【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，具体地说是一种硅光桥埋入基板的封装方法及封装结构。
技术介绍
1、高性能计算、人工智能、5g 通信、数据中心和云计算的快速发展使芯片之间的传输要求越来越高，现有的技术主要通过线宽、线间距及路径的方式来满足电子的传输，一般都会采用中介层作为重要的连接结构，典型的为硅或者玻璃转接板。但是，由于电子的传输与能耗问题，无法满足集成电路微电子器件的进一步微缩化的要求。
技术实现思路
1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种硅光桥埋入基板的封装方法及封装结构。
2、为实现上述目的，设计一种硅光桥埋入基板的封装方法，包括如下步骤：
3、s1，对基板一端开凹槽；
4、s2，对硅光桥芯片进行减薄，并在硅光桥芯片背面贴上daf膜，然后进行划片，分离成单个芯片；
5、s3，在硅光桥芯片正面设置对位标记，接着将硅光桥芯片背面贴在基板的凹槽内；
6、s4，在基板正面进行真空压膜，填充凹槽与硅光桥芯片的间隙并对其图形化，露出基板的焊盘及硅光桥芯片感光区；
7、s5，将硅光芯片倒装封装到基板上，利用硅光桥芯片上的对位标记，使得硅光芯片感应层与硅光桥芯片感应层对齐；
8、s6，在硅光芯片与硅光桥芯片的间隙处点透明胶，将间隙填充；
9、s7，塑封并减薄至相应厚度；
10、s8，植球、划片，得到封装结构；
11、所述的硅光芯片接受外界的光信号，光信号传输至硅光桥芯片后，再通过
12、所述的步骤s1中采用激光凹槽技术。
13、所述的步骤s4中的图形化包括曝光、显影及固化工艺。
14、所述的步骤s5中的硅光芯片的数量为2个，2个硅光芯片分别位于硅光桥芯片的左右两侧。
15、为实现上述目的，设计一种硅光桥埋入基板的封装结构，包括基板，所述的基板一端设有凹槽，凹槽内设有硅光桥芯片，位于硅光桥芯片一端的左右两侧分别设有硅光芯片，硅光芯片感光区与硅光桥芯片感光区对齐，硅光芯片通过焊球与基板电连接。
16、所述的硅光桥芯片通过daf膜贴附在凹槽内。
17、所述的硅光芯片与硅光桥芯片之间的间隙通过透明胶填充。
18、所述的基板另一端连接焊球二。
19、所述的硅光芯片外侧设有塑封层。
20、本专利技术同现有技术相比，利用光子来替代电子处理并传输信息，大大提升了芯片间的传输速率，减低了传输能耗。
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1.一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤S1中采用激光凹槽技术。
3.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤S4中的图形化包括曝光、显影及固化工艺。
4.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤S5中的硅光芯片（4）的数量为2个，2个硅光芯片（4）分别位于硅光桥芯片（3）的左右两侧。
5.一种硅光桥埋入基板的封装结构，包括基板，其特征在于：所述的基板（1）一端设有凹槽（2），凹槽内设有硅光桥芯片（3），位于硅光桥芯片（3）一端的左右两侧分别设有硅光芯片（4），硅光芯片感光区（4-1）与硅光桥芯片感光区（3-1）对齐，硅光芯片（4）通过焊球一（6）与基板（1）电连接。
6.根据权利要求5所述的一种硅光桥埋入基板的封装结构，其特征在于：所述的硅光桥芯片（3）通过DAF膜贴附在凹槽（2）内。
7.根据权利要求5所述的一种硅光桥埋入基板的封装结构，其特征在
8.根据权利要求5所述的一种硅光桥埋入基板的封装结构，其特征在于：所述的基板（1）另一端连接焊球二（8）。
9.根据权利要求5所述的一种硅光桥埋入基板的封装结构，其特征在于：所述的硅光芯片（4）外侧设有塑封层（7）。
...【技术特征摘要】
1.一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤s1中采用激光凹槽技术。
3.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤s4中的图形化包括曝光、显影及固化工艺。
4.根据权利要求1所述的一种硅光桥埋入基板的封装方法，其特征在于：所述的步骤s5中的硅光芯片（4）的数量为2个，2个硅光芯片（4）分别位于硅光桥芯片（3）的左右两侧。
5.一种硅光桥埋入基板的封装结构，包括基板，其特征在于：所述的基板（1）一端设有凹槽（2），凹槽内设有硅光桥芯片（3），位于硅光桥芯片（3）一端的左右两侧分别...
【专利技术属性】
技术研发人员：范俊，陈之文，宁文果，邵滋人，付永朝，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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