【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术系关于一种通过处理工艺在基板上制造薄膜的薄膜的制造方法，如在基板上的沉积步骤。
技术介绍
1、一般来说，应该在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案或光学的图案以制造半导体装置、显示设备、太阳能电池等。为此，在基板上执行处理工艺，以及些处理工艺的例子包括沉积含有特定材料的薄膜在基板上的沉积工艺、使用光敏材料选择性地曝光部份的薄膜的曝光工艺、移除薄膜选择性曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。通过在基板上的这样的处理工艺，薄膜可以被制造在基板上。
2、近期半导体装置、显示设备、太阳能电池已经更加小型化也已经被开发到具有更薄的厚度，为此，薄膜的厚度应该变薄。然而，对于在薄膜晶体管(tft)中被实施为半导体层与栅极层之间的绝缘层的薄膜，存在一个当薄膜的厚度变薄时，由于穿隧现象而出现的漏电流的问题。
3、因此，需要开发一种尽管薄膜的厚度被实现为较薄仍可减少漏电流的薄膜。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术是为了解决上述问题而设计的，是为了提供一种薄膜的制造方法以及一种薄膜，尽管具有薄的厚度，其仍可以减少漏电流。
3、技术方案
4、为了实现上述目的，本专利技术可以包含以下内容。
5、根据本专利技术的一种薄膜的制造方法可以包括：喷射包含高介电常数材料的源气体以将高介电常数材料吸附至基板上的吸附步骤；喷射与源气体反应的反应气体以在基板上沉积包含高介电常数材料的薄膜的沉积步骤；以及使用等离子体使高介电常数材料结晶化的结晶
6、根据本专利技术的一种薄膜可以包括通过使用包含高介电常数材料的混和材料形成在基板上的薄膜层。薄膜层可以形成为具有至的厚度且可以被结晶化为具有20k至30k的介电常数。
7、有益效果
8、根据本专利技术，可实现以下功效。
9、本专利技术可以实施由高介电常数材料形成的薄膜并使用等离子体使其结晶化，所以，尽管其形成为具有较薄的厚度，还是可以更减少漏电流。因此，本专利技术有助于制造出更精细并且厚度更薄的薄膜晶体管。
10、本专利技术的实施可以使薄膜由高介电常数材料形成，并使用等离子体使其结晶化。因此，本专利技术可以通过薄膜致密化、结晶化以及杂质去除来制造具有更高质量的薄膜。
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1.一种薄膜的制造方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，在所述沉积步骤之后执行所述结晶化步骤。
3.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，一起执行所述结晶化步骤和所述沉积步骤。
4.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述结晶化步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述吸附步骤将包含铪(Hf)和锆(Zr)中至少一种的混和气体喷射到所述基板上。
6.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述结晶化步骤使用包含氦(He)、氩(Ar)和氨(NH3)中至少一种的等离子体气体产生等离子体。
7.如权利要求6所述的薄膜的制造方法，其中，所述沉积步骤将臭氧(O3)作为反应气体喷射到所述基板上。
8.如权利要求1至7中任一项所述的薄膜的制造方法，包括：
9.一种薄膜，包括：
10.如权利要求9所述的薄膜，其中，所述薄膜层由包含铪(Hf)和锆(Zr)中至少一种的混和材料形成。
11.如权利要求9所述的薄膜，其中，所述薄膜层被部
12.如权利要求9所述的薄膜，其中，所述薄膜层的所述介电常数根据下式确定，
13.如权利要求9所述的薄膜，其中，所述薄膜层形成为具有至的等效氧化物厚度(EOT)。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种薄膜的制造方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，在所述沉积步骤之后执行所述结晶化步骤。
3.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，一起执行所述结晶化步骤和所述沉积步骤。
4.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述结晶化步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述吸附步骤将包含铪(hf)和锆(zr)中至少一种的混和气体喷射到所述基板上。
6.如权利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，所述结晶化步骤使用包含氦(he)、氩(ar)和氨(nh3)中至少一种的等离子体气体产生等离子体。
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：金德镐，金玟爀，闵庆仁，朴昶均，韩俊熙，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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