【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文提供的实施例涉及带电粒子束系统的电子源，更具体地说，涉及使用光源来清洁场发射电子源的系统和方法。
技术介绍
1、在集成电路(ic)的制造过程中，对未完成或已完成的电路部件进行检查，以确保它们根据设计制造且无缺陷。可以采用利用光学显微镜或带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(sem))的检查系统。随着ic部件的物理尺寸不断缩小，缺陷检测的准确性、成像分辨率和产率变得更加重要。可以采用多个带电束来满足检查吞吐量要求；然而，多个带电束系统的成像分辨率可能会受到影响，导致检查工具不足以达到其预期目的。成像分辨率还受电子源稳定性的影响，电子源稳定性通过定期对电子发射器尖端进行净化来维持。现有的用于清洁电子源的电子发射器尖端的过程可能需要部分或完全关闭检查工具，从而影响整体检查吞吐量等问题。
2、因此，现有技术系统由于电子源的污染而面临图像分辨率和电子源稳定性等方面的限制。现有的从电子源中去除污染物的方法可能会在清洁后产生的电流中引入易变性或缩短电子源的使用寿命，从而导致成本无效或不可靠，或两者兼而有之。因此，需要清洁电子源的同时保持成像分辨率、源稳定性和检查吞吐量的系统和方法。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种电子束装置，包括电子源和光源。电子源可以包括被配置为发射电子的发射器尖端，并且光源可以被配置为产生照射发射器尖端的一部分的光束以激发光束的表面模式，其中所激发的表面模式促进从发射器尖端的被照射部分的表面去除污染物。
2、本公开的另一个
3、本公开的另一个方面涉及一种从电子源的发射器尖端去除污染物的方法。该方法可以包括激活光源以产生光束，并且用光束照射发射器尖端的一部分，激发光束的表面模式，其中所激发的表面模式促进从发射器尖端的被照射部分的表面去除污染物。
4、本公开的另一个方面涉及一种从电子源的发射器尖端去除污染物的方法。该方法可以包括激活光源以产生光束，并且用光束照射发射器尖端的一部分以去除结合到发射器尖端的被照射部分的表面的污染物。
5、本公开的另一个方面涉及一种非暂态计算机可读介质，该介质存储指令集，该指令集能够由电子束装置的一个或多个处理器执行，以使电子束装置执行从电子源的发射器尖端去除污染物的方法。该方法可以包括激活光源以产生光束，并且用光束照射发射器尖端的一部分，激发光束的表面模式，其中，所激发的表面模式促进从发射器尖端的被照射部分的表面去除污染物。
6、通过以下结合附图的描述，本公开的实施例的其他优点将变得显而易见，其中通过图示和示例阐述了本专利技术的某些实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子束装置，还包括包围所述电子源的腔室，所述腔室包括被配置为允许所述光束通过的观察口。
3.根据权利要求1所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致所述污染物与所述发射器尖端的所述表面之间的键断裂。
4.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程辅助的所述键的断裂。
5.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由所述发射器尖端的局部加热辅助的所述键的断裂。
6.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程与所述发射器尖端的局部加热的组合辅助的所述键的断裂。
7.根据权利要求1所述的电子束装置，其中照射所述发射器尖端的所述部分的所述光束的波长基于要被去除的所述污染物来调整。
8.根据权利要求7所述的电子束装置，其中所述光束的所述波长还基于所述污染物的键能来调整。
9.根据权利要
10.根据权利要求1所述的电子束装置，其中所述污染物包括原子、分子或气体分子。
11.根据权利要求1所述的电子束装置，其中所述污染物被吸附在所述发射器尖端的所述表面上或结合到所述发射器尖端的所述表面。
12.根据权利要求1所述的电子束装置，其中所述发射器尖端包括光栅结构，并且其中所述光栅结构的特性与所述光束的波矢量匹配。
13.根据权利要求1所述的电子束装置，其中所述表面模式包括传播表面波或局部表面波。
14.根据权利要求1所述的电子束装置，其中所述光束是线偏振的。
15.一种非暂态计算机可读介质，存储指令集，所述指令集能够由电子束装置的一个或多个处理器执行以使所述电子束装置执行从电子源的发射器尖端去除污染物的方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子束装置，包括：
2.根据权利要求1所述的电子束装置，还包括包围所述电子源的腔室，所述腔室包括被配置为允许所述光束通过的观察口。
3.根据权利要求1所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致所述污染物与所述发射器尖端的所述表面之间的键断裂。
4.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程辅助的所述键的断裂。
5.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由所述发射器尖端的局部加热辅助的所述键的断裂。
6.根据权利要求3所述的电子束装置，其中由所述光束对所述发射器尖端的所述照射导致由光子辅助的量子过程与所述发射器尖端的局部加热的组合辅助的所述键的断裂。
7.根据权利要求1所述的电子束装置，其中照射所述发射器尖端的所述部分的所述光束的波长基于要被去除的所述污染物来调整。
8.根据权利要求7所述的电子束装置，其中所述光束...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜志东，刘学东，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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