【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种电子器件，所述电子器件包含阳极、阴极和至少一个包含以下化合物的层：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(1)表示：
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物的分子量为不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol，尤其优选不超过2000g/mol，最优选不超过1000g/mol。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(8)或式(9)表示，
5.根据权利要求2至4中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于符号Y在每次出现时相同或不同地为单键或者选自C(R1)2、O或NR1的基团。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(2a)、式(3a)、式(4a)、式(5a)、式(5b)、式(6a)、式(6b)、式(8a)、式(8b)、式(9a)或式(9b)表示，
7.根据权利要
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(13)、式(14)、式(15)、式(16)、式(17)、式(18)、式(19)、式(20)、式(21)、式(22)、式(23)或式(24)表示，
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于基团R2、R3在每次出现时相同或不同地为N(Ar)2、C(＝O)Ar、P(＝O)Ar2或者具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个非芳族基团R4取代的芳族或杂芳族环系。
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(27)、式(28)、式(29)、式(30)或式(31)表示，
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物除氟以外具有总共不超过5个氮原子，优选总共不超过3个氮原子，更优选总共不超过5个杂原子，优选总共不超过3个杂原子。
12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种半导体发光纳米粒子选自量子尺寸的发光材料，特别是选自量子点和量子棒。
13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种半导体发光纳米粒子不含Cd。
14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的电子器件，所述电子器件选自有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机太阳能电池(OSC)、有机光检测器、有机光感受器和有机电致发光器件，优选有机电致发光器件，所述有机电致发光器件更优选选自有机发光晶体管(OLET)、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC、LEC、LEEC)、有机激光二极管(O-激光器)和有机发光二极管(OLED)。
15.根据权利要求1至14中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一个层是发光层。
16.一种用于制备根据权利要求1至15中的一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于，至少一个层，优选包含所述至少一种半导体发光纳米粒子和所述至少一种带隙为2.5eV或更多、优选由式(1)表示的化合物的所述至少一个层，是通过升华方法涂布的和/或通过OVPD方法或通过载气升华方法涂布的和/或通过旋涂或通过印刷方法从溶液中施加的。
17.一种组合物，所述组合物包含至少一种半导体发光纳米粒子和至少一种带隙为2.5eV或更多的化合物，优选至少一种由式(1)表示的化合物。
18.一种制剂，所述制剂包含根据权利要求17所述的组合物或至少一种半导体发光纳米粒子和至少一种带隙为2.5eV或更多的化合物，优选至少一种由式(1)表示的化合物，以及至少第一溶剂。
19.根据权利要求18所述的制剂，其特征在于所述第一溶剂选自醇、醛、酮、醚、酯、酰胺如二烷基甲酰胺、硫化合物、硝基化合物、烃、卤代烃(例如氯化烃)、芳族或杂芳族烃、卤代的芳族或杂芳族烃和(环状)硅氧烷以及其中两种或更多种的混合物。
20.根据权利要求18或19所述的制剂，其特征在于所述第一溶剂的表面张力≥20mN/m。
21.根据权利要求18至20中的一项或多项所述的制剂，其特征在于所述第一溶剂的沸点在150℃至350℃的范围内。
22.根据权利要求...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子器件，所述电子器件包含阳极、阴极和至少一个包含以下化合物的层：
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(1)表示：
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物的分子量为不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol，尤其优选不超过2000g/mol，最优选不超过1000g/mol。
4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(8)或式(9)表示，
5.根据权利要求2至4中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于符号y在每次出现时相同或不同地为单键或者选自c(r1)2、o或nr1的基团。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(2a)、式(3a)、式(4a)、式(5a)、式(5b)、式(6a)、式(6b)、式(8a)、式(8b)、式(9a)或式(9b)表示，
7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(10)、式(11)或式(12)表示，
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(13)、式(14)、式(15)、式(16)、式(17)、式(18)、式(19)、式(20)、式(21)、式(22)、式(23)或式(24)表示，
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于基团r2、r3在每次出现时相同或不同地为n(ar)2、c(＝o)ar、p(＝o)ar2或者具有5至30个芳族环原子且可被一个或多个非芳族基团r4取代的芳族或杂芳族环系。
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物由式(27)、式(28)、式(29)、式(30)或式(31)表示，
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种化合物除氟以外具有总共不超过5个氮原子，优选总共不超过3个氮原子，更优选总共不超过5个杂原子，优选总共不超过3个杂原子。
12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种半导体发光纳米粒子选自量子尺寸的发光材料，特别是选自量子点和量子棒。
13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的电子器件，其特征在于所述至少一种半导体发光纳米粒子不含cd。
14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的电子器件，所述电子器件选自有机集成电路(oic)、有机场效应晶体管(ofet)、有机薄膜晶体管(otft)、有机太阳能电池(osc)、有机光检测器、有机光感受器和有机电致发光器件，优选有机电致发光器件，所述有机电致发光器件更优选选自有机发光晶体管(olet)、...
【专利技术属性】
技术研发人员：米丽娅姆·恩盖尔，塞巴斯汀·迈耶，曼纽尔·汉布格尔，法尔克·梅，埃德加·伯姆，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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