【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺设备，特别是涉及一种晶圆载物装置以及倒装焊系统。
技术介绍
1、在半导体工艺制备中，经常需要对晶圆进行定位和固定，通常使用包括一个腔室以及装载于腔室内的工装的载物设备来固定晶圆，晶圆放置在工装表面。腔室里面附带着很多结构用以实现不同功能，如对晶圆加热、提供氮气氛围、进行真空吸附等。
2、目前的载物设备的工装完全位于腔室内，所以工装能够放置的晶圆尺寸受到腔室的开口尺寸的限制，而且如果晶圆尺寸与腔室的开口尺寸相当，那么晶圆放置和取出的过程就比较困难，难以调整晶圆在腔室内的摆放位置，晶圆被划伤的风险也比较大。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种晶圆载物装置以及倒装焊系统，以解决现有技术不能放置大尺寸晶圆的问题，能够支持更大尺寸的晶圆。
2、为解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆载物装置，包括载物台和载物工件，所述载物台表面形成有凹腔，所述载物工件包括用于固定在所述凹腔内的支撑体以及连接在所述支撑体上方的承载板，所述承载板用于承载晶圆，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述承载板与所述载物台之间形成间隙，所述凹腔位于所述承载板在所述载物台的投影的覆盖范围内。
3、优选的，所述支撑体的高度大于所述凹腔的深度。
4、优选的，所述支撑体的侧壁设有定位件，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述定位件与所述凹腔的侧壁贴合。
5、优选的，所述支撑体为矩形柱结构，所述凹腔的轮廓为矩形，所述支撑体的至少两个相对的侧壁设有所述定位
6、优选的，所述定位件为u型结构，且开口方向朝向所述载物台。
7、优选的，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述支撑体的底面与所述凹腔的底部贴合，所述凹腔的底部设有多个用于真空吸附固定所述支撑体的第一真空吸附孔。
8、优选的，所述载物工件设有贯穿所述支撑体和所述承载板的第二真空吸附孔，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述第二真空吸附孔与一个所述第一真空吸附孔对接形成真空吸附通道。
9、优选的，所述承载板的表面形成有回流槽，所述回流槽与所述第二真空吸附孔连通。
10、优选的，所述回流槽包括环绕所述第二真空吸附孔的开口的第一沟槽以及连通所述第一沟槽与所述第二真空吸附孔的第二沟槽。
11、为解决上述技术问题，本技术还提供一种倒装焊系统，包括前述任一项所述的晶圆载物装置，以及用于对所述晶圆施加作用力的施力部件，所述施力部件设于所述承载板上方。
12、区别于现有技术的情况，本技术提供的晶圆载物装置包括载物台和载物工件，载物工件包括支撑体以及用于承载晶圆的承载板，支撑体固定在载物台的凹腔内时，承载板与载物台之间形成间隙，并且凹腔位于承载板在载物台的投影的覆盖范围内，因此承载板的尺寸超过凹腔开口的尺寸，从而能够支持更大尺寸的晶圆，并且晶圆处于凹腔外，容易调整位置，可以降低划伤风险。
13、本技术提供的倒装焊系统包括前述的晶圆载物装置，与晶圆载物装置属于同一专利技术构思，因此具有相同的技术效果。
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1.一种晶圆载物装置，其特征在于，包括载物台和载物工件，所述载物台表面形成有凹腔，所述载物工件包括用于固定在所述凹腔内的支撑体以及连接在所述支撑体上方的承载板，所述承载板用于承载晶圆，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述承载板与所述载物台之间形成间隙，所述凹腔位于所述承载板在所述载物台的投影的覆盖范围内。
2.根据权利要求1所述的晶圆载物装置，其特征在于，所述支撑体的高度大于所述凹腔的深度。
3.根据权利要求1所述的晶圆载物装置，其特征在于，所述支撑体的侧壁设有定位件，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述定位件与所述凹腔的侧壁贴合。
4.根据权利要求3所述的晶圆载物装置，其特征在于，所述支撑体为矩形柱结构，所述凹腔的轮廓为矩形。
5.根据权利要求3或4所述的晶圆载物装置，其特征在于，所述定位件为U型结构，且开口方向朝向所述载物台。
6.根据权利要求1所述的晶圆载物装置，其特征在于，所述支撑体固定在所述凹腔内时，所述支撑体的底面与所述凹腔的底部贴合，所述凹腔的底部设有多个用于真空吸附固定所述支撑体的第一真空吸附孔。
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