【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体刻蚀，尤其涉及一种均匀温控式干法刻蚀机。
技术介绍
1、刻蚀机是一种在半导体制造和其他精密加工领域中至关重要的工艺设备，它的作用是在硅片（晶圆）上精确的去处不需要的材料层，以此形成集成电路所需的微观结构，刻蚀机根据刻蚀工艺的不同可分为：干法刻蚀机和湿法刻蚀机，湿法刻蚀机是一种将硅片浸入液体中对其进行化学处理的设备（利用液体去除硅片上不需要的材料层），而干法刻蚀机则是采用刻蚀气体对硅片进行化学冲击或物理碰撞的方式去除硅片上不需要的材料层，拿干法刻蚀机来说：
2、干法刻蚀机在对硅片进行刻蚀的过程中会产生废气，这些废气主要由刻蚀气体与硅片表面反应后的产物组成（其中包括固体颗粒、气态反应物等），在对硅片进行刻蚀的过程中，现有通常采用真空抽取的方式对刻蚀废气进行处理，废气被真空泵抽出后（废气中包含多种化学物质，在常温下，部分化学物质会发生结晶现象），由于真空泵抽气口靠近刻蚀腔，出气口远离刻蚀腔，故而会使真空泵的抽气口和出气口产生温差（真空泵出气口的位置暴露在外界环境中，所以真空泵出气口的位置处于常温环境），而废气在常温环境下会形成结晶从而粘附于真空泵的出气口，真空泵出气口受到结晶的阻挡后，真空泵抽取废气的量将会被减少，这就会使刻蚀腔内的废气便无法被正常抽出，随着刻蚀气体对硅片的刻蚀，两者间产生的废气会越积越多，从而导致刻蚀腔内的压力逐渐升高，刻蚀腔内压力升高后会降低刻蚀气体喷头附近的气流的流速，从而导致刻蚀腔内出现温度的分层，甚至延长硅片被刻蚀的时间。
技术实现思路>
1、为了解决上述
技术介绍
中所提到的问题，本专利技术提供一种均匀温控式干法刻蚀机。
2、本专利技术的技术方案为：一种均匀温控式干法刻蚀机，包括有工作台，所述工作台设置有操作面板，所述工作台的上侧固接有镜像分布的固定架，镜像分布的所述固定架的上侧共同固接有连接架，所述连接架固接有固定罩，所述固定罩的内侧设置有等离子体制造模块，所述固定罩固接且连通有与所述操作面板电连接的真空泵，所述真空泵远离所述固定罩的一侧固接且连通有第一输气管，镜像分布的所述固定架均滑动连接有与所述操作面板电连接的电动滑块，镜像分布的所述电动滑块之间固接有滑台，所述滑台的内侧设置有腔室，所述滑台的上侧滑动且转动连接有第一滑动杆，所述第一滑动杆的下部位于所述腔室内，所述第一滑动杆用于提供对硅片的支撑。
3、进一步的，所述滑台内滑动连接有位于所述腔室内的电动转环，所述电动转环与所述操作面板电连接，所述电动转环与所述第一滑动杆固接，所述电动转环用于带动所述第一滑动杆进行转动，所述固定罩靠近所述真空泵的一侧设置有监测组件，所述监测组件用于监测所述固定罩内的压力。
4、进一步的，所述监测组件包括有固定壳，所述固定壳固接于所述固定罩外部且靠近所述真空泵的一侧，所述固定壳位于所述真空泵的下方，所述固定壳与所述固定罩连通，所述固定壳内滑动连接有活塞杆，所述活塞杆与所述固定壳之间设置有弹簧，所述固定壳和所述腔室内均存放有液压油，所述固定壳远离所述固定罩的一侧固接且连通有导液管，所述导液管的下侧穿过所述滑台并与所述腔室连通，所述第一输气管的内侧设置有清理组件，所述清理组件用于清理所述第一输气管的内侧。
5、进一步的，所述清理组件包括有清理刀，所述清理刀转动连接于所述第一输气管内，所述第一输气管滑动连接有第二滑动杆，所述第二滑动杆设置有环形阵列分布的斜滑槽，所述清理刀的内侧固接有环形阵列分布的固定销，所述清理刀内侧的固定销与所述第二滑动杆上相邻的斜滑槽滑动配合，所述第二滑动杆远离所述第一输气管的一侧固接有连接杆，所述连接杆的下侧与所述活塞杆固接。
6、进一步的，本装置还包括有第一引导件，所述第一引导件固接于所述固定罩内，所述第一引导件的下侧与所述滑台的上侧接触配合，所述第一引导件的上侧设置有圆台形槽，用于汇集所述等离子体制造模块喷出的等离子体，所述第一引导件上侧圆台形槽的轴线与所述硅片的轴线重合，所述第一引导件的内侧设置有用于对刻蚀废气进行着重处理的废气处理组件。
7、进一步的，所述废气处理组件包括有废气收集壳，所述废气收集壳固接于所述第一引导件的内侧，所述废气收集壳的一侧固接且连通有第二输气管，所述第二输气管穿过所述第一引导件和所述固定罩并与所述真空泵靠近所述固定罩的一侧连通，所述废气收集壳设置有直线且呈环形阵列分布的导气孔，所述第一引导件设置有直线且呈环形阵列分布的导气孔，所述第一引导件上的导气孔与所述废气收集壳上相邻的导气孔连通。
8、进一步的，所述第一引导件固接有沿其上侧截面边缘线阵列且呈环形阵列分布的第二引导件，所述第二引导件设置为倒钩形，所述第二引导件远离所述第一引导件的一侧朝向所述第一引导件的轴心，所述第一引导件上的导气孔与所述废气收集壳上相邻的导气孔均位于相邻所述第二引导件的下方。
9、进一步的，直线阵列分布的所述第二引导件分别至所述第一引导件的距离由靠近所述第一引导件轴心一侧至远离所述第一引导件轴心一侧依次增大，用于对刻蚀废气进行分级阻拦。
10、进一步的，本装置还包括有密封组件，所述密封组件设置于所述滑台的外侧，所述密封组件用于增强所述滑台和所述固定罩之间的密封性，所述密封组件包括有直线阵列分布的密封件，直线阵列分布的所述密封件均固接于所述滑台的外周，所述滑台的外周滑动连接有直线阵列分布的挤压板，所述挤压板与相邻的所述密封件挤压配合，所述挤压板外周的下侧设置为弧形，所述滑台滑动连接有环形阵列分布的滑动件，环形阵列分布的所述滑动件均与直线阵列分布的所述挤压板固接，所述滑动件与所述滑台之间设置有弹簧，所述滑动件的下侧与所述固定罩的下侧挤压配合，所述滑台的直径小于所述固定罩的内径。
11、进一步的，所述固定罩内的下侧固接有直线阵列分布的固定板，所述固定板呈波纹状，所述固定板的内侧与相邻所述密封件的外侧密封配合，所述固定板、所述密封件和所述挤压板的数量均一致。
12、本专利技术的有益效果为：本专利技术根据刻蚀腔内废气的变化，及时缩短硅片与等离子体制造模块之间的距离，使硅片及时处于符合工作所需的温度区域，以被动的方式改变硅片周围的温度（不改变温度分层方式的前提下，改变硅片与符合工作所需温度的接触位置），保持硅片被刻蚀时的稳定，以此实现硅片的控温，并通过硅片的自转，实现对硅片的均匀控温，通过第二引导件对废气提供的遮挡，对部分刻蚀废气进行阻拦，减少刻蚀废气向上移动的量，避免大量刻蚀废气向上移动，导致等离子体向下移动的速度受到阻碍，通过第二引导件对刻蚀废气的遮挡并配合废气收集壳的抽取，对硅片周围的刻蚀废气进行及时抽取，在相邻第二引导件高度不一致的作用下，对刻蚀废气进行分级阻拦，以增强对刻蚀废气的抽取效率，改变硅片位置关系的过程中对第一输气管进行自清，以恢复第一输气管的输气量，在对硅片进行刻蚀的过程中，采用活性密封的方式对滑台和固定罩之间进行密封，避免现有的密封环出现密封失效的可能性。
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1.一种均匀温控式干法刻蚀机，包括有工作台（101），所述工作台（101）设置有操作面板（102），所述工作台（101）的上侧固接有镜像分布的固定架（103），镜像分布的所述固定架（103）的上侧共同固接有连接架（104），所述连接架（104）固接有固定罩（105），所述固定罩（105）的内侧设置有等离子体制造模块（106），所述固定罩（105）固接且连通有与所述操作面板（102）电连接的真空泵（107），所述真空泵（107）远离所述固定罩（105）的一侧固接且连通有第一输气管（1071），镜像分布的所述固定架（103）均滑动连接有与所述操作面板（102）电连接的电动滑块（108），镜像分布的所述电动滑块（108）之间固接有滑台（1081），所述滑台（1081）的内侧设置有腔室（1082），其特征是，还包括有第一滑动杆（1083），所述第一滑动杆（1083）滑动且转动连接于所述滑台（1081）的上侧，所述第一滑动杆（1083）的下部位于所述腔室（1082）内，所述第一滑动杆（1083）用于提供对硅片（1084）的支撑。
2.根据权利要求1所述的一种均匀温控式干法刻蚀机
3.根据权利要求2所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述监测组件（2）包括有固定壳（201），所述固定壳（201）固接于所述固定罩（105）外部且靠近所述真空泵（107）的一侧，所述固定壳（201）位于所述真空泵（107）的下方，所述固定壳（201）与所述固定罩（105）连通，所述固定壳（201）内滑动连接有活塞杆（202），所述活塞杆（202）与所述固定壳（201）之间设置有弹簧，所述固定壳（201）和所述腔室（1082）内均存放有液压油，所述固定壳（201）远离所述固定罩（105）的一侧固接且连通有导液管（203），所述导液管（203）的下侧穿过所述滑台（1081）并与所述腔室（1082）连通，所述第一输气管（1071）的内侧设置有清理组件（3），所述清理组件（3）用于清理所述第一输气管（1071）的内侧。
4.根据权利要求3所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述清理组件（3）包括有清理刀（301），所述清理刀（301）转动连接于所述第一输气管（1071）内，所述第一输气管（1071）滑动连接有第二滑动杆（302），所述第二滑动杆（302）设置有环形阵列分布的斜滑槽，所述清理刀（301）的内侧固接有环形阵列分布的固定销，所述清理刀（301）内侧的固定销与所述第二滑动杆（302）上相邻的斜滑槽滑动配合，所述第二滑动杆（302）远离所述第一输气管（1071）的一侧固接有连接杆（303），所述连接杆（303）的下侧与所述活塞杆（202）固接。
5.根据权利要求3所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，本装置还包括有第一引导件（4），所述第一引导件（4）固接于所述固定罩（105）内，所述第一引导件（4）的下侧与所述滑台（1081）的上侧接触配合，所述第一引导件（4）的上侧设置有圆台形槽，用于汇集所述等离子体制造模块（106）喷出的等离子体，所述第一引导件（4）上侧圆台形槽的轴线与所述硅片（1084）的轴线重合，所述第一引导件（4）的内侧设置有用于对刻蚀废气进行着重处理的废气处理组件（5）。
6.根据权利要求5所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述废气处理组件（5）包括有废气收集壳（501），所述废气收集壳（501）固接于所述第一引导件（4）的内侧，所述废气收集壳（501）的一侧固接且连通有第二输气管（502），所述第二输气管（502）穿过所述第一引导件（4）和所述固定罩（105）并与所述真空泵（107）靠近所述固定罩（105）的一侧连通，所述废气收集壳（501）设置有直线且呈环形阵列分布的导气孔，所述第一引导件（4）设置有直线且呈环形阵列分布的导气孔，所述第一引导件（4）上的导气孔与所述废气收集壳（501）上相邻的导气孔连通。
7.根据权利要求6所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述第一引导件（4）固接有沿其上侧截面边缘线阵列且呈环形阵列分布的第二引导件（6），所述第二引导件（6）设置为倒钩形，所述第二引导件（6）远离所述第一引导件（4）的一侧朝向所述第一引导...
【技术特征摘要】
1.一种均匀温控式干法刻蚀机，包括有工作台（101），所述工作台（101）设置有操作面板（102），所述工作台（101）的上侧固接有镜像分布的固定架（103），镜像分布的所述固定架（103）的上侧共同固接有连接架（104），所述连接架（104）固接有固定罩（105），所述固定罩（105）的内侧设置有等离子体制造模块（106），所述固定罩（105）固接且连通有与所述操作面板（102）电连接的真空泵（107），所述真空泵（107）远离所述固定罩（105）的一侧固接且连通有第一输气管（1071），镜像分布的所述固定架（103）均滑动连接有与所述操作面板（102）电连接的电动滑块（108），镜像分布的所述电动滑块（108）之间固接有滑台（1081），所述滑台（1081）的内侧设置有腔室（1082），其特征是，还包括有第一滑动杆（1083），所述第一滑动杆（1083）滑动且转动连接于所述滑台（1081）的上侧，所述第一滑动杆（1083）的下部位于所述腔室（1082）内，所述第一滑动杆（1083）用于提供对硅片（1084）的支撑。
2.根据权利要求1所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述滑台（1081）内滑动连接有位于所述腔室（1082）内的电动转环（1085），所述电动转环（1085）与所述操作面板（102）电连接，所述电动转环（1085）与所述第一滑动杆（1083）固接，所述电动转环（1085）用于带动所述第一滑动杆（1083）进行转动，所述固定罩（105）靠近所述真空泵（107）的一侧设置有监测组件（2），所述监测组件（2）用于监测所述固定罩（105）内的压力。
3.根据权利要求2所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述监测组件（2）包括有固定壳（201），所述固定壳（201）固接于所述固定罩（105）外部且靠近所述真空泵（107）的一侧，所述固定壳（201）位于所述真空泵（107）的下方，所述固定壳（201）与所述固定罩（105）连通，所述固定壳（201）内滑动连接有活塞杆（202），所述活塞杆（202）与所述固定壳（201）之间设置有弹簧，所述固定壳（201）和所述腔室（1082）内均存放有液压油，所述固定壳（201）远离所述固定罩（105）的一侧固接且连通有导液管（203），所述导液管（203）的下侧穿过所述滑台（1081）并与所述腔室（1082）连通，所述第一输气管（1071）的内侧设置有清理组件（3），所述清理组件（3）用于清理所述第一输气管（1071）的内侧。
4.根据权利要求3所述的一种均匀温控式干法刻蚀机，其特征是，所述清理组件（3）包括有清理刀（301），所述清理刀（301）转动连接于所述第一输气管（1071）内，所述第一输气管（1071）滑动连接有第二滑动杆（302），所述第二滑动杆（302）设置有环形阵列分布的斜滑槽，所述清理刀（301）的内侧固接有环形阵列分布的固定销，所述清理刀（301）内侧的固定销与所述第二滑动杆（302）上相邻的斜滑槽滑动配合，所述第二滑动杆（302）远离所述第一输气管（1071）的一侧固接有连接杆（303），所述连接杆（303）的下侧与所述活塞杆（202）固接。
5.根据权利要求3所述的一种均匀温控式干法刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆桥宏，李德呈，陶勇刚，薛燕，
申请(专利权)人：江苏籽硕科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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