【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管的转移方法及其发光二极管。
技术介绍
1、发光二极管作为一种可以发光的半导体器件，被用于显示、装饰、通讯等领域中。
2、微型发光二极管为发光二极管中的一种，其具有较小的尺寸。相关技术提供了一种微型发光二极管的转移方法，包括：通过键合层将外延结构键合到衬底，键合层为吸光层；制作反射层，反射层覆盖外延结构；制作贯穿反射层与外延结构连接的电极结构；制作钝化层，钝化层覆盖键合层的表面、外延结构的侧面、反射层的侧面和反射层的表面；将电极结构与基板键合；依次去除衬底和键合层，衬底采用激光剥离技术去除。
3、然而，采用激光剥离衬底时，会产生较多的钝化层碎屑，一方面不利于发光二极管的外观，另一方面会不利于发光二极管的可靠性。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管的转移方法及发光二极管，可以降低该发光二极管采用激光剥离衬底时，产生的钝化层碎屑的数量，从而提升发光二极管的可靠性。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管的转移方法，所述方法包括：
3、通过键合层将外延结构键合到衬底，所述键合层为吸光层；
4、对所述键合层进行图形化处理，使所述键合层的面积小于所述外延结构的面积；
5、制作反射层，所述反射层覆盖所述外延结构；
6、制作贯穿所述反射层与所述外延结构连接的电极结构；
7、制作钝化层，所述钝化层为透光层，所述钝化层包括相连的第一部
8、将所述电极结构与基板键合；
9、依次去除所述衬底和所述键合层，所述衬底采用激光剥离技术去除。
10、可选地，对所述键合层进行图形化处理，包括：
11、对所述键合层进行化学刻蚀，所述化学刻蚀采用的气体包括cl2和bcl3。
12、可选地，所述化学刻蚀的刻蚀时长为630s～770s。
13、可选地，对所述键合层进行化学刻蚀，包括：
14、对所述键合层进行第一次化学刻蚀，所述第一次化学刻蚀采用的cl2与bcl3的比例为18:82～22:78；
15、对所述键合层进行第二次化学刻蚀，所述第二次化学刻蚀采用的cl2与bcl3的比例为68:32～72:28，所述第一次化学刻蚀的刻蚀时长与所述第二次化学刻蚀的刻蚀时长之比为4:1～8:1。
16、可选地，所述衬底与所述外延结构之间具有环绕所述键合层的间隙，所述第二部分位于所述间隙处，所述间隙的最宽处的宽度小于或等于3μm，所述间隙的最窄处的宽度大于或等于2μm。
17、可选地，所述键合层的厚度为0.5～1μm。
18、可选地，所述键合层的材料为光刻胶、苯并环丁烯、硅胶中的任意一种。
19、可选地，所述通过键合层将外延结构键合到衬底，包括：
20、在第一临时衬底表面制作依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，形成所述外延结构；
21、在所述第二半导体层的表面键合第二临时衬底；
22、去除所述第一临时衬底；
23、在所述衬底表面形成所述键合层；
24、通过所述键合层键合所述衬底与所述第一半导体层；
25、去除所述第二临时衬底。
26、可选地，所述键合的温度为280～320℃。
27、另一方面，提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如上任一项所述的方法形成，所述发光二极管包括：
28、基板、外延结构、反射层、钝化层、电极结构；
29、所述反射层覆盖所述外延结构；所述电极结构贯穿所述反射层与所述外延结构连接；所述钝化层为透光层，所述钝化层覆盖所述外延结构的侧面、所述反射层的侧面和所述反射层的表面；所述基板与所述电极结构键合。
30、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
31、在本公开实施例中，通过在衬底表面形成键合层，采用键合层将衬底与外延结构键合，键合层覆盖衬底的表面。在后续步骤中，通过对键合层进行图形化处理，使键合层的面积小于外延结构的面积，从而在制作钝化层时，使得覆盖在衬底表面的钝化层与衬底直接贴合，钝化层和衬底之间没有键合层。采用激光分离衬底时，由于键合层为吸光层，因此键合层受到激光影响会与衬底分离并保留在外延结构上，而钝化层为透光层，因此钝化层中位于衬底表面的第二部分，不会受到激光影响，继续保留在衬底表面，在后续激光分离衬底时跟随衬底一起从外延结构上脱离，且钝化层的第二部分不会脱离衬底形成钝化层碎屑，从而降低分离衬底时钝化层碎屑的数量，提升发光二极管的可靠性。生长钝化层时，由于外延结构与衬底之间具有间隙，因此在此空隙的边缘位置，也即钝化层的第一部分与第二部分的交界处会较为脆弱，容易断开，同时钝化层的第二部分并非完全填充外延结构与衬底之间的空隙，因此钝化层的第二部分不会影响到激光剥离衬底。
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1.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述键合层(104)进行图形化处理，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀的刻蚀时长为630s～770s。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述键合层(104)进行化学刻蚀，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底(100)与所述外延结构(1000)之间具有环绕所述键合层(104)的间隙，所述第二部分位于所述间隙处，所述间隙的最宽处的宽度小于或等于3μm，所述间隙的最窄处的宽度大于或等于2μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合层(104)的厚度为0.5～1μm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合层(104)的材料为光刻胶、苯并环丁烯、硅胶中的任意一种。
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述通过键合层(104)将外延结构(1000)键合到衬底(100)，包括：
9.根据权利要求
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求1至9任一项所述的方法形成，所述发光二极管包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的转移方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述键合层(104)进行图形化处理，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学刻蚀的刻蚀时长为630s～770s。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述键合层(104)进行化学刻蚀，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底(100)与所述外延结构(1000)之间具有环绕所述键合层(104)的间隙，所述第二部分位于所述间隙处，所述间隙的最宽处的宽度小于或等于3μm，所述间隙的最窄处的宽度大于或...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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