【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及能够适用于超lsi(large scaleintegration，大规模集成电路)及高容量微芯片的制造工序、纳米压印模具制作工序以及高密度信息记录介质的制造工序等的超光刻工序、以及适合用于其他感光蚀刻加工工序的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用上述感光化射线性或感放射线性组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
技术介绍
1、以往，在ic(integrated circuit，集成电路)、lsi等半导体器件的制造工序中，通过使用抗蚀剂组合物的光刻术进行微细加工。近年来，随着集成电路的高集成化，要求形成亚微米区域或四分之一微米区域的超微细图案。伴随于此，曝光波长亦从g射线向i射线、进而向krf准分子激光等这样呈现短波长化的趋势，目前已开发出以具有193nm波长的arf准分子激光作为光源的曝光机。另外，作为进一步提高分辨力的技术，一直以来就在开发在投影透镜与试样之间充满高折射率的液体(以下，也称为“浸渍液”)的所谓液浸法。
2、另外，近年来，除了准分子激光之外，也在开发使用了电子束(eb)、x射线、及极紫外线(euv)等的光刻术。伴随于此，已开发出有效地感应各种放射线、并且灵敏度及分辨率优异的化学增幅型抗蚀剂组合物。
3、抗蚀剂组合物等的感光化射线性或感放射线性树脂组合物中经常使用鎓盐。例如，专利文献1～9中记载了包含具有含氟原子的基团的锍盐的抗蚀剂组合物。
4
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2019-182861号公报
7、专利文献2：日本特开2019-182860号公报
8、专利文献3：日本特开2020-180119号公报
9、专利文献4：日本特开2020-180118号公报
10、专利文献5：日本特开2020-180122号公报
11、专利文献6：日本特开2020-180121号公报
12、专利文献7：日本特开2020-91376号公报
13、专利文献8：日本特开2020-91374号公报
14、专利文献9：日本特开2021-71720号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、近年来，所形成的图案的微细化不断发展，要求一种例如在形成线宽为16nm以下的1∶1线与空间图案等的极微细的图案时的线宽粗糙度(line width roughness：lwr)性能及分辨率优异的抗蚀剂组合物。所谓lwr性能是指可降低图案的lwr的性能。
3、本专利技术的课题在于提供一种在形成极微细的图案(例如，线宽为16nm以下的1∶1线与空间图案等)时的lwr性能及分辨率优异的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。
4、另外，本专利技术的课题在于提供一种使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
5、用于解决技术课题的手段
6、本专利技术人等发现通过以下的构成能够解决上述课题。
7、[1]
8、一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有具有阴离子及由下述通式(n1)表示的阳离子的化合物(n)和通过酸的作用分解而极性增大的树脂(a)。
9、[化学式1]
10、
11、通式(n1)中，
12、rn1、rn2及rn3分别独立地表示卤代烷基或卤素原子。其中，rn1、rn2及rn3中的至少一个表示卤代烷基，并且，至少一个表示卤素原子。
13、k1表示2～5的整数。
14、k2及k3分别独立地表示1～5的整数。
15、存在多个的rn1可以相同也可以不同。
16、存在多个rn2时，多个rn2可以相同也可以不同。
17、存在多个rn3时，多个rn3可以相同也可以不同。
18、其中，
19、若k1表示2，两个rn1都在间位，k2表示2，两个rn2都在间位，并且，k3表示1，则rn3在邻位。
20、若k1表示2，两个rn1都在间位，k2表示2，两个rn2都在间位，并且，k3表示2，则两个rn3不同时在间位。
21、若k1表示2，两个rn1都在间位，k2表示1，rn2在对位，并且，k3表示1，则rn3在邻位或间位。
22、若k1表示3，两个rn1在间位，一个rn1在对位，k2表示1，rn2在对位，并且，k3表示1，则rn3在邻位或间位。
23、若k1表示2，两个rn1都在邻位，k2表示2，两个rn2都在邻位，并且，k3表示1，则rn3在邻位。
24、rn4、rn5及rn6分别独立地表示取代基。其中，rn4、rn5及rn6不表示卤素原子及卤代烷基。
25、存在多个rn4时，多个rn4可以相同也可以不同。
26、存在多个rn5时，多个rn5可以相同也可以不同。
27、存在多个rn6时，多个rn6可以相同也可以不同。
28、k4表示0～3的整数。
29、k5及k6分别独立地表示0～4的整数。
30、通式(n1)中的至少两个芳香环可以通过单键或连接基团键结。
31、[2]
32、根据[1]所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其满足下述条件1及2中的至少一个。
33、条件1：k1表示2～4的整数，在rn1所键结的芳香环中，一个间位有rn1，并且，另一个间位没有rn1。
34、条件2：k2及k3分别独立地表示2～4的整数，在rn2所键结的芳香环中，一个间位有rn2，另一个间位没有rn2，并且，在rn3所键结的芳香环中，一个间位有rn3，另一个间位没有rn3。
35、[3]
36、根据[1]或[2]所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由上述通式(n1)表示的阳离子为由下述通式(n2)表示的阳离子。
37、[化学式2]
38、
39、通式(n2)中的rn1、rn2、rn3、rn4、rn5、rn6、k2、k3、k4、k5及k6分别表示与通式(n1)中的rn1、rn2、rn3、rn4、rn5、rn6、k2、k3、k4、k5及k6相同含义。
40、通式(n2)中的至少两个芳香环可以通过单键或连接基团键结。
41、[4]
42、根据[1]～[3]中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由上述通式(n1)表示的阳离子为由下述通式(n3)表示的阳离子。
43、[化学式3]
44、
45、通式(n3)中的rn1、rn2、rn3、rn4、rn5、rn6及k4分别表示与通式(n1)中的rn本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有具有阴离子及由下述通式(N1)表示的阳离子的化合物(N)和通过酸的作用分解而极性增大的树脂(A)，
2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其满足下述条件1及2中的至少一个，
3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(N1)表示的阳离子为由下述通式(N2)表示的阳离子，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(N1)表示的阳离子为由下述通式(N3)表示的阳离子，
5.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(N1)表示的阳离子为由下述通式(N4)或(N5)表示的阳离子，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，RN1、RN2及RN3所表示的所有卤素原子均为氟原子。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，RN1、RN2及RN3所表示的所有卤代
8.根据权利要求1～7中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，RN1、RN2及RN3所表示的卤代烷基中至少一个的碳数为1～4。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，所述阴离子为具有选自由下述通式(N6)表示的基团、*-SO3-及*-CO2-所组成的组中的至少一者的有机阴离子，
10.一种抗蚀剂膜，其是使用权利要求1～9中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物而形成的。
11.一种图案形成方法，其具有：
12.一种电子器件的制造方法，其包括权利要求11所述的图案形成方法。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其含有具有阴离子及由下述通式(n1)表示的阳离子的化合物(n)和通过酸的作用分解而极性增大的树脂(a)，
2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其满足下述条件1及2中的至少一个，
3.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(n1)表示的阳离子为由下述通式(n2)表示的阳离子，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(n1)表示的阳离子为由下述通式(n3)表示的阳离子，
5.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中，由所述通式(n1)表示的阳离子为由下述通式(n4)或(n5)表示的阳离子，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：涩谷爱菜，上村稔，金子明弘，小岛雅史，后藤研由，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
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