【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种cmos图像传感器及其形成方法。
技术介绍
1、cmos图像传感器(cmos image sensor)，简称cis，即采用cmos工艺的图像传感器，一种利用光电技术原理所制造的图像传感元件。cmos图像传感器因其集成度高、采用单电源和低电压供电、成本低和技术门槛低等特点得到更广泛地应用。
2、目前cis供需整体呈现供过于求的现状，叠加库存积压等因素，智能手机摄像头等芯片价格将保持下滑趋势，降低芯片生产成本将提升产品的核心竞争力。
3、随着我们像素尺寸的不断缩小，获得优异性能的图像传感器面临着巨大的挑战，像素大小保持不变，改进方向从减少像素尺寸转向提高图像质量。而白色像素点(whitepixel，wp)的数目严重影响cis成像质量。因此，白色像素点是高质量图像传感器(cis)的关键参数指标，降低白色像素点成为重中之重。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种cmos图像传感器及其形成方法，以解决如何降低白色像素点的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种cmos图像传感器的形成方法，包括：
3、提供一衬底，在所述衬底上定义有源区；
4、在所述衬底内形成浅沟槽，所述浅沟槽位于相邻所述有源区之间；
5、采用hdp工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层填充所述浅沟槽以形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于隔离相邻所述有源区；
6、在所述有源区内进行离子注
7、执行热退火工艺，以修复所述离子注入工艺对所述有源区界面的损伤。
8、可选的，所述退火工艺的温度为550℃-650℃。
9、可选的，所述退火工艺的工艺时间为40min-90min。
10、可选的，采用hdp工艺形成的所述隔离材料层的材料为氧化硅。
11、可选的，在所述浅沟槽隔离结构形成步骤之后，包括：
12、在所述有源区内依次形成阱区和像素单元，所述阱区用于隔离相邻所述像素单元，
13、形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述阱区和所述像素单元，
14、形成栅极，所述栅极位于所述栅介质层上且覆盖部分所述阱区和部分所述像素单元，
15、形成侧墙，所述侧墙位于所述栅极的两侧。
16、可选的，所述阱区的掺杂类型和所述像素单元的掺杂类型不同。
17、可选的，在形成侧墙之后，以所述侧墙为掩模，执行轻掺杂漏注入工艺，以在所述阱区内形成ldd区。
18、可选的，一个所述有源区内包括一个或者多个像素单元。
19、可选的，在所述有源区内进行离子注入工艺的步骤中，在所述阱区形成漏区，在所述像素单元内形成源区。
20、基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种cmos图像传感器，采用上述任一项所述的cmos图像传感器的形成方法制作而成。
21、在本专利技术提供的cmos图像传感器及其形成方法中，通过采用hdp工艺形成隔离材料层，所述隔离材料层填充浅沟槽以形成浅沟槽隔离结构，并且在所述有源区内进行离子注入工艺以形成源区或者漏区的步骤中，所述离子注入工艺对所述有源区界面产生损伤；增加热退火工艺，能够修复离子注入工艺对有源区界面的损伤。本专利技术采用hdp工艺形成浅沟槽隔离结构，降低了成本，通过增加热退火工艺调整改善离子注入对有源区界面带来的损伤，以有效抑制图像传感器像素单元内电子外溢，减少白色像素，从而提升图像传感器的性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为550℃-650℃。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺时间为40min-90min。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，采用HDP工艺形成的所述隔离材料层的材料为氧化硅。
5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构形成步骤之后，包括：
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阱区的掺杂类型和所述像素单元的掺杂类型不同。
7.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成侧墙之后，以所述侧墙为掩模，执行轻掺杂漏注入工艺，以在所述阱区内形成LDD区。
8.如权利要求5所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，一个所述有源区内包括一个或者多个像素单元。
9.如权利要求5所述的CM
10.一种CMOS图像传感器，其特征在于，采用如权利要求1～9任一项所述的CMOS图像传感器的形成方法制作而成。
...【技术特征摘要】
1.一种cmos图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的cmos图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为550℃-650℃。
3.如权利要求1所述的cmos图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺时间为40min-90min。
4.如权利要求1所述的cmos图像传感器的形成方法，其特征在于，采用hdp工艺形成的所述隔离材料层的材料为氧化硅。
5.如权利要求1所述的cmos图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构形成步骤之后，包括：
6.如权利要求5所述的cmos图像传感器的形成方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，秋沉沉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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