【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，特别涉及一种温度监控晶圆、晶圆退火工艺的温度监控方法、晶圆退火工艺的温度监控装置。
技术介绍
1、半导体制作中经常会用到高温退火工艺(例如快速热退火(rapid thermalprocess，简称rtp)等)，温度是高温退火工艺中重要的指标，如果不及时监控退火工艺实际工作温度是否满足设定温度的精度要求，当温度出现大的偏差时，会造成整管产品电学参数的失效，从而造成成品率的降低。为确保机台工艺稳定以及确保器件热处理温度无异常，日常测机需要对高温退火工艺实际温度进行监控，例如通常需要使用温度监控晶圆确认例如一些快速热退火的新机台的温控匹配基线(match baseline)水平。
2、然而目前的温度监控晶圆对于一些较低温度范围(低于800℃的退火温度)难以有效监控工艺腔实际退火温度变化情况。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、为了解决上述问题而提出了本专利技术。根据本专利技术一方面，提供了一种温度监控晶圆，包括：基底晶圆；外延层，形成在所述基底晶圆的表面；金属层，覆盖所述外延层的表面，经过热退火后，所述金属层能够与所述外延层反应形成金属硅化物。
3、在本专利技术的一个实施例中，所述金属层的厚度范围为
...【技术保护点】
1.一种温度监控晶圆，其特征在于，应用于监测热退火设备的温度，包括：
2.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述金属层的厚度范围为
3.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述金属层包括以下膜层中的至少一种：钛层、镍层、钛层和镍层的合金。
4.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述外延层的厚度范围为3um-5um。
5.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述外延层为半导体材料，所述半导体材料包括硅。
6.如权利要求1至5中任一项所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述温度监控晶圆适于监测范围为630℃-730℃的热退火温度。
7.一种温度监控晶圆，其特征在于，应用于监测热退火设备的温度，包括：
8.一种晶圆退火工艺的温度监控方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的温度监控方法，其特征在于，所述晶圆退火设备的设定温度范围为630℃-730℃。
10.一种晶圆退火工艺的温度监控装置，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种温度监控晶圆，其特征在于，应用于监测热退火设备的温度，包括：
2.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述金属层的厚度范围为
3.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述金属层包括以下膜层中的至少一种：钛层、镍层、钛层和镍层的合金。
4.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述外延层的厚度范围为3um-5um。
5.如权利要求1所述的温度监控晶圆，其特征在于，所述外延层为半导体材料，所述半导体材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹维明，金熠，刘鹏，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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