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电路板制造技术

技术编号:42374688 阅读:4 留言:0更新日期:2024-08-16 14:58
根据实施例的电路板包括:第一绝缘层;第一电路图案层,其布置在所述第一绝缘层上;以及第二绝缘层,其布置在所述第一绝缘层和所述第一电路图案层上并且设置有第一空腔,其中,所述第一电路图案层包括连接图案部,所述连接图案部包括布置在所述第一空腔内的第一部分、以及从所述第一部分延伸到所述第一空腔外部的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

实施例涉及一种电路板和包括该电路板的半导体封装基板。


技术介绍

1、随着电气/电子产品性能的进步,已经提出并研究了用于将更大数量的封装连接到有限尺寸的基板上的技术。然而,由于通常的封装是基于安装单个半导体芯片,因此在获得所期望的性能方面存在限制。

2、通常的半导体封装具有这样的形式:其中布置有处理器芯片的处理器封装和附接有存储器芯片的存储器封装被连接为一体。这样的半导体封装可以具有处理器芯片和存储器芯片集成到一个封装中的结构,从而减小了芯片的安装面积,并且能够通过短路径进行高速信号传输。

3、由于这些优点,上述半导体封装被广泛应用于移动设备等。

4、同时,近年来,由于诸如移动设备等的电子设备的高规格以及高带宽存储器(hbm)的采用,封装的尺寸正在增加,因此,主要使用包括中介层(interposer)的半导体封装。在这种情况下,该中介层由硅基板组成。

5、然而,在诸如硅基板的中介层的情况下,制造中介层的材料成本高,并且tsv(硅通孔)的形成是复杂且昂贵的。

6、此外,传统上,包括硅基互连桥的基板被用作半导体封装。然而,在硅基互连桥的情况下,由于该桥的硅材料与基板的有机材料之间的热膨胀系数(cte)不匹配而存在可靠性问题,并且存在电源完整性特性劣化的问题。


技术实现思路

1、[技术问题]

2、实施例提供了一种具有新结构的电路板和包括该电路板的半导体封装。

3、此外,实施例提供了一种具有薄型结构的电路板和包括该电路板的半导体封装。

4、此外,实施例提供了一种包括具有最佳物理可靠性和电可靠性的空腔的电路板、以及包括该电路板的半导体封装。

5、此外,实施例提供了一种能够使连接到器件的信号连接线的长度最小化的电路板、以及包括该电路板的半导体封装。

6、所提出的实施例要解决的技术问题不限于上述技术问题,而是,从以下描述中提出的实施例所属领域的技术人员可以清楚地理解其它未提及的技术问题。

7、[技术方案]

8、根据一个实施例的电路板包括:第一绝缘层;第一电路图案层,其布置在第一绝缘层上;以及第二绝缘层,其布置在第一电路图案层上并具有第一空腔,其中,第一电路图案层包括与第一空腔在竖向上重叠的第一焊盘部、不与第一空腔在竖向上重叠的第二焊盘部、以及布置在第一焊盘部和第二焊盘部之间的连接图案部,并且其中,该连接图案部包括布置在第一空腔内并且连接到第一焊盘部的第一部分、以及布置在第一空腔外侧并且连接到第二焊盘部的第二部分。

9、此外,所述连接图案部的第一部分的上表面在与第一空腔在竖向上重叠的同时不接触第二绝缘层,并且所述连接图案部的第二部分的上表面接触第二绝缘层而不与第一空腔在竖向上重叠。

10、此外,所述连接图案部、第一焊盘部和第二焊盘部在水平方向上彼此重叠。

11、此外,所述连接图案部的宽度小于第一焊盘部和第二焊盘部各自的宽度。

12、此外,所述连接图案部具有第一平面形状,并且第一焊盘部和第二焊盘部中的每一个都具有不同于第一平面形状的第二平面形状。

13、此外,第二绝缘层包括第一空腔的第一倾斜表面,该第一倾斜表面的宽度朝着第一绝缘层减小,第一倾斜表面包括在第一空腔的一侧处邻近第二绝缘层的上表面定位的第一端部、以及在第一空腔的所述一侧处邻近第二绝缘层的下表面定位的第二端部,并且第一端部和第二端部之间的水平距离满足0.1μm至25μm的范围。

14、此外,该电路板还包括保护层,该保护层布置在第二绝缘层上并包括与第一空腔在竖向上重叠的通孔。

15、此外,该保护层的通孔的宽度大于第一空腔的整个区域中的与第二绝缘层的上表面相邻的区域的宽度。

16、此外,所述第二绝缘层包括与所述第一倾斜表面的第一端部相邻并与所述保护层的通孔在竖向上重叠的第一上表面,并且所述第一上表面的宽度是所述第一端部与邻近所述第一端部的所述保护层的所述通孔的内壁之间的水平距离,并且满足50μm至80μm的范围。

17、此外,该电路板还包括布置在所述第二绝缘层上的第二电路图案层,并且,第二电路图案层的最靠近所述第一端部布置的图案与所述保护层的所述通孔的内壁间隔开55μm至95μm范围内的间距。

18、此外,第二绝缘层包括在水平方向上与第一空腔间隔开的第二空腔,并包括第二空腔的第二倾斜表面,该第二倾斜表面的宽度朝着第一绝缘层减小,并且第二倾斜表面包括与第二绝缘层的上表面和第一倾斜表面的第一端部邻近的第三端部,并且第一端部和第三端部之间的间距满足100μm至150μm的范围。

19、此外,第一绝缘层包括预浸料(prepreg),并且第二绝缘层包括可光成像电介质(pid)。

20、此外,第一绝缘层包括预浸料,并且第二绝缘层包括abf(味之素堆积膜)或树脂涂覆铜(rcc)。

21、此外,所述连接图案部的第二部分的至少一部分在竖向上与第一空腔的第一倾斜表面重叠。

22、此外,第一绝缘层和第二绝缘层包括相同的第一绝缘材料,第一绝缘材料包括可光成像电介质(pid),并且第一空腔的下表面被定位得高于第一电路图案层的下表面,但低于第一电路图案层的上表面。

23、此外,该电路板还包括布置在所述第二绝缘层下方的第三绝缘层,该第三绝缘层包括与所述第一绝缘层和第二绝缘层不同的第二绝缘材料,并且第二绝缘材料包括预浸料。

24、同时,根据一个实施例的半导体封装包括:第一电路板,该第一电路板包括第一空腔;以及第二电路板,该第二电路板包括与第一空腔在竖向上重叠的第二空腔并且联接到第一电路板,其中,第一电路板包括:第一绝缘层;第一电路图案层,其布置在第一绝缘层上;第二绝缘层,其布置在第一绝缘层和第一电路图案层上并包括所述第一空腔;以及第二电路图案层,其布置在第二绝缘层上;第一导电联接部,其布置在与第一空腔在竖向上重叠的第一电路图案层上;处理器芯片,其布置在第一导电联接部上;以及第二导电联接部,其布置在第二电路图案层上并且联接到第二电路板,其中,第二绝缘层包括所述第一空腔的第一倾斜表面,该第一倾斜表面的宽度朝着第一绝缘层减小,第一倾斜表面包括在第一空腔的一侧处与第二绝缘层的上表面邻近的第一端部、以及在第一空腔的所述一侧上与第二绝缘层的下表面邻近的第二端部,并且第一端部与第二端部之间的水平距离满足0.1μm至25μm的范围。

25、此外,第一电路板还包括保护层,该保护层布置在第二绝缘层上并包括与第一空腔在竖向上重叠的通孔,并且该保护层的通孔的宽度大于第一空腔的整个区域中的与第二绝缘层的上表面相邻的区域的宽度,第二绝缘层包括与第一倾斜表面的第一端部相邻并与该保护层的通孔在竖向上重叠的第一上表面,并且第一上表面的宽度是所述第一端部与邻近所述第一端部的该保护层的通孔的内壁之间的水平距离,并且满足50μm至80μm的范围。

26、此外,第二电路图案层中的最靠近所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电路板,包括:

2.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述连接图案部的所述第一部分的上表面在与所述第一空腔在竖向上重叠的同时不接触所述第二绝缘层,并且

3.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述连接图案部、所述第一焊盘部和所述第二焊盘部在水平方向上彼此重叠。

4.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述连接图案部的宽度小于所述第一焊盘部和所述第二焊盘部各自的宽度。

5.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述连接图案部具有第一平面形状,并且

6.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述第二绝缘层包括所述第一空腔的第一倾斜表面,所述第一倾斜表面的宽度朝着所述第一绝缘层减小,

7.根据权利要求6所述的电路板,还包括:

8.根据权利要求7所述的电路板,其中,所述保护层的所述通孔的宽度大于所述第一空腔的整个区域中的与所述第二绝缘层的上表面相邻的区域的宽度。

9.根据权利要求8所述的电路板,其中,所述第二绝缘层包括与所述第一倾斜表面的所述第一端部相邻并与所述保护层的所述通孔在竖向上重叠的第一上表面,并且

10.根据权利要求6所述的电路板,还包括:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电路板,包括:

2.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述连接图案部的所述第一部分的上表面在与所述第一空腔在竖向上重叠的同时不接触所述第二绝缘层,并且

3.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述连接图案部、所述第一焊盘部和所述第二焊盘部在水平方向上彼此重叠。

4.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述连接图案部的宽度小于所述第一焊盘部和所述第二焊盘部各自的宽度。

5.根据权利要求3所述的电路板,其中,所述连接图案部具有第一平面形状,并且

6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东建刘锡锺
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:

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