【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光，具体涉及一种含有三嗪结构的化合物及有机电致发光器件。
技术介绍
1、有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oled)是利用如下原理的自发性发光器件：当施加电场时，荧光物质通过正极注入的空穴和负极注入的电子的重新结合而发光。这种自发光器件，具有电压低、亮度高、视角宽、响应快、温度适应性好等特性，并且超薄，能制作在柔性面板上等优点，广泛应用于手机、平板电脑、电视、照明等领域。
2、oled属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。oled在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
3、目前的，oled器件由基板、阴极、阳极、空穴注入层(hil)、电子注入层(eil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、发光层(eml)等部分构成，当对oled器件的两端电极施加电压，通过电场作用在有机层功能材料膜层中产生正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，就可以产生光。
4、oled的视野范围很广，可达170度左右，而lcd工作时要阻挡光线，因而在某些角度上存在天然的观测障碍，oled自身能够发光，所以视域范围也要宽很多。就当前有机电致发光产业的实际需求而言，目前有机电致发光材料的发展还远远不够，远远落后
技术实现思路
1、本专利技术的目的是在现有技术的基础上，提供一种含有三嗪结构的化合物及有机电致发光器件。
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种含有三嗪结构的化合物，其化学结构式如式1所示：
4、
5、其中，
6、x为s或o；
7、l1和l2分别独立地为单键、取代或未经取代的c6-c20的亚芳基，其取代基选自氘、氟、氰基、c6-c30的芳基、c6-c30的氘代芳基、c5-c30的杂芳基中的一种或多种；
8、ar1和ar2为取代或未取代的下述基团：c6-c30的芳基或c5-c30的杂芳基，其取代基选自氘、氟、氰基、c1-c10的烷基、c1-c10的氘代烷基、c6-c30的芳基、c6-c30的氘代芳基、c5-c30的杂芳基中的一种或多种；
9、r1-r2分别独立地为氢、氘、氟、氰基、c1-c10的烷基、c1-c10的氘代烷基、c6-c20的芳基或c6-c20的氘代芳基，
10、n、m为0-4的正整数。
11、优选的，本专利技术的化合物的结构式如下式2所示：
12、
13、其中，
14、x为s或o；
15、l1和l2分别独立地为单键或者取代或未经取代的苯基、萘基、联苯基，其取代基选自氘、氟、氰基、c6-c30的芳基、c6-c30的氘代芳基、c5-c30的杂芳基中的一种或多种；
16、ar1和ar2为取代或未取代的下述基团：c6-c18的芳基或c5-c24的杂芳基，其取代基选自氘、氟、氰基、c1-c6的烷基、c1-c6的氘代烷基、c6-c18的芳基、c6-c18的氘代芳基、c5-c24的杂芳基中的一种或多种。
17、在本专利技术的一种优选方案中，l1和l2分别独立地为单键、取代或未经取代的c6-c20的亚芳基，其取代基选自氘、氟、氰基、c6-c30的芳基中的一种或多种；
18、优选的，l1和l2分别独立地为单键或者取代或未经取代的苯基、萘基、联苯基，其取代基选自氘、氟、氰基中的一种或多种；
19、进一步优选的，l1和l2分别独立地为单键、取代或未经取代的苯基或联苯基。
20、在一种优选方案中，ar1和ar2为取代或非取代的下述基团：苯基、联苯基、蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基、菲基、苯并菲并呋喃基，所述取代基选自氘、氟、氰基、c6-c12的芳基、c6-c12的氘代芳基、c5-c20的杂芳基中的一种或多种；
21、优选的，ar1和ar2为取代或非取代的下述基团：苯基、联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、芴基或菲基，所述取代基选自氘、氟、氰基、c6-c12的芳基、c6-c12的氘代芳基、c5-c20的杂芳基中的一种或多种；
22、进一步优选地，ar1和ar2为取代或非取代的下述基团：苯基、联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基，所述取代基选自氘、苯基、联苯基中的一种或多种。
23、在一种优选方案中，本专利技术的化合物可以为以下化合物中的任意一种：
24、
25、
26、
27、
28、
29、
30、
31、
32、
33、
34、
35、一种有机电致发光器件，包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间形成的有机层；
36、进一步地，所述有机层包含空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；所述空穴注入层、第一空穴传输层、第二空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层含有如权利要求1-5中任一项所述的化合物。
37、进一步地，所述发光层中含有上述的化合物。
38、更进一步，所述发光层中含有发光主体材料，所述发光主体材料由上述化合物及以下p-type化合物中的任意一种或多种混合而成，所述p-type化合物如下所示：
39、
40、一种含有上述有机电致发光器件的电子显示设备。
41、一种含有上述有机电致发光器件的oled照明设备。
42、本专利技术所述室温均为25±5℃。
43、除非另有说明，下列用在权利要求书和说明书中的术语有如下含义。
44、以下进一步说明和描述了各个方面的实施例。应当理解，本文的描述并非旨在将权利要求书限制于所描述的特定方面。相反，旨在覆盖可包括在由所附权利要求书限定的本公开的精神和范围内的替代、修改和等同物。
45、如本文所用，在“氘代的”或“未氘代的”中，术语“氘代的”是指该基团中的至少一个氢与氘重新配位。术语“未氘代的”是指该基团中的所有氢均不与氘重新配位。
46、本文中的“芳香族基团”、“芳基”或“芳香基”是指含有一个或多个芳香环的基团，这里的芳香环包括但不限于苯、萘、菲、芴、苊、吡啶、嘧啶、吡咯、呋喃、噻吩等。c6-c30的芳香族基团中的c6-c30是指该基团中含有6-30个碳原子。c1-c10烷基取代的c6-c20的芳香族基团中，c1-c10是指取代基的碳原子数，c6-c20是指不含取代基的芳香族基团的碳原子数。芳香族基团可分为单环芳基和多环芳基。本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含有三嗪结构的化合物，其特征在于，其化学结构式如式1所示：
2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于。
3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
4.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
6.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物为以下化合物中的任意一种：
7.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间形成的有机层；
8.如权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层中含有发光主体材料，所述发光主体材料由权利要求1-6中任一项所述的化合物及以下P-Type化合物中的任意一种或多种混合而成，所述P-Type化合物如下所示：
9.一种电子显示设备，其特征在于，含有如权利要求7所述的有机电致发光器件。
10.一种OLED照明设备，其特征在于，含有如权利要求7所述的有机电致发光器件。
【技术特征摘要】
1.一种含有三嗪结构的化合物，其特征在于，其化学结构式如式1所示：
2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于。
3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
4.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
5.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，
6.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物为以下化合物中的任意一种：
7.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极以及...
【专利技术属性】
技术研发人员：许军，郭帅，黄明辉，马汝杰，
申请(专利权)人：南京高光半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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