【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及空间辐射效应及加固，更为具体来说，本专利技术涉及一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法及装置。
技术介绍
1、随着工艺尺度的缩减，晶体管的尺寸和间距越来越小，一个入射粒子可能作用于多个单元，且敏感区域的分布更加复杂，这对单粒子效应的准确测试提出了更高的要求，需要在地面单粒子辐照试验评价方法中进行研究考虑。
2、飞秒脉冲激光试验相比于重离子试验来说，具有成本低、易于重复操作、无辐射危害等优点，已逐渐成为单粒子效应重离子试验的有利替代者。但是，随着半导体技术的不断发展，器件工艺尺寸将不断减小，尤其是对先进超快器件来说，其运行速率非常快，器件内部单元的开关时间非常短；较宽脉冲激光的电离响应时间滞后于电路响应时间，难以实现高压碳化硅功率器件的单粒子效应模拟；同时，脉冲激光的脉宽过大还会增大单粒子烧毁的阈值，脉冲激光的脉宽过大导致出现多个敏感节点同时吸收足够的感应电荷，导致在大于能量阈值的时候发生单粒子烧毁效应，影响试验的准确性。这些问题使得以往的测试方法不能完全实现高压碳化硅功率器件的单粒子效应模拟试验要求。为此，急需提出一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法及装置。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法及装置。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的
2、第一方面，本申请提供了一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，该方法包括：
3、获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布和被测器件表面能量反射率；
4、根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图；
5、设置所述单粒子烧毁测试的采集电路触发阈值；
6、根据所述采集电路触发阈值和所述扫描点分布二维图，并调整所述聚焦深度，获得所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3d分布。
7、根据一种优选实施方式，所述获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布，包括：
8、通过红外摄像机获取单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域和飞秒脉冲激光的聚焦点所在深度，以及所述被测器件金属布线分布；
9、将所述被测器件敏感区域和飞秒脉冲激光的聚焦点所在深度作为所述单粒子烧毁测试的聚焦深度。
10、根据一种优选实施方式，所述获取单粒子烧毁测试的被测器件表面能量反射率，包括：
11、通过外置飞秒脉冲激光能量计，获取单粒子烧毁测试的校准飞秒脉冲激光终端能量；
12、通过内置飞秒脉冲激光能量计，获取单粒子烧毁测试的被测器件表面反射脉冲激光能量；
13、根据所述校准飞秒脉冲激光终端能量和所述被测器件表面反射脉冲激光能量，得到所述单粒子烧毁测试的被测器件表面能量反射率。
14、根据一种优选实施方式，所述根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图，包括：
15、根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，确定所述单粒子烧毁测试的扫描数据；
16、根据所述扫描数据，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图。
17、根据一种优选实施方式，所述根据所述采集电路触发阈值和所述扫描点分布二维图，并调整所述聚焦深度，获得所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3d分布，包括：
18、通过调整所述聚焦深度，在所述采集电路触发阈值对所述扫描点分布二维图进行扫描时，获得所述单粒子烧毁测试的各个所述聚焦深度对应的单粒子烧毁效应触发信息；
19、根据各个所述聚焦深度对应的单粒子烧毁效应触发信息，确定所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3d分布。
20、第二方面，本申请提供了一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试装置，该装置包括：
21、获取模块，用于获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布和被测器件表面能量反射率；
22、扫描图生成模块，用于根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图；
23、设置模块，用于设置所述单粒子烧毁测试的采集电路触发阈值；
24、敏感区域确定模块，用于根据所述采集电路触发阈值和所述扫描点分布二维图，并调整所述聚焦深度，获得所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3d分布。
25、根据一种优选实施方式，所述获取模块，具体用于：
26、通过红外摄像机获取单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域和飞秒脉冲激光的聚焦点所在深度，以及所述被测器件金属布线分布；
27、将所述被测器件敏感区域和飞秒脉冲激光的聚焦点所在深度作为所述单粒子烧毁测试的聚焦深度。
28、根据一种优选实施方式，所述获取模块，具体用于：
29、通过外置飞秒脉冲激光能量计，获取单粒子烧毁测试的校准飞秒脉冲激光终端能量；
30、通过内置飞秒脉冲激光能量计，获取单粒子烧毁测试的被测器件表面反射脉冲激光能量；
31、根据所述校准飞秒脉冲激光终端能量和所述被测器件表面反射脉冲激光能量，得到所述单粒子烧毁测试的被测器件表面能量反射率。
32、根据一种优选实施方式，所述扫描图生成模块，具体用于：
33、根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，确定所述单粒子烧毁测试的扫描数据；
34、根据所述扫描数据，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图。
35、根据一种优选实施方式，所述敏感区域确定模块，具体用于：
36、通过调整所述聚焦深度，在所述采集电路触发阈值对所述扫描点分布二维图进行扫描时，获得所述单粒子烧毁测试的各个所述聚焦深度对应的单粒子烧毁效应触发信息；
37、根据各个所述聚焦深度对应的单粒子烧毁效应触发信息，确定所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3d分布。
38、第三方面，本申请提供一种计算机存储介质，计算机存储介质存储有多条指令，指令适于由处理器加载并执行上述的方法步骤。
39、第四方面，本申请提供一种终端，可包括：处理器和存储器；其中，存储器存储有计算机程序，计算机程序适于由处理器加载并执行上述的方法步骤。
40、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：
41、在本申请中，所述利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布和被测器件表面能量反射率；根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图；设置所述单粒子烧毁测试的采集电路触发阈值；根据所述采集本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布，包括：
3.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述获取单粒子烧毁测试的被测器件表面能量反射率，包括：
4.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图，包括：
5.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述根据所述采集电路触发阈值和所述扫描点分布二维图，并调整所述聚焦深度，获得所述单粒子烧毁测试的被测器件敏感区域3D分布，包括：
6.一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试装置，其特征在于，所述获取模块，具体用于：
8.根据权利
9.根据权利要求6所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试装置，其特征在于，所述扫描图生成模块，具体用于：
10.根据权利要求6所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试装置，其特征在于，所述敏感区域确定模块，具体用于：
...【技术特征摘要】
1.一种利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述获取单粒子烧毁测试的聚焦深度、被测器件金属布线分布，包括：
3.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述获取单粒子烧毁测试的被测器件表面能量反射率，包括：
4.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述根据所述被测器件金属布线分布和所述被测器件表面能量反射率，生成所述单粒子烧毁测试的扫描点分布二维图，包括：
5.根据权利要求1所述的利用飞秒脉冲激光的单粒子烧毁测试方法，其特征在于，所述根据所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晨光，安恒，李得天，王鷁，张剑锋，郭睿，王俊，文轩，杨生胜，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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