System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种带背光监测的光组件制造技术_技高网

一种带背光监测的光组件制造技术

技术编号:42399300 阅读:15 留言:0更新日期:2024-08-16 16:21
一种带背光监测的光组件,所述光组件包括VCSEL芯片、PEI LENS和MPD,所述PEI LENS包括一个反射/折射面和一个第一反射面,所述反射/折射面位于VCSEL芯片的出光方向,所述第一反射面位于反射/折射面的折射光束出光方向,所述VCSEL芯片的出射光束入射到所述PEI LENS的反射/折射面,经过所述反射/折射面后被分为反射光束和折射光束,所述反射光束入射到MPD上形成监控电流,所述折射光束入射到所述PEI LENS的第一反射面,并经所述第一反射面反射后入射到Fiber侧的LENS上,经过聚焦后进入光纤内部。本发明专利技术不增加额外的如分光片等部件,可降低封装成本,降低工序复杂度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光组件领域,具体涉及一种带背光监测的光组件


技术介绍

1、随着ai技术对数据通讯容量的需求急剧增加,短距离和大容量的数据中心得到广泛的建设,超级计算机、路由器和交换机的更新换代已经成不势不可挡的趋势,人们对带宽和端口密度加强的需求日益增加。基于多模光纤的850nm vcsel多通道光互连,具有功耗低、成本低、重量轻、集成度高等优点,已经被大批量应用,未来这类模块产品的需求量会越来越大。带背光监控功能、实时上报出光功率、稳定设备运行以及及时排除故障的模块深受广大用户爱戴。然而研发一款高性价比的带背光监控模块,已经成为业界占领市场的关键牌。

2、但vcsel是面发射激光器,不像边发射激光器本身具有背光,需要设计人员从前光分出一部分,引至mpd。当前主流的分光方案包括:

3、方案1:在vcsel上方增加1pcs倾斜的分光片,将出射光反射一部分至mpd形成背光电流。该方案的缺点是分光片的引入会增加vcsel的工作距离,而多通道光模块基于na0.25的vcsel阵列最大工作距离不能超过0.4mm,这将限制结构设计空间,增加耦合过程中键合金线压塌的风险。

4、方案2:在pei lens上面增加三个空气反射面,将反射光引导到mpd上。该方案的缺点是vcsel及mpd耦合光路整体光程较长,tx光路总体耦合效率偏低,光程的增加也将导致lens的耦合角度容差变小。


技术实现思路

1、鉴于现有技术中存在的技术缺陷和技术弊端,本专利技术实施例提供克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种带背光监测的光组件,具体方案如下:

2、一种带背光监测的光组件,所述光组件包括vcsel芯片、pei lens和mpd,所述peilens包括一个反射/折射面和一个第一反射面,所述反射/折射面位于vcsel芯片的出光方向,所述第一反射面位于反射/折射面的折射光束出光方向,所述vcsel芯片的出射光束入射到所述pei lens的反射/折射面,经过所述反射/折射面后被分为反射光束和折射光束,所述反射光束入射到mpd上形成监控电流,所述折射光束入射到所述pei lens的第一反射面,并经所述第一反射面反射后入射到fiber侧的lens上,经过聚焦后进入光纤内部。

3、进一步地,所述vcsel芯片为背发光微透镜集成vcsel芯片。

4、进一步地,所述背发光微透镜集成vcsel芯片包括微透镜,所述微透镜用于降低vcsel出射光束发散角,并将光束调节到准直状态。

5、进一步地,所述微透镜为通过光蚀刻技术,在vcsel衬底上刻蚀出的微透镜。

6、进一步地,所述mpd位于vcsel芯片一侧,且正对反射/折射面的反射光束出光方向。

7、进一步地,所述pei lens还包括一个第二反射面,所述反射/折射面出射的折射光束经过所述第二反射面后入射到mpd上。

8、进一步地,所述pei lens设置有用于耦合定位的特征点,vcsel与pei lens耦合前,通过识别所述特征点进行pei lens耦合初定位。

9、进一步地,所述特征点为球面特征凸点。

10、进一步地,所述反射/折射面为在pei lens上加工的非球面透镜镶件。

11、本专利技术具有以下有益效果:

12、1、光程短,tx耦合效率高,减少光程引起的吸收损耗。

13、2、pei lens只需要加工一套非球面透镜镶件,可降低lens注塑模具开模成本。

14、3、采用的背发光微透镜集成vcsel芯片比顶部发光的方式具有更加优秀的光学集成特性,更便于量产集成,微透镜可通过光蚀刻技术,在衬底上刻蚀出微透镜单元的形状,可完全沿用硅透镜半导体加工工艺,具备成本低量产性好的优点;

15、4、不增加额外的如分光片等部件,可降低封装成本,降低工序复杂度。

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【技术保护点】

1.一种带背光监测的光组件,其特征在于,所述光组件包括VCSEL芯片、PEI LENS和MPD,所述PEI LENS包括一个反射/折射面和一个第一反射面,所述反射/折射面位于VCSEL芯片的出光方向,所述第一反射面位于反射/折射面的折射光束出光方向,所述VCSEL芯片的出射光束入射到所述PEI LENS的反射/折射面,经过所述反射/折射面后被分为反射光束和折射光束,所述反射光束入射到MPD上形成监控电流,所述折射光束入射到所述PEI LENS的第一反射面,并经所述第一反射面反射后入射到Fiber侧的LENS上,经过聚焦后进入光纤内部。

2.根据权利要求1所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述VCSEL芯片为背发光微透镜集成VCSEL芯片。

3.根据权利要求2所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述背发光微透镜集成VCSEL芯片包括微透镜,所述微透镜用于降低VCSEL出射光束发散角,并将光束调节到准直状态。

4.根据权利要求3所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述微透镜为通过光蚀刻技术,在VCSEL衬底上刻蚀出的微透镜。

5.根据权利要求1所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述MPD位于VCSEL芯片一侧,且正对反射/折射面的反射光束出光方向。

6.根据权利要求1所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述PEI LENS还包括一个第二反射面,所述反射/折射面出射的折射光束经过所述第二反射面后入射到MPD上。

7.根据权利要求1所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述PEI LENS设置有用于耦合定位的特征点,VCSEL与PEI LENS耦合前,通过识别所述特征点进行PEI LENS耦合初定位。

8.根据权利要求6所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述特征点为球面特征凸点。

9.根据权利要求6所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述反射/折射面为在PEILENS上加工的非球面透镜镶件。

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【技术特征摘要】

1.一种带背光监测的光组件,其特征在于,所述光组件包括vcsel芯片、pei lens和mpd,所述pei lens包括一个反射/折射面和一个第一反射面,所述反射/折射面位于vcsel芯片的出光方向,所述第一反射面位于反射/折射面的折射光束出光方向,所述vcsel芯片的出射光束入射到所述pei lens的反射/折射面,经过所述反射/折射面后被分为反射光束和折射光束,所述反射光束入射到mpd上形成监控电流,所述折射光束入射到所述pei lens的第一反射面,并经所述第一反射面反射后入射到fiber侧的lens上,经过聚焦后进入光纤内部。

2.根据权利要求1所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述vcsel芯片为背发光微透镜集成vcsel芯片。

3.根据权利要求2所述的带背光监测的光组件,其特征在于,所述背发光微透镜集成vcsel芯片包括微透镜,所述微透镜用于降低vcsel出射光束发散角,并将光束调节到准直状态。

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【专利技术属性】
技术研发人员:韩强盛许其建
申请(专利权)人:武汉华工正源光子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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