【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电转换元件用材料以及使用其的光电转换元件，特别涉及一种有效用于摄像设备的光电转换元件用材料。近年来，正推进使用由有机半导体形成的薄膜的有机电子设备的开发。例如，可例示电场发光元件、太阳电池、晶体管元件、光电转换元件等。特别是，这些中，作为基于有机物的电场发光元件的有机电致发光(electroluminescence，el)元件的开发最先进，在推进在智能手机或电视机(television，tv)等中的应用的同时，继续进行以更高功能化为目标的开发。在光电转换元件中，之前，使用硅等无机半导体的p-n结的元件的开发/实用化得以推进，正进行数码照相机、智能手机用照相机的高功能化研究、在监视用照相机、汽车用传感器等中的应用的研究，作为用以应对这些各种用途的课题，列举有高灵敏度化、像素微细化(高分辨率化)。在使用无机半导体的光电转换元件中，为了获得彩色图像，主要采用在光电转换元件的受光部上配置与作为光的三原色的红绿蓝(red green blue，rgb)对应的彩色滤光片的方式。在所述方式中，由于将rgb的彩色滤光片配置于平面上，因此在入射光的利用效率或分辨率方面存在课题(非专利文献1、非专利文献2)。作为此种光电转换元件的课题的解决方案之一，正进行代替无机半导体而使用有机半导体的光电转换元件的开发(非专利文献1、非专利文献2)。其是利用了有机半导体所具有的可选择性地以高灵敏度仅吸收特定波长区域的光的性质，提出了通过将利用与光的三原色对应的有机半导体而得的光电转换元件进行层叠来解决高灵敏度化、高分辨率化的课题。另外，也提出了将包含有机半导体的光电
技术介绍
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、对于摄像用的光电转换元件，为了推进数码照相机、智能手机用照相机的高功能化、或在监视用照相机、汽车用传感器等中的应用，而进一步的高灵敏度化、高分辨率化成为课题。本专利技术鉴于此种现状，其目的在于提供一种实现摄像用的光电转换元件的高灵敏度化、及高分辨率化的材料及使用其的摄像用的光电转换元件。
3、解决问题的技术手段
4、本专利技术人等人进行了努力研究，结果发现，通过使用具有特定的取代基的噻吩化合物，在光电转换层中通过激子的电荷分离而产生空穴以及电子的过程以及在光电转换元件内空穴与电子的迁移过程有效率地进行，从而完成了本专利技术。
5、本专利技术为一种摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于：包含下述通式(1)或通式(1t)所表示的噻吩衍生物。
6、[化1]
7、
8、此处，a及b分别独立地为氢、经取代或未经取代的碳数6～30的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些芳香族基的2个～4个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，a或b中的至少一个具有下述通式(2)或通式(3)所表示的碳数12以上的缩环结构。
9、l1、l2、l3、l4、l5及l6分别独立地为经取代或未经取代的碳数6～30的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基。
10、t表示经取代或未经取代的噻吩环。a表示重复数且表示1～4的整数，m、o、p、q、r、及s表示连结数且分别独立地表示0或1的整数，n及t表示取代数且分别独立地表示1或2。a优选为1～3。
11、[化2]
12、
13、此处，*表示式(2)或式(3)进行取代的键结位置。式(2)及式(3)所表示的缩环结构可具有取代基，式(2)可通过与所述取代基缩合而形成缩合环。
14、x为n-ra、o、s、或c-(rb)2，ra及rb分别独立地为经取代或未经取代的碳数6～30的芳香族烃基、经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基、或者这些芳香族基的2个～4个连结而成的经取代或未经取代的连结芳香族基，ra及rb可与式(2)键结而形成缩合环。
15、所述通式(1)优选为由以下的通式(1t)表示。
16、[化3]
17、
18、r1、及r2分别独立地为氢、经取代或未经取代的碳数6～30的芳香族烃基、或者经取代或未经取代的碳数3～18的芳香族杂环基。另外，a、b、l1～l6、a、及n～t与所述通式(1)为相同含义。
19、所述通式(1)或通式(1t)中，优选为a或b中的至少一个由所述通式(2)表示，式(2)的x为n-ra或o。
20、通式(1)或通式(1t)中，优选为a或b中的至少一个由下述通式(4)表示，更本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于：包含下述通式(1)所表示的噻吩衍生物，
2.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，由以下的通式(1T)表示，
3.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，A或B中的至少一个由所述通式(2)表示，式(2)的X为N-Ra、或O。
4.根据权利要求3所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，A或B中的至少一个由下述通式(4)表示，
5.根据权利要求4所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，A及B两者由所述通式(4)表示。
6.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，A或B中的至少一个由下述式(5)表示，
7.根据权利要求6所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，A及B两者由所述通式(5)表示。
8.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述
9.根据权利要求8所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，L1、L2、L3、L4、L5或L6中的至少一个由下述通式(6a)～通式(6d)表示，
10.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a为1～3，且p＝q＝0。
11.根据权利要求1或2中任一项所述的光电转换元件用材料，其特征在于，通过基于密度泛函计算B3LYP/6-31G(d)的结构最佳化计算而获得的最高占据分子轨域(HOMO)的能阶为-4.5eV以下。
12.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，通过基于密度泛函计算B3LYP/6-31G(d)的结构最佳化计算而获得的最低未占分子轨域(LUMO)的能阶为-2.5eV以上。
13.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，具有1×10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率。
14.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，为非晶质。
15.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，被用作摄像用的光电转换元件的空穴传输性材料。
16.一种摄像用的光电转换元件，在两片电极之间具有光电转换层以及电子阻挡层，所述摄像用的光电转换元件的特征在于：在光电转换层及电子阻挡层中的至少一个层中包含如权利要求1所述的光电转换元件用材料。
17.根据权利要求16所述的摄像用的光电转换元件，其特征在于，在所述电子阻挡层中包含所述光电转换元件用材料。
18.根据权利要求16或17所述的摄像用的光电转换元件，其特征在于，在所述光电转换层中包含电子传输性材料。
19.根据权利要求16所述的摄像用的光电转换元件，其特征在于，在所述电子阻挡层中包含所述光电转换元件用材料，在所述光电转换层中包含富勒烯衍生物。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于：包含下述通式(1)所表示的噻吩衍生物，
2.根据权利要求1所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，由以下的通式(1t)表示，
3.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a或b中的至少一个由所述通式(2)表示，式(2)的x为n-ra、或o。
4.根据权利要求3所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a或b中的至少一个由下述通式(4)表示，
5.根据权利要求4所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a及b两者由所述通式(4)表示。
6.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a或b中的至少一个由下述式(5)表示，
7.根据权利要求6所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a及b两者由所述通式(5)表示。
8.根据权利要求1或2所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，l1、l2、l3、l4、l5或l6中的至少一个由下述式(6)表示，
9.根据权利要求8所述的摄像用的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，l1、l2、l3、l4、l5或l6中的至少一个由下述通式(6a)～通式(6d)表示，
10.根据权利要求1或2所述的光电转换元件用材料，其特征在于，所述通式(1)中，a为1～3，且...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上栋智，林健太郎，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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