【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种校准外延生长装置的温度的方法，并且更具体地涉及一种被配置为均匀地校准设备之间的温度偏差以便克服外延生长装置中用于外延晶片的设备之间的质量差异的校准外延生长装置的温度的方法。
技术介绍
1、图1是示出传统的温度校准过程的视图，由于温度校准过程是已知的，所以将对其进行简要描述。
2、执行预防性维护(pm)。在pm之后，使用高温计测量外延生长装置的腔室中的温度，并且必要时执行温度校准。
3、执行调节以从石英和sic部件排出湿气或有机物，以减少腔室中的污染物。此外，执行调节以稳定内部部件，使得高温计不会由于内部部件因为热而变形而读取不准确的温度。
4、执行二次验证，以再次检查由先前调节而热变形的石英和sic部件是否就位，并且必要时执行校准。随后，使用高温计再次校准温度。
5、随后，再次执行调节，并执行大规模生产。
6、传统的温度校准过程调整发射率以识别在相同功率(例如90kw)下的相同温度而不考虑外延生长装置的每个腔室的热特性或热容量。作为调整发射率的结果，当使用相同的配方时，注入相同的功率；然而，只有注入因子保持不变而没有考虑腔室的热特性，这导致了质量特性的差异。特别地，晶片的边缘区域对温度非常敏感，并且因此边缘区域的平坦度的质量变化。
7、常规地，温度与雾度的匹配，在执行实际外延生长之后测量雾度。雾度测量是对硅的由于生长及其晶面导致的阶地结构的测量，并且如果阶地结构受到影响，雾度测量值可能会被影响。在实际评估中，雾度与温度以及随后的质量之间的相关性
8、此外，腔室中石英部件的局部外延生长存在差异，导致雾度值波动。
9、同时，基板的斜角对雾度具有很大的影响，并且由于处理设备而发生散射。在实际外延生长的情况下，存在难以获得相同基板(晶片)以及不可能进行预先检查的问题。
10、[现有技术文件]
11、[专利文件]
12、日本专利申请公开文本2007-116094号
技术实现思路
1、实施例提供了一种校准外延生长装置的温度的方法，该方法被配置为解决所述外延生长装置的设备之间的温度偏差的问题，由此弥补外延生长装置的设备之间的温度偏差和质量偏差的问题。
2、实施例的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员基于以下描述将能够清楚地理解其他未提及的目的。
3、在一个实施例中，一种校准外延生长装置的温度的方法被配置为使得当校准外延生长装置的温度时，测量晶片的取决于外延生长装置的温度的雾度，以获得晶片的温度与雾度之间的相关性表达，随后测量由外延生长装置进行热处理的晶片的雾度，根据相关性表达确定测得的雾度值是否与温度值一致，并且在不一致的情况下，根据相关性表达用温度值校准外延生长装置的热处理温度。
4、一种校准外延生长装置的温度的方法可以包括：第一步骤，制备具有相同斜角的多个晶片；第二步骤，将在所述第一步骤中制备的所述多个晶片放置在多个外延生长装置中的每一个外延生长装置中，在相同温度条件下执行热处理，并测量每个晶片的雾度，从而评估设备特定的所述雾度的可再现性；第三步骤，准备在所述外延生长装置的内部设置温度与所述外延生长装置的内部测得温度之间没有偏差的标准外延生长装置；第四步骤，当在所述第二步骤中确认雾度可再现性时，将在所述第一步骤中制备的所述晶片放置于在所述第三步骤中准备的所述标准外延生长装置中，根据所述标准外延生长装置的所述内部设置温度测量所述雾度，并且获得所述温度与所述晶片的雾度之间的相关性表达；以及第五步骤，当通过所述外延生长装置制造所述外延晶片时测量所处理的晶片的雾度，确定所测得的雾度值和所述外延生长装置的所述内部设置温度是否与在所述第四步骤中获得的所述相关性表达的值匹配，并且在不一致的情况下根据所述相关性表达的值校准所述外延生长装置的所述内部设置温度。
5、在第四步骤中，标准腔室的内部设置温度在实际操作的热处理温度范围内以规则的温度间隔设置以测量雾度。
6、设置温度在1100℃至1200℃的范围内以10℃间隔设置。
7、在另一个实施例中，通过该方法运行外延生长装置。
8、本公开的模式仅仅是优选实施例中的一些，并且具有在其中反映的本公开的技术特征的各种实施例可以由本领域普通技术人员基于以下具体实施例的详细描述来推导和理解。
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1.一种校准外延生长装置的温度的方法，其特征在于
2.一种校准外延生长装置的温度的方法，其特征在于，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第四步骤中，所述外延生长装置的所述内部设置温度在实际操作的热处理温度范围内以规则的温度间隔设置以测量所述雾度。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述设置温度在1100℃至1200℃的范围内以10℃间隔设置。
5.一种外延生长装置，其特征在于，所述外延生长装置通过根据权利要求1至4中任一项所述的方法来运行。
【技术特征摘要】
1.一种校准外延生长装置的温度的方法，其特征在于
2.一种校准外延生长装置的温度的方法，其特征在于，所述方法包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第四步骤中，所述外延生长装置的所述内部设置温度在实际操作的热处理温度范围...
【专利技术属性】
技术研发人员：卞泓复，金成奂，赵万起，马在夏，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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