【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及比较器领域，具体涉及一种比较器压摆率提升电路。
技术介绍
1、对两个或多个数据项进行比较，以确定它们是否相等，或确定它们之间的大小关系及排列顺序称为比较。能够实现这种比较功能的电路或装置称为比较器。比较器是将一个模拟电压信号与一个基准电压相比较的电路。比较器的两路输入为模拟信号，输出则为二进制信号0或1，当输入电压的差值增大或减小且正负符号不变时，其输出保持恒定。比较器的输入信号幅度变化时，输出电平会随着变化，当输出电平增加或减小到一个界限时，这时的电压变化率称为压摆率。现有的比较器的压摆率常常会受到功耗限制，如果需要提升压摆率，通常需要增大驱动级的尺寸、增大电流，导致功耗增加，成本升高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种比较器压摆率提升电路，旨在改善提升压摆率导致功耗增加，成本升高的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种比较器压摆率提升电路，包括比较器单元和压摆率提升单元，所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上，
4、所述压摆率提升单元包括mos管pm7、mos管pm8、mos管pm9、mos管pm10、mos管pm11、mos管pm12、mos管nm4、mos管nm5、mos管nm8、mos管nm9、mos管nm10和三极管q7；
5、所述mos管pm8、mos管pm9、mos管pm10和mos管pm11的源极均匀外部电源电性连接；
6、所述mos管pm
7、所述mos管pm10的栅极和漏极均与mos管pm11的栅极和三极管q7的集电极电性连接；所述mos管nm10的源极和mos管pm7的源极均与比较器单元的输出端电性连接，所述三极管q7的基极与比较器单元电性连接；
8、所述mos管pm7的漏极与mos管nm8的漏极和栅极以及mos管nm9的栅极电性连接，所述mos管pm9的漏极与mos管nm9的漏极电性连接，并输出y1；
9、所述三极管q7的发射极、mos管nm4的源极、mos管nm8的源极和mos管nm9的源极均接地。
10、进一步的，所述比较器单元包括三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6、mos管pm0、mos管pm1、mos管pm2、mos管pm3、mos管pm4、mos管pm5、mos管pm6、mos管nm0、mos管nm1、mos管nm2、mos管nm3、mos管nm6、mos管nm7、电容c0、电容c1、电流源i0和电阻r0；
11、所述mos管pm0、mos管pm2、mos管pm4、mos管pm6的源极、电流源i0的正极以及电阻r0的一端均与外部电源电性连接；
12、所述电阻r0的另一端与mos管nm0的漏极电性连接，所述mos管nm0的栅极与电容c1的一端、电流源i0的负极、三极管q3的集电极、mos管nm2的栅极和mos管nm1的栅极电性连接；所述mos管nm0的源极与三极管q2的集电极、基极、三极管q3的基极、三极管q4的基极、三极管q5的基极、三极管q6的基极以及电容c0的一端电性连接；并且，所述mos管nm0的源极作为输出端与三极管q7的基极电性连接；
13、所述mos管pm0的栅极和漏极均与mos管nm3的漏极和栅极电性连接，所述mos管nm3的源极与三极管q4的集电极、mos管pm1的栅极、mos管pm3的栅极、mos管pm5的栅极电性连接；
14、所述mos管pm2的栅极与mos管pm1的漏极、mos管nm2的漏极、mos管pm4的栅极以及mos管pm6的栅极电性连接；所述mos管pm2的漏极与mos管pm1的源极电性连接；所述mos管nm2的源极与三极管q6的集电极电性连接；
15、所述mos管pm4的漏极与mos管pm3的源极和三极管q1的集电极电性连接，所述三极管q1的基极与外部电源的负极电性连接，所述三极管q1的发射极与mos管nm1的漏极和三极管q0的发射极电性连接；所述三极管q0的基极与外部电源的正极电性连接，所述三极管q0的集电极与mos管pm6的漏极、mos管pm5的源极电性连接；所述mos管nm1的源极与三极管q5的集电极电性连接；
16、所述mos管pm3的漏极与mos管nm6的栅极、漏极以及mos管nm7的栅极电性连接；所述mos管pm5的漏极与mos管nm7的漏极电性连接，并输出y0，同时mos管pm5的漏极作为输出端与mos管nm10的源极和mos管pm7的源极电性连接；
17、所述三极管q2的发射极、三极管q3的发射极、三极管q4的发射极、三极管q5的发射极、三极管q6的发射极、mos管nm6的源极、mos管nm7的源极和电容c0、电容c1的另一端均接地。
18、进一步的，所述三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6和三极管q7均为双极结型晶体管。
19、进一步的，所述mos管pm0、mos管pm1、mos管pm2、mos管pm3、mos管pm4、mos管pm5、mos管pm6、mos管pm7、mos管pm8、mos管pm9、mos管pm10、mos管pm11和mos管pm12均为pmos管。
20、进一步的，所述mos管nm0、mos管nm1、mos管nm2、mos管nm3、mos管nm4、mos管nm5、mos管nm6、mos管nm7、mos管nm8、mos管nm9和mos管nm10均为nmos管。
21、进一步的，所述三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6和三极管q7的发射极面积比例为1:1:2:2:1:8:2:1。
22、进一步的，符合下列条件式：
23、(w/l)n9＝4*(w/l)n8
24、(w/l)p7＝(w/l)p12
25、(w/l)p9＝4*(w/l)p8
26、(w/l)p10＝(w/l)p11
27、其中，(w/l)p7为mos管pm7的宽长比；(w/l)p8为mos管pm8的宽长比；(w/l)p9为mos管pm9的宽长比；(w/l)p10为mos管pm10的宽长比；(w/l)p11为mos管pm11的宽长比；(w/l)p12为mos管pm12的宽长比；
28、(w/l)n8为mos管nm8的宽长比；(w/l)n9为mos管nm9的宽长比。
29、进一步的，符合下列条件式：
30、(w/l)n本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种比较器压摆率提升电路，其特征在于，包括比较器单元和压摆率提升单元，所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上，
2.根据权利要求1所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述比较器单元包括三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、mos管PM0、mos管PM1、mos管PM2、mos管PM3、mos管PM4、mos管PM5、mos管PM6、mos管NM0、mos管NM1、mos管NM2、mos管NM3、mos管NM6、mos管NM7、电容C0、电容C1、电流源I0和电阻R0；
3.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6和三极管Q7均为双极结型晶体管。
4.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述mos管PM0、mos管PM1、mos管PM2、mos管PM3、mos管PM4、mos管PM5、mos管PM6、mos管PM7、mos管PM8、mos管PM9、mos管PM10、m
5.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述mos管NM0、mos管NM1、mos管NM2、mos管NM3、mos管NM4、mos管NM5、mos管NM6、mos管NM7、mos管NM8、mos管NM9和mos管NM10均为NMOS管。
6.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述三极管Q0、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6和三极管Q7的发射极面积比例为1:1:2:2:1:8:2:1。
7.根据权利要求1所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：符合下列条件式：
8.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：符合下列条件式：
...【技术特征摘要】
1.一种比较器压摆率提升电路，其特征在于，包括比较器单元和压摆率提升单元，所述压摆率提升单元电性连接在比较器单元的输出端上，
2.根据权利要求1所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述比较器单元包括三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6、mos管pm0、mos管pm1、mos管pm2、mos管pm3、mos管pm4、mos管pm5、mos管pm6、mos管nm0、mos管nm1、mos管nm2、mos管nm3、mos管nm6、mos管nm7、电容c0、电容c1、电流源i0和电阻r0；
3.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述三极管q0、三极管q1、三极管q2、三极管q3、三极管q4、三极管q5、三极管q6和三极管q7均为双极结型晶体管。
4.根据权利要求2所述的比较器压摆率提升电路，其特征在于：所述mos管pm0、mos管pm1、mos管...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪嘉栋，杨瑞聪，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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