【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及一种静电离子阱及其操作方法。更特别地但非排他地，本说明书涉及一种操作静电离子阱的方法、一种操作质谱仪的方法、一种计算机可读介质、一种计算机程序、一种系统、一种静电离子阱、一种质谱仪、另一种质谱仪、另一种计算机程序和另一种系统。本公开的非排他性目的是提供操作静电离子阱的改进的方法、操作质谱仪的改进的方法、改进的静电离子阱和改进的质谱仪。
技术介绍
1、已知操作作为电荷检测质谱仪的一部分的静电离子阱以确定离子质荷比、离子电荷和离子质量。
技术实现思路
1、提供了一种操作静电离子阱的方法，该静电离子阱包括多个电极，
2、该方法包括将该多个电极的电压设置为第一电压图，
3、其中该电压图被配置为使得：
4、在第一离子每单位电荷动能(ke)范围处，超过第一百分比的离子是稳定的，在第二离子ke范围处，小于第二百分比的离子是稳定的，并且
5、在第三离子ke范围处，超过该第一百分比的离子是稳定的，
6、其中该第一百分比是该第二百分比的至少四倍，
7、并且其中该第二离子ke范围在该第一离子ke范围和该第三离子ke范围之间。
8、该第一百分比可以是至少：1％；或者5％；或者10％；20％；或者30％；或者40％；或者50％；或者60％；或者70％；或者80％；或者90％；或者95％；或者96％；或者97％；或者98％；或者99％；或者99.5％；或者99.9％；或者99.99％。
9、该第一百分比
10、该方法还可包括以第一离子ke将第一离子引入到该静电离子阱中。
11、该方法还可包括获得指示该第一离子的第一cdms数据。
12、该第一离子可通过离子能量过滤器被引入到该静电离子阱中，该离子能量过滤器具有对应于该第一离子ke范围的第一接受离子ke范围和/或对应于该第三离子ke范围的第二接受离子ke范围。
13、该第一离子可以是已知质荷比和/或离子质量和/或离子电荷的参考离子。
14、该第一离子ke可在该第一离子ke范围或该第三离子ke范围内。
15、该方法还可包括将该第一电压图改变为第二电压图，使得该第一离子ke改变为第一调整离子ke。该第一调整离子ke可在该第一离子ke范围或该第三离子ke范围内。
16、该方法还可包括获得指示该第一调整离子ke的第二cdms数据。
17、该第一离子可从第一离子源引入到该静电离子阱中。
18、该方法还可包括以第二离子ke将第二离子引入到该静电离子阱中。
19、该方法还可包括获得同时指示该第一离子和该第二离子的第三cdms数据。该方法还可包括获得依次指示该第一离子和该第二离子的第三cdms数据。
20、该第二离子可通过该离子能量过滤器被引入到该静电离子阱中，该离子能量过滤器具有对应于该第一离子ke范围的该第一接受离子ke范围和/或对应于该第三离子ke范围的该第二接受离子ke范围。
21、该第二离子可以是已知质荷比和/或离子质量和/或离子电荷的参考离子。
22、该第二离子ke可在该第一离子ke范围或该第三离子ke范围内。
23、该第一离子ke可在该第一离子ke范围内，并且该第二离子ke可在该第三离子ke范围内。
24、该第一离子ke可在该第三离子ke范围内，并且该第二离子ke可在该第一离子ke范围内。
25、该方法还可包括将该第一电压图改变为该第二电压图，使得该第一离子ke改变为该第一调整离子ke，并且/或者该第二离子ke改变为第二调整离子ke。该第一调整离子ke可在该第一离子ke范围或该第三离子ke范围内，并且/或者该第二调整离子ke可在该第一离子ke范围或该第三离子ke范围内。
26、该方法还可包括获得同时指示该第一调整离子ke和该第二调整离子ke的第四cdms数据。该方法还可包括获得依次指示该第一调整离子ke和该第二调整离子ke的第四cdms数据。
27、该静电离子阱可具有第一端和第二端。
28、该方法还可包括将该第一离子引入到该静电离子阱中，然后当该第一离子位于该静电离子阱的该第一端处时，在该第二端处将该第二离子引入到该静电离子阱中。
29、该方法还可包括将该第一离子引入到该静电离子阱中，然后当该第一离子位于该静电离子阱的该第二端处时，在该第一端处将该第二离子引入到该静电离子阱中。
30、该第一离子可从第一离子源引入到该静电离子阱中，并且/或者该第二离子可从第二离子源引入。
31、还提供了一种操作质谱仪的方法，该方法包括如上所述的操作静电离子阱的方法。
32、还提供了一种其上存储有指令的计算机可读介质，该指令当由处理器执行时，使得执行如上所述的操作静电离子阱的方法。
33、还提供了一种包括指令的计算机程序，该指令当由处理器执行时，使得执行如上所述的操作静电离子阱的方法。
34、还提供了一种系统，该系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中该计算机可读介质上存储有指令，该指令当由该至少一个处理器执行时，使得该系统执行如上所述的操作静电离子阱的方法。
35、该系统可包括处理器和计算机可读介质。该计算机可读介质可被配置为存储用于由该处理器执行的指令。该处理器可包括多个子处理器，该多个子处理器可被配置为一起工作(例如，彼此并行地工作)以执行指令。子处理器可在地理上和/或物理上彼此分离，并且可通信地耦合以实现指令的协调执行。
36、还提供了一种静电离子阱，该静电离子阱包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中该计算机可读介质上存储有指令，该指令当由该至少一个处理器执行时，使得该静电离子阱执行如上所述的操作静电离子阱的方法。
37、该静电离子阱可包括处理器和计算机可读介质。该计算机可读介质可被配置为存储用于由该处理器执行的指令。该处理器可包括多个子处理器，该多个子处理器可被配置为一起工作(例如，彼此并行地工作)以执行指令。子处理器可在地理上和/或物理上彼此分离，并且可通信地耦合以实现指令的协调执行。
38、还提供了一种质谱仪系统，该质谱仪系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中该计算机可读介质上存储有指令，该指令当由该至少一个处理器执行时，使得该质谱仪系统执行如上所述的操作静电离子阱的方法。
39、还提供了另一种质谱仪系统，该另一种质谱仪系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中该计算机可读介质上存储有指令，该指令当由该至少一个处理器执行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种操作静电离子阱的方法，所述静电离子阱包括多个电极，
2.根据任一前述权利要求所述的操作静电离子阱的方法，
3.根据权利要求1或2所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括以第一离子KE将第一离子引入到所述静电离子阱中。
4.根据权利要求3所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括获得指示所述第一离子的第一CDMS数据。
5.根据权利要求3或4所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子通过离子能量过滤器被引入到所述静电离子阱中，所述离子能量过滤器具有对应于所述第一离子KE范围的第一接受离子KE范围和/或对应于所述第三离子KE范围的第二接受离子KE范围。
6.根据权利要求3、4或5所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子是已知质荷比和/或离子质量和/或离子电荷的参考离子。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子KE在所述第一离子KE范围或所述第三离子KE范围内。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括将所述
9.根据权利要求8所述的操作静电离子阱的方法，所述方法还包括获得指示所述第一调整离子KE的第二CDMS数据。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子从第一离子源引入到所述静电离子阱中。
11.根据权利要求3至10中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括以第二离子KE将第二离子引入到所述静电离子阱中。
12.根据权利要求11所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括获得同时指示所述第一离子和所述第二离子的第三CDMS数据。
13.根据权利要求11或12所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第二离子通过所述离子能量过滤器被引入到所述静电离子阱中，所述离子能量过滤器具有对应于所述第一离子KE范围的所述第一接受离子KE范围和/或对应于所述第三离子KE范围的所述第二接受离子KE范围。
14.根据权利要求11、12或13所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第二离子是已知质荷比和/或离子质量和/或离子电荷的参考离子。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第二离子KE在所述第一离子KE范围或所述第三离子KE范围内。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的操作静电离子阱的方法，
17.根据权利要求11至16中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括将所述第一电压图改变为所述第二电压图，使得所述第一离子KE改变为所述第一调整离子KE，并且/或者所述第二离子KE改变为第二调整离子KE，并且任选地，其中所述第一调整离子KE在所述第一离子KE范围或所述第三离子KE范围内，并且/或者所述第二调整离子KE在所述第一离子KE范围或所述第三离子KE范围内。
18.根据权利要求17所述的操作静电离子阱的方法，所述方法还包括获得同时指示所述第一调整离子KE和所述第二调整离子KE的第四CDMS数据。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述静电离子阱具有第一端和第二端，并且其中所述方法还包括：
20.一种操作质谱仪的方法，所述方法包括根据任一前述权利要求所述的操作静电离子阱的方法。
21.一种其上存储有指令的计算机可读介质，所述指令当由处理器执行时，使得执行根据任一前述权利要求所述的方法。
22.一种包括指令的计算机程序，所述指令当由处理器执行时，使得执行根据权利要求1至20中任一项所述的方法。
23.一种系统，所述系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中所述计算机可读介质上存储有指令，所述指令当由所述至少一个处理器执行时，使得所述系统执行根据权利要求1至20中任一项所述的方法。
24.一种静电离子阱系统，所述静电离子阱系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中所述计算机可读介质上存储有指令，所述指令当由所述至少一个处理器执行时，使得所述静电离子阱系统执行根据权利要求1至19中任一项所述的方法。
25.一种质谱仪系统，所述质谱仪系统包括至少一个处理器以及计算机可读介质，其中所述计算机可读介质上存储有指令，所述指令当由所述至少一个处理器执行时，使得所述质谱仪系统执行根据权利要求1至20中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种操作静电离子阱的方法，所述静电离子阱包括多个电极，
2.根据任一前述权利要求所述的操作静电离子阱的方法，
3.根据权利要求1或2所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括以第一离子ke将第一离子引入到所述静电离子阱中。
4.根据权利要求3所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括获得指示所述第一离子的第一cdms数据。
5.根据权利要求3或4所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子通过离子能量过滤器被引入到所述静电离子阱中，所述离子能量过滤器具有对应于所述第一离子ke范围的第一接受离子ke范围和/或对应于所述第三离子ke范围的第二接受离子ke范围。
6.根据权利要求3、4或5所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子是已知质荷比和/或离子质量和/或离子电荷的参考离子。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子ke在所述第一离子ke范围或所述第三离子ke范围内。
8.根据权利要求3至7中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括将所述第一电压图改变为第二电压图，使得所述第一离子ke改变为第一调整离子ke，并且任选地，其中所述第一调整离子ke在所述第一离子ke范围或所述第三离子ke范围内。
9.根据权利要求8所述的操作静电离子阱的方法，所述方法还包括获得指示所述第一调整离子ke的第二cdms数据。
10.根据权利要求3至9中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第一离子从第一离子源引入到所述静电离子阱中。
11.根据权利要求3至10中任一项所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括以第二离子ke将第二离子引入到所述静电离子阱中。
12.根据权利要求11所述的操作静电离子阱的方法，其中所述方法还包括获得同时指示所述第一离子和所述第二离子的第三cdms数据。
13.根据权利要求11或12所述的操作静电离子阱的方法，其中所述第二离子通过所述离子能量过滤器被引入到所述静电离子阱中，所述离子能量过滤器具有对应于所述第一离子ke范围的所述第一接受离子ke范围和/或对应于所述第三离子ke范围的所述第二接受离子ke范围。
14.根据权利要求11、12或13所述的操作...
【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·兰格里奇，基思·理查森，
申请(专利权)人：英国质谱公司，
类型：发明
国别省市：
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