起始发泡温度为100～150℃。
28、优选地，所述离型层的厚度为20～40μm，例如本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜。
2.根据权利要求1所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述基材的厚度为90～110μm；
3.根据权利要求1或2所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的厚度为15～20μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的制备原料按照重量份包括如下组分：
5.根据权利要求1～4任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘层的厚度为25～30μm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘层的制备原料按照重量份包括如下组分：
7.根据权利要求1～6任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述离型膜的厚度为20～40μm；
8.一种如权利要求1～7任一项所述热发泡解粘复合膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述熟
10.一种如权利要求1～7任一项所述的热发泡解粘复合膜作为晶圆或基板切割过程的定位膜的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘复合膜包括依次设置的基材、耐温粘结剂层、热发泡解粘层和离型膜。
2.根据权利要求1所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述基材的厚度为90～110μm；
3.根据权利要求1或2所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的厚度为15～20μm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述耐温粘结剂层的制备原料按照重量份包括如下组分：
5.根据权利要求1～4任一项所述的热发泡解粘复合膜，其特征在于，所述热发泡解粘层的厚度为25...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，张翔，张红凤，宋风鹏，陈余谦，杨慧达，
申请(专利权)人：苏州德佑新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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