【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体封装，尤其涉及一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
技术介绍
1、随着电子产品多功能化和小型化的发展趋势，半导体封装结构的高密度集成显得尤为重要。扇出型3d封装结构相较于常规的封装结构具有灵活的三维封装路径，并且输入/输出(input/output，i/o)接口不依赖芯片尺寸，以及重布线层中易实现高密度布线，有利于提高器件的集成度。
2、在先进的3d封装方式中，通常需要在晶片上开设硅通孔(through silicon via，tsv)，并在通孔中塞入金属，因此难度很高，技术不成熟，价格昂贵。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种半导体封装方法、半导体组件及电子设备。
2、第一方面，本公开提供了一种半导体封装方法，包括：
3、提供第一塑封单元和第二塑封单元；其中，所述第一塑封单元包括第一载板、第一重布线层、第一连接结构、第一半导体器件、第一塑封层和第二重布线层，所述第一重布线层位于所述第一载板一侧，所述第一塑封层位于所述第一重布线层背离第一载板的一侧，第二重布线层位于所述第一塑封层背离所述第一重布线层的一侧，所述第一连接结构贯穿所述第一塑封层，且与所述第一重布线层和所述第二重布线层电连接，所述第一半导体器件包裹于所述第一塑封层中，与所述第一重布线层电连接；所述第二塑封单元包括第三重布线层、第二半导体器件、第二塑封层和第一连接端子，所述第二塑封层位于所述第三重布线层的一侧，所述第二半导体器件包裹于所述第二塑
4、将所述第二塑封单元的第一连接端子附接至所述第一塑封单元的第二重布线层；
5、形成第三塑封层，所述第三塑封层填充于所述第一连接端子与所述第二重布线层之间的间隙中；
6、去除所述第一载板，暴露出所述第一重布线层；
7、于所述第一重布线层背离所述第一半导体器件的一侧形成第二连接端子。
8、可选地，在提供第一塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
9、提供第一载板，于所述第一载板的一侧形成所述第一重布线层；
10、于所述第一重布线层背离所述第一载板的一侧形成所述第一连接结构；所述第一连接结构与所述第一重布线层电连接；
11、提供所述第一半导体器件，并将所述第一半导体器件的有源面附接至所述第一重布线层；
12、形成所述第一塑封层；所述第一塑封层包裹所述第一半导体器件和所述第一连接结构，且所述第一塑封层背离所述第一重布线层的一侧暴露出所述第一连接结构；
13、于所述第一塑封层背离所述第一重布线层的一侧形成所述第二重布线层，所述第二重布线层与所述第一连接结构电连接。
14、可选地，所述第二塑封单元还包括第二连接结构和第四重布线层，所述第二连接结构贯穿所述第二塑封层，所述第四重布线层位于所述第二塑封层背离第三重布线层的一侧，所述第四重布线层通过所述第二连接结构与所述第三重布线层电连接；
15、在所述形成第三塑封层之前，所述半导体封装方法还包括：
16、再提供所述第二塑封单元，并将该第二塑封单元的第一连接端子附接至位于该第二塑封单元下方的所述第二塑封单元的第四重布线层。
17、可选地，在提供第二塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
18、提供第二载板，于所述第二载板的一侧形成所述第三重布线层；
19、于所述第三重布线层背离所述第二载板的一侧形成所述第二连接结构；所述第二连接结构与所述第三重布线层电连接；
20、提供所述第二半导体器件，并将所述第二半导体器件的有源面附接至所述第三重布线层；
21、形成所述第二塑封层；所述第二塑封层包裹所述第二半导体器件和所述第二连接结构，且所述第二塑封层背离所述第三重布线层的一侧暴露出所述第二连接结构；
22、于所述第二塑封层背离所述第三重布线层的一侧形成第四重布线层，所述第四重布线层与所述第二连接结构电连接；
23、去除所述第二载板，暴露出所述第三重布线层；
24、于所述第三重布线层背离所述第二半导体器件的一侧形成所述第一连接端子。
25、可选地，在于所述第一重布线层背离所述第一半导体器件的一侧形成第二连接端子之后，所述半导体封装方法还包括：
26、提供基板，将所述基板与所述第二连接端子附接。
27、可选地，在将所述基板与所述第二连接端子附接之后，所述半导体封装方法还包括：
28、形成第四塑封层；所述第四塑封层填充于所述第一重布线层与所述基板之间的间隙中。
29、可选地，在形成第四塑封层之后，所述半导体封装方法还包括：
30、提供金属盖，并将金属盖固定盖设于所述基板朝向所述第一塑封单元的一侧；所述金属盖包括盖板和框体，所述盖板和所述框体形成容置腔，所述第一塑封单元和所述第二塑封单元位于所述容置腔内。
31、可选地，在将金属盖固定盖设于所述基板朝向所述第一塑封单元的一侧之后，所述半导体封装方法还包括：
32、于所述基板背离所述第二连接端子的一侧形成外连接端子。
33、第二方面，本公开还提供了一种半导体组件，所述半导体组件是通过上述人一种半导体封装方法进行封装的。
34、第三方面，本公开还提供了一种电子设备，包括：上述半导体组件。
35、本公开提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
36、本公开提供的半导体封装方法、半导体组件及电子设备，在该半导体封装方法中，第一塑封单元的第一半导体器件倒装于第一重布线层，并通过第一重布线层和第一连接结构与第二重布线层电连接；第二塑封单元的第二半导体器件倒装于第三重布线层，通过第三重布线层与第一连接端子电连接；通过第一连接端子和第二重布线层附接，实现第一半导体器件和第二半导体器件的叠层互连，与硅通孔技术相比，无需穿孔，工艺成本较低。
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1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供第一塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二塑封单元还包括第二连接结构和第四重布线层，所述第二连接结构贯穿所述第二塑封层，所述第四重布线层位于所述第二塑封层背离第三重布线层的一侧，所述第四重布线层通过所述第二连接结构与所述第三重布线层电连接；
4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供第二塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在于所述第一重布线层背离所述第一半导体器件的一侧形成第二连接端子之后，所述半导体封装方法还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，在将所述基板与所述第二连接端子附接之后，所述半导体封装方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在形成第四塑封层之后，所述半导体封装方法还包括：
8.根据权利要求
9.一种半导体组件，其特征在于，所述半导体组件是通过如权利要求1-8任一项所述的半导体封装方法进行封装的。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求9所述的半导体组件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供第一塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第二塑封单元还包括第二连接结构和第四重布线层，所述第二连接结构贯穿所述第二塑封层，所述第四重布线层位于所述第二塑封层背离第三重布线层的一侧，所述第四重布线层通过所述第二连接结构与所述第三重布线层电连接；
4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，在提供第二塑封单元之前，所述半导体封装方法还包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，在于所述第一重布线层背离所述第一半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：上海易卜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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