【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示屏，特别涉及一种低温多晶硅阵列基板制作工艺。
技术介绍
1、低温多晶硅（low temperature poly-silicon，ltps）的简写，具有高迁移率、高解析度等优势，广泛用于显示装置领域中。通常在低温多晶硅显示面板中包括挡光层（lightshield，ls）来遮挡，以避免漏电流增加。
2、在低温多晶硅显示面板生成工艺中，掩膜版作为转移微细图形的工具，用于掩膜制造工艺的批量复制生产，在基板生产中具有承上启下的关键作用，是显示设备产业链中不可或缺的重要环节。基板生产工艺过程中，有多少次光刻就需要多少张不同图形的掩膜版，掩膜版的数量代表了基板生产过程中采用的光刻工艺子流程的数目，减少掩膜版的数量和光刻的次数是提高成品率、缩短制作周期、降低能耗的关键。
3、掩膜版价格昂贵，而且掩膜版设计、制作、运输或保存等过程中有任何差错，掩膜版就无法使用，给设计者和生产者均带来很大困扰。
4、掩膜版在低温多晶硅显示面板的成本中占比较大，因此，需要不断的改进生成工艺，降低低温多晶硅显示面板的生产成本，来提高产品竞争力。
技术实现思路
1、现有的低温多晶硅显示面板的生产工艺成本较高，导致产品的竞争力下降。
2、针对上述问题，提出一种低温多晶硅阵列基板制作工艺，通过在玻璃基板上利用第一掩膜版制作遮光层，并在制作隔离层上再次利用第一掩膜版制作栅极层，大大降低了阵列基板的制作成本。
3、一种低温多晶硅阵列基板制作工艺，包括：
4、步骤100、在玻璃基板上以第一掩膜版制作遮光层；
5、步骤200、制作缓冲层，使所述缓冲层覆盖所述遮光层，并在所述缓冲层上依次制作第一多晶硅层、漏极层及第二多晶硅层，所述第一多晶硅层、漏极层及第二多晶硅层相连接且位于同一层；
6、步骤300、制作隔离层，使所述隔离层覆盖所述第一多晶硅层、漏极层及第二多晶硅层，并在所述隔离层上以所述第一掩膜版制作栅极层。
7、结合本专利技术所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，第一种可能的实施方式中，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
8、步骤400、制作绝缘层，使所述绝缘层覆盖所述栅极层；
9、步骤500、制作第一过孔，并在所述绝缘层上制作数据线金属层，使得所述数据线金属层通过所述第一过孔与所述第一多晶硅层过孔连接。
10、结合本专利技术第一种可能的实施方式，第二种可能的实施方式中，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
11、步骤600、制作平坦层，使得所述平坦层覆盖所述数据线金属层；
12、步骤700、在所述平坦层上制作透明公共电极层。
13、结合本专利技术第二种可能的实施方式，第三种可能的实施方式中，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
14、步骤800、制作钝化层，并使所述钝化层覆盖所述透明公共电极层；
15、步骤900、在所述钝化层上制作像素电极层；
16、步骤910、制作第二过孔，使所述第二过孔与所述第一过孔中的一个相接，使得所述像素电极层通过所述第二过孔、第一过孔与所述第一多晶硅层过孔连接。
17、结合本专利技术所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，第四种可能的实施方式中，所述步骤200包括：
18、步骤210、在所述玻璃基板上沉积所述缓冲层，并在所述缓冲层上依次沉积第一多晶硅层、漏极层及第二多晶硅层；
19、步骤220、采用灰色调掩膜版通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极的图案。
20、结合本专利技术第四种可能的实施方式，第五种可能的实施方式中，所述步骤210包括：
21、步骤211、采用磁控溅射沉积漏极层金属；
22、步骤212、涂覆一层光刻胶，并通过曝光工艺去除多余光刻胶；
23、步骤213、通过湿法刻蚀工艺进行刻蚀，依次刻蚀掉光刻胶完全去除区域的漏极层金属、第一多晶硅层的材料及第二多晶硅层的材料，形成数据线、源电极和漏电极的图案。
24、结合本专利技术所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，第六种可能的实施方式中，所述步骤300包括：
25、步骤310、在所述隔离层沉积栅极金属薄膜；
26、步骤320、通过构图工艺形成栅极线及栅电极的图案。
27、结合本专利技术第一种可能的实施方式，第七种可能的实施方式中，所述步骤500包括：
28、步骤510、通过刻蚀去除所述漏极层上方的绝缘层、隔离层，形成所述第一过孔；
29、步骤520、在所述第一过孔中沉积所述数据线金属层的金属材料，使所述数据线金属层与所述第一多晶硅层连接。
30、结合本专利技术第一种可能的实施方式，第八种可能的实施方式中，所述步骤910包括：
31、步骤911、通过首次刻蚀来刻蚀所述第一过孔与第二过孔的接口区域保留的部分薄膜；
32、步骤912、通过二次刻蚀来刻蚀掉第一过孔上方的平坦层及钝化层的薄膜，形成第二过孔的图案；
33、步骤913、在所述第二过孔沉积像素电极层的材料，使得所述像素电极层通过所述第二过孔、第一过孔与所述第一多晶硅层过孔连接。
34、结合本专利技术所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，第一种可能的实施方式中，所述第一多晶硅层为poly导体层，所述第二多晶硅层为poly半导体层。
35、实施本专利技术所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，通过在玻璃基板上利用第一掩膜版制作遮光层，并在制作隔离层上再次利用第一掩膜版制作栅极层，大大降低了阵列基板的制作成本。
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1.一种低温多晶硅阵列基板制作工艺，特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤200包括：
6.根据权利要求5所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤210包括：
7.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤300包括：
8.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤500包括：
9.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤910包括：
10.根据权利要求1-9任一项所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述第一多晶硅
...【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅阵列基板制作工艺，特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板制作工艺还包括：
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤200包括：
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张东琪，伍小丰，曾世友，付浩，张松岩，卓少钟，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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