【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体封装技术，并且更具体地，涉及半导体封装结构、半导体模塑系统和半导体封装方法。
技术介绍
1、半导体封装件的技术开发的近期趋势是要减小半导体封装件的尺寸。因此，在封装
，对小尺寸半导体封装件的需求迅速增长。然而，由于电子产品需要多功能和大容量的数据处理，因此用于电子产品的半导体封装结构需要包括高度集成的多个半导体芯片并且具有更小的尺寸。
2、图1示出了现有技术中的半导体封装结构的翘曲的示意图。通常，半导体封装结构会因受热而发生翘曲。具体地，半导体封装结构的基底和设置在基底上的多个芯片会由于组成它们的层的热膨胀系数(cte)之间的不匹配而发生翘曲。具体地，基底的其上未设置有芯片的边缘区域的翘曲程度通常比基底的其上设置有芯片的中心区域的翘曲程度更为严重。因此，基底的边缘区域的翘曲通常会加重基底在模塑后的整体翘曲。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供了一种半导体封装结构，所述半导体封装结构通过调节基底的边缘区域的模塑层的厚度来控制基底的翘曲程度，从而减小或防止半导体封装结构在模塑之后发生翘曲。
2、本公开的一方面，提供了一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：基底，包括在竖直方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁；多个芯片，在基底的第一表面上设置在基底的中心区域中；以及模塑层，包括第一模塑部和第二模塑部，第一模塑部设置在基底的中心区域上并覆盖所述多个芯片，第二模塑部设置在基底的边缘区域处并夹持基底，其中，第二模
3、在一个或更多个实施例中，所述半导体封装结构还可以包括在边缘区域处贯穿基底的通孔。连接部可以形成在通孔中。
4、在一个或更多个实施例中，连接部可以覆盖基底的侧壁。
5、在一个或更多个实施例中，第一模塑部可以与第二模塑部的上部、下部和连接部一体地形成。
6、在一个或更多个实施例中，第一模塑部可以具有第三厚度，并且第三厚度可以大于第一厚度。
7、在一个或更多个实施例中，上部可以具有第一长度，下部可以具有第二长度，并且第一长度可以小于第二长度。
8、在一个或更多个实施例中，连接部的宽度可以小于第一厚度和第二厚度。
9、在一个或更多个实施例中，连接部的宽度可以等于或大于第一厚度和第二厚度。
10、在一个或更多个实施例中，连接部在竖直方向上可以位于第一模塑部的外侧表面的外部。
11、在一个或更多个实施例中，基底可以是晶圆或印刷电路板。
12、本公开的另一方面，提供了一种半导体模塑系统，所述半导体模塑系统包括：模具，包括在竖直方向上彼此相对的上模具和下模具，上模具和下模具闭合以形成腔；以及半导体封装结构，位于模具的腔中。模具还包括设置在上模具的边框处的上部型腔、设置在下模具的边框处的下部型腔以及设置在模具的侧壁上的注入口。半导体封装结构包括：基底，包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁；多个芯片，在基底的第一表面上设置在基底的中心区域中；以及模塑层，包括第一模塑部和第二模塑部，第一模塑部设置在基底的中心区域上并覆盖所述多个芯片，第二模塑部设置在基底的边缘区域处并夹持基底。第二模塑部包括设置在基底的第一表面上并连接到第一模塑部的上部、设置在基底的第二表面上的下部以及将上部连接到下部的连接部。上部型腔和下部型腔在竖直方向上与基底的边缘区域叠置。上部型腔和下部型腔中的每个被构造成在竖直方向上可移动以将上部和下部分别形成为具有第一厚度和第二厚度，第一厚度和第二厚度控制基底的翘曲程度。
13、在一个或更多个实施例中，所述半导体封装结构还可以包括在边缘区域处贯穿基底的通孔。连接部可以形成在通孔中。
14、在一个或更多个实施例中，连接部可以在上模具和下模具的内侧表面与基底的侧壁之间延伸以覆盖基底的侧壁。
15、在一个或更多个实施例中，第一模塑部可以与第二模塑部的上部、下部和连接部在模具的腔中一体地形成。
16、在一个或更多个实施例中，第一模塑部可以具有第三厚度，第三厚度可以大于第一厚度。上部型腔可以接触第一模塑部的侧表面的上部和第二模塑部的上部的上表面，并且下部型腔可以接触第二模塑部的下部的下表面。
17、本公开的另一方面，提供了一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：将基底放入模具中，其中，基底包括在竖直方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁，所述多个芯片在基底的第一表面上设置在基底的中心区域中；将模具的上模具和下模具在竖直方向上闭合以形成腔，使得基底容纳在腔中；沿竖直方向分别移动设置在上模具的边框处的上部型腔和设置在下模具的边框处的下部型腔，使得上部型腔和下部型腔被调节为分别距基底的边缘区域具有第一距离和第二距离；通过注入口将模塑材料注入到腔中；以及使模塑材料固化以形成模塑层。模塑层包括第一模塑部和第二模塑部，第一模塑部设置在基底的中心区域上并覆盖所述多个芯片，第二模塑部设置在基底的边缘区域处并夹持基底。第二模塑部包括：上部，设置在基底的第一表面上并连接到第一模塑部；下部，设置在基底的第二表面上；以及连接部，将上部连接到下部。上部具有由第一距离形成的第一厚度，下部具有由第二距离形成的第二厚度，第一厚度和第二厚度中的每个被构造成控制基底的翘曲程度。
18、在一个或更多个实施例中，所述半导体封装结构还可以包括在边缘区域处贯穿基底的通孔。在注入模塑材料的步骤中，模塑材料通过通孔流到基底与下部型腔之间，以形成具有第二厚度的下部和位于通孔中的连接部。
19、在一个或更多个实施例中，上模具和下模具的内侧表面可以在水平方向上与基底的侧壁间隔开以形成空间。在注入所述模塑材料的步骤中，模塑材料通过所述空间流到基底与下部型腔之间，以形成具有第二厚度的下部和覆盖基底的侧壁的连接部。
20、在一个或更多个实施例中，第二模塑部的上部、下部和连接部可以具有一体地形成的i形形状。
21、在一个或更多个实施例中，第二模塑部的上部、下部和连接部可以具有一体地形成的c形形状。
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1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述连接部覆盖所述基底的所述侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一模塑部与所述第二模塑部的所述上部、所述下部和所述连接部一体地形成。
5.一种半导体模塑系统，所述半导体模塑系统包括：
6.根据权利要求5所述的半导体模塑系统，其中，所述半导体封装结构还包括：
7.根据权利要求5所述的半导体模塑系统，其中，所述连接部在所述上模具和所述下模具的内侧表面与所述基底的所述侧壁之间延伸以覆盖所述基底的所述侧壁。
8.一种半导体封装方法，所述半导体封装方法包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装方法，其中，所述基底还包括：
10.根据权利要求8所述的半导体封装方法，其中，所述上模具和所述下模具的内侧表面在水平方向上与所述基底的所述侧壁间隔开以形成空间，
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述连接部覆盖所述基底的所述侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述第一模塑部与所述第二模塑部的所述上部、所述下部和所述连接部一体地形成。
5.一种半导体模塑系统，所述半导体模塑系统包括：
6.根据权利要求5所述的半导体模塑系统，...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈鹏，
申请(专利权)人：三星半导体中国研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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