【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种高电子迁移率晶体管和集成hemt器件。
技术介绍
1、砷化镓高电子迁移率晶体管（hemt）以及赝晶高电子迁移率晶体管（phemt）广泛应用于军事雷达系统、微波通讯、空间技术等领域。而随着我国国防现代化的不断发展与通信系统的不断革新，对于phemt 器件的需求也愈加强烈，相应地，对于器件的性能要求也越来越高。为了获得高效率高电子迁移率晶体管，metal/gaas界面的优化以及降低电极的接触电阻是必须要克服的技术难题。
2、目前，高电子迁移率晶体管器件为实现低温下的低欧姆接触，主要采用带隙更窄的in0.2ga0.8as作为使用，从而降低欧姆接触电阻（rc），但由于in0.2ga0.8as与其直接接触的是gaas等界面，导致二者会因为晶格常数不同而发生严重的晶格失配，进而产生大量的缺陷问题。因此，如何解决高电子迁移率晶体管器件中的晶格失配问题已然成为本领域技术人员亟待解决的技术难点之一。
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种高电子迁移率晶体管，其包括第一帽层，阻挡层、第一gaas层、平面掺杂层和inxga1-xas接触层。阻挡层设置在第一帽层之上。第一gaas层设置在阻挡层之上。平面掺杂层设置在第一gaas层之上。inxga1-xas接触层设置在平面掺杂层之
2、本专利技术还提供一种集成hemt器件，集成hemt器件包括高电子迁移率晶体管和pin结构，pin结构设置在高电子迁移率晶体管上，高电子迁移率晶体管采用如前述的高电子迁移率晶体管。
3、本专利技术提供的一种高电子迁移率晶体管和集成hemt器件，通过在inxga1-xas接触层和gaas层之间设置一层平面掺杂层的设置方式，可以避免inxga1-xas接触层和gaas层之间的晶格失配问题，提高高电子迁移率晶体管器件的电学性能和可靠性，并且还可有效降低高电子迁移率晶体管器件的欧姆接触电阻。
4、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
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1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管包括复合帽层，所述复合帽层包括：
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的材料包括GaAs。
3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的厚度小于所述第一GaAs层的厚度，所述平面掺杂层的厚度小于所述InxGa1-xAs接触层的厚度。
4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的掺杂浓度范围为5E12~10E12/cm-2。
5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的厚度范围为1~20埃米。
6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述阻挡层的材料包括InGaP，所述阻挡层的厚度范围为20~55埃米。
7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述第一GaAs层的厚度范围为100~500埃米，所述第一GaAs层的掺杂浓度范围为5E18~10E18/cm-3。
8.根据权利要求1所述的高电子迁
9.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管还包括第二GaAs层，所述第二GaAs层位于所述InxGa1-xAs接触层之上。
10.根据权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述第二GaAs层的厚度范围为15~50埃米，所述第二GaAs层的掺杂浓度范围为5E18~10E18/cm-3。
11.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述InxGa1-xAs接触层中的x=0.2。
12.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管还包括依次层叠的衬底、缓冲层、超晶格层、第一高掺层、异质结、第二高掺层和势垒层，所述复合帽层设置在所述势垒层上。
13.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管还包括依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，所述复合帽层设置在所述势垒层上。
14.一种集成HEMT器件，其特征在于：所述集成HEMT器件包括高电子迁移率晶体管和PIN结构，所述PIN结构设置在所述高电子迁移率晶体管上，所述高电子迁移率晶体管采用如权利要求1~13中任一项所述的高电子迁移率晶体管。
...【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管包括复合帽层，所述复合帽层包括：
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的材料包括gaas。
3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的厚度小于所述第一gaas层的厚度，所述平面掺杂层的厚度小于所述inxga1-xas接触层的厚度。
4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的掺杂浓度范围为5e12~10e12/cm-2。
5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述平面掺杂层的厚度范围为1~20埃米。
6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述阻挡层的材料包括ingap，所述阻挡层的厚度范围为20~55埃米。
7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述第一gaas层的厚度范围为100~500埃米，所述第一gaas层的掺杂浓度范围为5e18~10e18/cm-3。
8.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述inxga1-xas接触层的厚度范围为50~100埃米，所述inxga1-xas接触层的掺杂浓度范围...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐杨兵，潘新昌，何先良，魏鸿基，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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