【技术实现步骤摘要】
本公开属于高边电流检测电路，具体涉及一种高边电流检测电路负载电流检测方法及装置。
技术介绍
1、现有的电子产品广泛利用高边电流检测电路进行负载电流的检测，高边电流检测电路还能应用在电源管理模块、过流保护电路等电路中。
2、如图1所示的高边电流检测电路是通过电流镜电路实现的。图1所示电路中，由于运算放大器两输入端之间存在失调电压voffset(可正可负)、第一晶体管nm与第二晶体管ns的失配、电阻ris的工艺误差、以及运算放大器op-amp的输入失调和温度对电路的影响，会导致高边电流检测电路的负载电流检测出现误差。
3、针对上述检测误差，现有技术中通常采用新增补偿电路的方法进行校准，该方法虽然对各种误差的成因进行了较为充分的考虑，且能够较好地对检测误差进行校准，但由于该方法增加了额外的补偿电路，因此从空间、成本、可靠性等诸多角度考虑，并不能普遍适用于已有的高边电流检测电路产品以及此类产品未来的设计中。
技术实现思路
1、针对现有技术中的不足，本公开的目的在于提供一种高边电流检测电路负载电流检测方法，本方法能够在不改变现有高边电流检测电路的电路结构以及不额外引入补偿电路的情况下提升现有高边电流检测电路中负载电流的检测精度。
2、为实现上述目的，本公开提供以下技术方案：
3、一种高边电流检测电路负载电流检测方法，其中，
4、所述高边电流检测电路包括第一晶体管、第二晶体管、检测电阻及负载，所述第一晶体管和第二晶体管构成电流镜结构，
5、所述检测方法包括以下步骤：
6、在免设置补偿电路的前提下，测量第一晶体管当前环境温度下，检测电路中流过检测电阻的检测电流，并根据检测电流获取第一晶体管当前结温；
7、获取第一晶体管当前结温所对应的电流检测比；
8、获取第一晶体管当前结温所对应的失调电流；
9、基于所述检测电流比、所述失调电流、所述检测电流以及第一晶体管当前结温获取当前负载电流。
10、优选的，所述获取第一晶体管当前结温所对应的电流检测比包括以下步骤：
11、构建电流检测比检测模型；
12、以所述第一晶体管当前结温作为模型输入，以输出检测电路在所述第一晶体管当前结温下的当前电流检测比。
13、优选的，所述获取第一晶体管当前结温所对应的失调电流包括以下步骤：
14、构建失调电流检测模型；
15、以所述第一晶体管当前结温作为模型输入，以输出检测电路在所述第一晶体管当前结温下的当前失调电流。
16、优选的，所述基于所述检测电流比、所述失调电流、所述检测电流以及第一晶体管当前结温获取当前负载电流包括以下步骤：
17、构建负载电流检测模型；
18、以所述检测电流、电流检测比以及失调电流作为模型输入，以输出检测电路在所述第一晶体管当前结温下的当前负载电流。
19、本公开还提供一种高边电流检测电路负载电流检测装置，其中，所述高边电流检测电路包括第一晶体管、第二晶体管、检测电阻及负载，所述第一晶体管和第二晶体管构成电流镜结构，
20、所述装置免设置补偿电路，且包括：
21、测量模块，测量第一晶体管当前环境温度所对应的检测电路中流过检测电阻的检测电流，并获取第一晶体管当前结温；
22、电流检测比获取模块，用于获取第一晶体管当前结温所对应的电流检测比；
23、失调电流获取模块，用于获取第一晶体管当前结温所对应的失调电流；
24、负载电流获取模块，用于基于所述检测电流比、所述失调电流、所述检测电流以及第一晶体管当前结温获取当前负载电流。
25、优选的，所述电流检测比获取模块包括：
26、第一模型构建模块，用于构建电流检测比检测模型；
27、第一输出模块，用于以所述第一晶体管当前结温作为模型输入，以输出检测电路在所述第一晶体管当前结温下的当前电流检测比。
28、优选的，所述失调电流获取模块包括：
29、第二模型构建模块，用于构建失调电流检测模型；
30、第二输出模块，用于以所述第一晶体管当前结温作为模型输入，以输出检测电路在所述第一晶体管当前结温下的当前失调电流。
31、优选的，所述负载电流获取模块包括：
32、第三模型构建模块，用于构建负载电流检测模型；
33、第三输出模块，用于以所述检测电流、当前电流检测比以及当前失调电流作为模型输入，以输出检测电路在第一晶体管当前结温下的当前负载电流。
34、本公开还提供一种计算机存储介质，其中，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如前任一所述的方法。
35、本公开还提供一种电子设备，其中，所述电子设备包括：
36、存储器，处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，
37、所述处理器执行所述程序时实现如前任一所述的方法。
38、与现有技术相比，本公开带来的有益效果为：
39、1、本公开将电流检测比k与失调电流ioffset同时作为计算依据并给出求解方法，相较传统的只针对负载电流il与检测电流iis的误差进行线性补偿而忽略ioffset的做法，考虑更为全面，没有引入新的误差，适用于负载的各种工作状态。
40、2、与现有的增加额外补偿电路的负载电流检测方法相比，本公开没有引入额外的补偿电路，仅通过优化计算方法就能够获得更为精确的结果，可行性更好，可广泛使用且成本更低。
41、3、在集成度较高的此类电路中，从第二晶体管结温近似等于电路温度的角度出发，考虑温度对电路的影响并将其纳入补偿计算依据，使依据更加完整，从而能够提高高边电流检测电路的电流检测精度。
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1.一种高边电流检测电路负载电流检测方法，其中，
2.根据权利要求1所述的方法，其中，优选的，所述获取第一晶体管当前结温所对应的电流检测比包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述获取第一晶体管当前结温所对应的失调电流包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于所述检测电流比、所述失调电流、所述检测电流以及第一晶体管当前结温获取当前负载电流包括以下步骤：
5.一种高边电流检测电路负载电流检测装置，其中，
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述电流检测比获取模块包括：
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述失调电流获取模块包括：
8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述负载电流获取模块包括：
9.一种计算机存储介质，其中，所述计算机存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行权利要求1至4任一所述的方法。
10.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：
【技术特征摘要】
1.一种高边电流检测电路负载电流检测方法，其中，
2.根据权利要求1所述的方法，其中，优选的，所述获取第一晶体管当前结温所对应的电流检测比包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述获取第一晶体管当前结温所对应的失调电流包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于所述检测电流比、所述失调电流、所述检测电流以及第一晶体管当前结温获取当前负载电流包括以下步骤：
5.一种高边电流检测电...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊平，杨世红，周子渊，
申请(专利权)人：陕西亚成微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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