【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电路领域，具体为一种igbt模块击穿保护电路。
技术介绍
1、igbt是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率mosfet的自然进化。mosfet由于实现一个较高的击穿电压bvdss需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率mosfet具有rds(on)数值高的特征，igbt消除了现有功率mosfet的这些主要缺点。虽然最新一代功率mosfet器件大幅度改进了rds(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比igbt高出很多。igbt较低的压降，转换成一个低vce(sat)的能力，以及igbt的结构，与同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化igbt驱动器的原理图。现有的igbt击穿保护电路主要有利用电流互感器检测igbt过流的短路保护电路，当出现过流时，电流互感器检测到的过流信号反应为整流后电压将升高，经一定的延时后，保护电路工作，使igbt降栅压软关断，这种电路应用在一般电路中具有一定的可靠性，但如果在高精度电路中，电子器件排布密集，通过这种方式的保护电路存在延迟，不能很好的保护电路中的电子器件。
技术实现思路
1、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
2、igbt模块击穿保护电路，包括与负载电路电连接的电流传感器sc和三极管v1，所述三极管v1的发射极与电流传感器sc的初级线圈电连接，所述三极管v1的集电极电连接一个二极管vd1，所述二极管vd1的另一端分别电连接一个电阻r1和一个电阻r2，所述电阻r1电连接驱动及
3、进一步，所述驱动及软关断电路电连接一个三极管v2的发射极，三极管v2的基极分别电连接一个电阻r5和一个电容c3，所述电阻r5分别与二极管vd3、三极管v3的基极电连接。
4、进一步，所述电阻rg电连接一个二极管vd2，所述二极管vd2分别电连接一个稳压二极管zd和一个电容c1，所述稳压二极管zd和一个电容c1电连接三极管v3的集电极，所述三极管v3的基极电连一个电阻r4。
5、进一步，所述电流传感器sc的次级线圈经整流桥后电连接一个电容c2，所述电容c2的一端电连接分别电连接一个电阻r8和一个电阻r7，所述电阻r7电连接比较器ic1的正极。
6、进一步，所述电容c2的另一端电连接一个滑变电阻rp1，所述滑变电阻rp1电连接一个电阻r6，所述电阻r6电连接比较器ic1的负极。
7、与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
8、本技术不仅可以通过电流传感器检测短路电流，进行igbt软关断保护，还可以通过限制了igbt峰值电流的幅度，从而输出软关断信号，双重防护，反应迅速，防止电路击穿，适用于高精度电路中，保护电子元件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，包括与负载电路电连接的电流传感器SC和三极管V1，所述三极管V1的发射极与电流传感器SC的初级线圈电连接，所述三极管V1的集电极电连接一个二极管VD1，所述二极管VD1的另一端分别电连接一个电阻R1和一个电阻R2，所述电阻R1电连接驱动及软关断电路，所述电阻R1还电连接一个电阻Rg,所述电阻Rg电连接三极管V1的基极，所述电阻R2分别电连接一个电阻R3和一个二极管VD3，所述二极管VD3电连接一个三极管V3的基极，所述三极管V3的基极还耦接比较器IC1，所述电流传感器的次级线圈耦接比较器IC1。
2.根据权利要求1所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述驱动及软关断电路电连接一个三极管V2的发射极，三极管V2的基极分别电连接一个电阻R5和一个电容C3，所述电阻R5分别与二极管VD3、三极管V3的基极电连接。
3.根据权利要求2所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电阻Rg电连接一个二极管VD2，所述二极管VD2分别电连接一个稳压二极管ZD和一个电容C1，所述稳压二极管ZD和一个电容C1电连接三极管
4.根据权利要求3所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电流传感器SC的次级线圈经整流桥后电连接一个电容C2，所述电容C2的一端电连接分别电连接一个电阻R8和一个电阻R7，所述电阻R7电连接比较器IC1的正极。
5.根据权利要求4所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电容C2的另一端电连接一个滑变电阻RP1，所述滑变电阻RP1电连接一个电阻R6，所述电阻R6电连接比较器IC1的负极。
...【技术特征摘要】
1.igbt模块击穿保护电路，其特征在于，包括与负载电路电连接的电流传感器sc和三极管v1，所述三极管v1的发射极与电流传感器sc的初级线圈电连接，所述三极管v1的集电极电连接一个二极管vd1，所述二极管vd1的另一端分别电连接一个电阻r1和一个电阻r2，所述电阻r1电连接驱动及软关断电路，所述电阻r1还电连接一个电阻rg,所述电阻rg电连接三极管v1的基极，所述电阻r2分别电连接一个电阻r3和一个二极管vd3，所述二极管vd3电连接一个三极管v3的基极，所述三极管v3的基极还耦接比较器ic1，所述电流传感器的次级线圈耦接比较器ic1。
2.根据权利要求1所述的igbt模块击穿保护电路，其特征在于，所述驱动及软关断电路电连接一个三极管v2的发射极，三极管v2的基极分别电连接一个电阻r5和一个电容c3，所述电阻r5分别与...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨权山，邱雨，赵燕霞，
申请(专利权)人：深圳市伟安特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。