【技术实现步骤摘要】
本申请涉及谐振器，具体而言，涉及一种体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、射频滤波器被广泛应用在雷达通信、射频前端等军用、民用领域。薄膜体声波谐振器(fbar)凭借高品质因子、低损耗、高可靠性、小型化等性能，成为搭建射频带通滤波器的关键组件之一。现有的体声波谐振器一般直接在硅衬底生长压电薄膜，但由于硅衬底和压电薄膜的晶格失配等原因，导致压电薄膜的质量较低，影响和制约谐振器的性能。
2、目前，随着研究的逐渐深入，已经发展出了从压电材料方面着手，通过制备高质量压电薄膜来实现谐振器性能的进一步提升，但如何把高质量晶体压电薄膜应用到器件上是一大难题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种体声波谐振器及其制备方法。
2、为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
3、本申请实施例的一方面，提供一种体声波谐振器制备方法，方法包括：
4、提供第一衬底以及位于第一衬底上的单晶薄膜层；
5、在单晶薄膜层背离第一衬底的表面形成压电堆叠膜层，其中，压电堆叠膜层包括依次形成于第一衬底表面的顶电极、压电层和底电极；
6、在压电堆叠膜层背离第一衬底的一侧键合第二衬底；
7、去除第一衬底，以通过单晶薄膜层抑制压电层释放应力。
8、可选地，在去除第一衬底，以通过单晶薄膜层抑制压电层释放应力之后，方法还包括：
9、对单晶薄膜层进行刻蚀以形成位于顶电极表面的微结构。<...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述第一衬底，以通过所述单晶薄膜层抑制所述压电层释放应力之后，所述方法还包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述单晶薄膜层进行刻蚀以形成位于所述顶电极表面的微结构包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶薄膜层背离所述第一衬底的表面形成压电堆叠膜层之后，所述方法还包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述压电堆叠膜层背离所述第一衬底的一侧键合第二衬底包括：
6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述提供第一衬底以及位于所述第一衬底上的单晶薄膜层包括：
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述单晶材料层通过键合层键合至所述第一衬底包括：
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶薄膜层的材料为碳化硅。
9.一种体声波谐振器制备方法，其特征在于，所述方法包括：
10.一种体声波谐振器，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述第一衬底，以通过所述单晶薄膜层抑制所述压电层释放应力之后，所述方法还包括：
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述单晶薄膜层进行刻蚀以形成位于所述顶电极表面的微结构包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述单晶薄膜层背离所述第一衬底的表面形成压电堆叠膜层之后，所述方法还包括：
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述压电堆叠膜层背离...
【专利技术属性】
技术研发人员：林炳辉，蔡耀，邹杨，周杰，高超，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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