System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种NMD转接器及其制造方法技术_技高网

一种NMD转接器及其制造方法技术

技术编号:42368324 阅读:5 留言:0更新日期:2024-08-16 14:49
本发明专利技术涉及连接装置技术领域,尤其涉及一种NMD转接器及其制造方法,包括:热处理内导体;内导体完成冷却时,使用专用模具将内导体和第一绝缘体插入外导体;使用检测装置检测内导体和外导体是否偏心并根据检测结果对内导体和绝缘体进行调整;重复步骤S2用以安装第二绝缘体;重复步骤S3用以检测第二绝缘体是否安装合格至内部构件组装完成;组装外部构件;本发明专利技术利用上述方法,有效地减少了内导体在热处理过程中的径向变形,在给螺套重心提供支撑平衡的同时,提升了NMD转接器的使用寿命,有效地对NMD转接器生产质量进行把控的同时,有效提升了NMD转接器结构的稳定性,优化了NMD转接器的电气性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及连接装置,尤其涉及一种nmd转接器及其制造方法。


技术介绍

1、nmd是一种加强型机械结构壳体的端口,具备坚固耐用的特点,可以防止测试电缆(测试转接器)的精密同轴端口在使用过程中受损。随着毫米波时代的到来,越来越多工程师需要使用毫米波网络分析仪,用于连接的各种nmd转接器需求也越来越多。在仪器仪表测量设备中,nmd转接器作为连接外部测试线和内部电路,起一个桥梁作用的元器件,它的电气性能好与坏,综合决定了仪器仪表测量设备的好坏。因此,仪器仪表测试领域当中,通常把nmd转接器电气性能做到最优,以满足实际应用需求。nmd转接器内导体偏心会影响nmd转接器电气性能。用户如果在使用过程,与被测件对配,如果nmd转接器内导体偏心轻微,会造成nmd转接器特性阻抗的变化,产生较大的反射,如果nmd转接器内导体偏心严重,会使中心导体插孔倾斜,造成内导体不能很好的接触,导致内导体插孔花瓣插坏,进而没有办法测试产品实际电气性能,因此,对nmd转接器同心度管控是非常有必要的。同时,nmd转接器螺套的顺畅度,不卡涩也会影响nmd转接器电气性能。用户如果在使用过程,与被测件对配,nmd转接器螺套转动,非常的吃力,用力矩扳手打紧也会卡涩的话,严重影响用户体验感,同时也会造成nmd转接器螺套内部磨损,会有金属碎屑卡在螺套凹槽中,间接影响产品使用寿命,甚至严重一点会导致产品没有办法完全公母互配接触到位,进而没有办法测试产品实际电气性能。

2、中国专利授权公告号:cn113690699b。公开了一种浮动射频同轴连接器,该专利技术公开了一种浮动射频同轴连接器,属于电气元件
,第一外壳的阶梯型圆柱筒状结构的底部设置有第一绝缘子;第一插孔的圆柱体一端位于第一绝缘子空心圆柱体内圆孔内;第二外壳阶梯形圆柱筒的大筒位于第一外壳的阶梯型圆柱筒顶部圆筒的内部;弹簧设置在第二外壳小筒外侧;第三外壳小筒一端设置在第二外壳阶梯形圆柱筒的小筒内侧;第三外壳大筒内侧设置有第二绝缘子;第二绝缘子圆柱筒内及另一侧设置有第二插孔;衬套设置在第一外壳和第三外壳的外侧。所述浮动射频同轴连接器克服了原有的同类型浮动射频转接器的使用频率范围较小,浮动前后性能差别较大的缺点。实现了一种宽频带、低驻波、高可靠性的新型射频转接器。

3、中国专利授权公告号:cn109950762b。公开了一种双端浮动同轴射频转接器,该专利技术的转接器的两端射频插接端子之间连接有半柔同轴线,利用半柔同轴线的半柔性既可满足轴向和径向浮动的要求,同时,半柔同轴线的特性决定其还能满足射频转接器必须满足的相位一致性,半柔同轴线的内、外导体分别与两个射频插接端子的内导体组件和外导体组件电性连接,射频信号可在半柔同轴线的内、外导体之间的等厚度绝缘介质中传输,由于半柔同轴线的内、外导体之间的间距依靠环空内的绝缘层实现等间距,因此不会存在因变截面而导致的阻抗变化的问题,从而使得电压驻波比较好,大大提高射频信号的传输质量。

4、由此可见,上述技术方案存在以下问题,在射频转接器使用时,其浮动量通过压缩弹簧以及半柔同轴线的变形补偿,无法适应多次形变,且每次形变量无法准确控制,射频同轴连接器为一板端采用固定端连接器,中间是转接器,另一板端采用活动端连接器,使得转接器在轴向和径向有一定的浮动量,使传输线在使用过程中易损耗且使传输信号不稳定。


技术实现思路

1、为此,本专利技术提供一种nmd转接器及其制造方法,用以克服现有技术中在射频转接器使用时,其浮动量通过压缩弹簧以及半柔同轴线的变形补偿,无法适应多次形变,且每次形变量无法准确控制,射频同轴连接器为一板端采用固定端连接器,中间是转接器,另一板端采用活动端连接器,使得转接器在轴向和径向有一定的浮动量,使传输线在使用过程中易损耗且使传输信号不稳定的问题。

2、一方面,本专利技术提供一种nmd转接器制造方法,包括:

3、步骤s1,热处理内导体;

4、步骤s2,所述内导体完成冷却时,使用专用模具将所述内导体和第一绝缘体插入外导体;

5、步骤s3,使用检测装置检测所述内导体和外导体是否偏心并根据检测结果对所述内导体和所述绝缘体进行调整;

6、步骤s4,重复所述步骤s2用以安装第二绝缘体;

7、步骤s5,重复所述步骤s3用以检测所述第二绝缘体是否安装合格至内部构件组装完成;

8、步骤s6,组装外部构件;

9、其中,根据所述内导体在所述检测装置上的按压位置判断所述内导体是否安装合格;

10、若所述按压位置在第一区域,则判断安装合格;

11、若所述按压位置在第二区域,则判断安装不合格并根据所述按压位置调整内导体进行重新按压;

12、其中,所述外部构件包括螺套、c型扣环、母头外导体;所述内部构件包括所述内导体、所述第一绝缘体、所述第二绝缘体和所述外导体;所述专用模具包括上模、下模、辅助模和立式手压机。

13、进一步地,在所述步骤s3中若在所述检测装置上未发现所述按压位置,则判断所述内导体按压深度不够;

14、若所述内导体穿出所述检测装置的纸质底板,则判断所述内导体按压过深。

15、进一步地,所述步骤s2包括:

16、步骤s201,将所述上模和所述下模分别固定在所述立式手压机上,调整好压缩行程;

17、步骤s202,将所述外导体放入下模中,将所述内导体和所述第一绝缘体放入所述辅助模中,通过使用所述立式手压机驱动所述上模将所述内导体和所述第一绝缘体一起压进所述外导体中;

18、其中,所述压缩行程为确保所述上模和所述下模在垂直方向中心轴线重合的轨迹。

19、进一步地,在所述步骤s1中,进行热处理准备工作时,将所述内导体放入热处理治具的凹槽中,合拢所述热处理治具并锁紧;

20、其中,所述凹槽宽度比所述内导体外径大。

21、进一步地,在所述步骤s4中,将所述步骤s3中检测合格的半成品反转放入所述下模中时,开始安装所述第二绝缘体;

22、其中,所述半成品为在所述步骤s2中组装完成的产品,包括所述内导体、所述第一绝缘体和所述外导体。

23、另一方面,本专利技术提供一种nmd转接器,在nmd转接器的内导体上设置两个凹槽台阶用以放置第一绝缘体和第二绝缘体。

24、进一步地,所述检测装置底部为纸质底板,上部填充可塑性固体,包括第一区域和第二区域,所述第一区域为圆心在所述检测装置中心的实心圆,所述第二区域为圆心与所述第一区域圆心重合设置在所述第一区域外侧的圆环;

25、其中,所述第一区域的半径为所述内导体半径最大偏心距的和;所述第二区域半径为所述外导体的半径;所述最大偏心距与nmd转接器工作频率呈负相关;所述可塑性固体填充厚度与所述外导体长度呈正相关。

26、进一步地,所述第一绝缘体和所述第二绝缘体均设置为对称的两个半圆。

27、进一步地,nmd转接器螺套凹槽两侧增加清根处理;所述螺套本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种NMD转接器制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的NMD转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤S3中若在所述检测装置上未发现所述按压位置,则判断所述内导体按压深度不够;

3.根据权利要求2所述的NMD转接器制造方法,其特征在于,所述步骤S2包括:

4.根据权利要求3所述的NMD转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤S1中,进行热处理准备工作时,将所述内导体放入热处理治具的凹槽中,合拢所述热处理治具并锁紧;

5.根据权利要求4所述的NMD转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤S4中,将所述步骤S3中检测合格的半成品反转放入所述下模中时,开始安装所述第二绝缘体;

6.一种使用权利要求1-5任一权利要求所述NMD转接器制造方法的NMD转接器,其特征在于,在NMD转接器的内导体上设置两个凹槽台阶用以放置第一绝缘体和第二绝缘体。

7.根据权利要求6所述的NMD转接器,其特征在于,所述检测装置底部为纸质底板,上部填充可塑性固体,包括第一区域和第二区域,所述第一区域为圆心在所述检测装置中心的实心圆,所述第二区域为圆心与所述第一区域圆心重合设置在所述第一区域外侧的圆环;

8.根据权利要求7所述的NMD转接器,其特征在于,所述第一绝缘体和所述第二绝缘体均设置为对称的两个半圆。

9.根据权利要求8所述的NMD转接器,其特征在于,NMD转接器螺套凹槽两侧增加清根处理;所述螺套凹槽对应的C型扣环棱边进行倒角处理;

10.根据权利要求9所述的NMD转接器,其特征在于,在所述螺套与所述母头外导体接触的位置设置半圆形凸台,且所述半圆形凸台固定套设在对应的螺套上。

...

【技术特征摘要】

1.一种nmd转接器制造方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的nmd转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤s3中若在所述检测装置上未发现所述按压位置,则判断所述内导体按压深度不够;

3.根据权利要求2所述的nmd转接器制造方法,其特征在于,所述步骤s2包括:

4.根据权利要求3所述的nmd转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤s1中,进行热处理准备工作时,将所述内导体放入热处理治具的凹槽中,合拢所述热处理治具并锁紧;

5.根据权利要求4所述的nmd转接器制造方法,其特征在于,在所述步骤s4中,将所述步骤s3中检测合格的半成品反转放入所述下模中时,开始安装所述第二绝缘体;

6.一种使用权利要求1-5任一权利要求所述nmd转接器制造方法的nmd转接器,其特征在于,在n...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪艳军俞东伟王先鹏王世航张恒
申请(专利权)人:嘉兴翼波电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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