【技术实现步骤摘要】
本技术涉及驱动芯片，尤其涉及一种带过压和过温保护的驱动芯片。
技术介绍
1、驱动芯片是一种集成电路芯片，它通常被用于控制和驱动外部设备。驱动芯片可以通过输入和输出信号来控制设备的运作，驱动芯片通常具有特定的功能和特性，以满足不同设备的驱动需求，驱动芯片的选择取决于所需驱动的设备类型和规格，不同的设备需要不同类型的驱动芯片，以确保正确的信号转换和适当的电流和电压输出，在选择驱动芯片时，需要考虑设备要求、接口类型、功耗、可靠性和成本的因素来进行挑选合适的驱动芯片。
2、传统的过压过温保护驱动芯片，工作在0～10v的情况下，且过压保护响应比较缓慢，芯片的电源突然增大时，过压保护模块还没来得及响应，芯片往往被烧坏，且内部没有配备电荷泵模块，导致内部驱动mos内阻较大，需要较大的面积，因此，本领域技术人员提供了一种带过压和过温保护的驱动芯片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其过压保护响应速度高，以及通过升压电荷泵电路对栅极升压来减小驱动mos内阻，从而减小面积和成本。
2、为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案：
3、一种带过压和过温保护的驱动芯片，包括带隙基准、vref和修调，所述带隙基准连接有过温保护模块和线性稳压器，所述线性稳压器连接有过压保护模块，所述过压保护模块与过温保护模块均连接有振荡器，所述振荡器连接有升压电荷泵，所述升压电荷泵连接有驱动
4、所述过压保护模块与振荡器连接的过程中并与升压电荷泵连接，所述过温保护模块与振荡器连接的过程中并与升压电荷泵连接；
5、通过上述技术方案，通过带隙基准与线性稳压器和过温保护模块进行连接，给予了线性稳压器提供基准电压，给予过温保护模块提供正温度系数电流来产生参考比较电压，通过线性稳压器与过压保护模块连接，使过压保护模块与过温保护模块与振荡器进行连接，提高过压保护响应的速度来通过升压带电荷泵对栅极升压减少驱动mos内阻，减少面积和成本。
6、进一步地，所述修调与线性稳压器连接，所述vref连接在线性稳压器与过压保护模块之间；
7、通过上述技术方案，通过在线性稳压器中加入4位修调，来提高提供给过压保护模块vref的精度。
8、进一步地，所述过温保护模块与过压保护模块内部均采用高速比较器来加强芯片的保护响应时间；
9、通过上述技术方案，使过温保护模块与过压保护模块内加强芯片保护的保护响应的时间为10ns。
10、进一步地，所述振荡器与升压电荷泵使用的时候触发保护条件后迅速关闭并且将驱动mos上栅极的电荷迅速放掉；
11、通过上述技术方案，使保护条件触发后通过逻辑信号控制振荡器与电荷泵迅速关闭，并将驱动mos上栅极的电荷迅速放掉，从而保护外部设备。
12、进一步地，所述升压电荷泵正常工作的时候对振荡器的时钟信号输出倍压信号；
13、通过上述技术方案，当正常工作时，电荷泵通过振荡器的时钟信号来输出倍压信号，增强驱动mos的驱动能力，从而做到减小驱动mos的内阻，减小发热功率，并给外部设备供电。
14、进一步地，所述带隙基准给线性稳压器提供基准电压；
15、通过上述技术方案，提供基准电压可以提供稳定、精确的电压参考。
16、进一步地，所述过温保护模块过温保护为150摄氏度，迟滞温度为85摄氏度；
17、通过上述技术方案，使过温保护模块在温度达到一定的条件后进行过温保护。
18、本技术具有如下有益效果：
19、1、本技术提出的一种带过压和过温保护的驱动芯片，耐压3-30v，过压保护响应时间10ns，过温保护150摄氏度，迟滞温度85摄氏度，其主要包括带隙基准电路，线性稳压器，压控振荡器和电荷泵升压电路，与传统方案相比，此芯片过压保护响应速度高，以及通过升压电荷泵电路对栅极升压来减小驱动mos内阻，其过压保护响应速度高，以及通过升压电荷泵电路对栅极升压来减小驱动mos内阻，从而减小面积和成本，并将驱动mos上栅极的电荷迅速放掉，从而保护外部设备。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种带过压和过温保护的驱动芯片，包括带隙基准(1)、Vref(5)和修调(3)，其特征在于：所述带隙基准(1)连接有过温保护模块(2)和线性稳压器(4)，所述线性稳压器(4)连接有过压保护模块(6)，所述过压保护模块(6)与过温保护模块(2)均连接有振荡器(7)，所述振荡器(7)连接有升压电荷泵(8)，所述升压电荷泵(8)连接有驱动MOS(9)；
2.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述修调(3)与线性稳压器(4)连接，所述Vref(5)连接在线性稳压器(4)与过压保护模块(6)之间。
3.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述过温保护模块(2)与过压保护模块(6)内部均采用高速比较器来加强芯片的保护响应时间。
4.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述振荡器(7)与升压电荷泵(8)使用的时候触发保护条件后迅速关闭并且将驱动MOS(9)上栅极的电荷迅速放掉。
5.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述升压电荷
6.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述带隙基准(1)给线性稳压器(4)提供基准电压。
7.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述过温保护模块(2)过温保护为150摄氏度，迟滞温度为85摄氏度。
...【技术特征摘要】
1.一种带过压和过温保护的驱动芯片，包括带隙基准(1)、vref(5)和修调(3)，其特征在于：所述带隙基准(1)连接有过温保护模块(2)和线性稳压器(4)，所述线性稳压器(4)连接有过压保护模块(6)，所述过压保护模块(6)与过温保护模块(2)均连接有振荡器(7)，所述振荡器(7)连接有升压电荷泵(8)，所述升压电荷泵(8)连接有驱动mos(9)；
2.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述修调(3)与线性稳压器(4)连接，所述vref(5)连接在线性稳压器(4)与过压保护模块(6)之间。
3.根据权利要求1所述的一种带过压和过温保护的驱动芯片，其特征在于：所述过温保护模块(2)与过压保护模块(6)内部均...
【专利技术属性】
技术研发人员：何雨龙，吴煜，
申请(专利权)人：苏州锐迪联电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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