【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅光光引擎，具体涉及一种钨铜基座及800g dr8硅光光引擎和耦合方法。
技术介绍
1、传统800g dr8硅光光引擎的布局结构如图1、图2所示，其包括：钨铜基座、硅光芯片、偏振无关光隔离器、准直透镜、汇聚透镜、光纤阵列以及带激光器芯片的陶瓷热沉，硅光芯片、偏振无关光隔离器、准直透镜、汇聚透镜以及带激光器芯片的陶瓷热沉固定在钨铜基座的同一水平面上，产品在生产过程中由于存在各种误差，而在各种误差的累计下会导致耦合效率下降，造成不良率上升，所以通常采用高精度贴片机解决激光器芯片与硅光芯片的贴片误差（误差指水平方向两个芯片的错位量，可以控制在±10um内，该范围内的误差对光耦合效率无影响），而高度方向的误差难以解决，由于硅光芯片在高度方向有±10um误差，激光器芯片和陶瓷热沉在高度方向有±15um误差，而硅光芯片和陶瓷热沉采用银胶贴片，所以也有±5um误差，因此高度方向上累计大约有30um误差。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种钨铜基座及800g dr8硅光光引擎和耦合方法，以克服上述现有技术中的不足。
2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种钨铜基座，包括：上表面为水平面的钨铜块，钨铜块上表面上设有第一凸台，第一凸台的上表面具有向上倾斜且用以让偏振无关光隔离器平行布置其在上，并将光路在高度方向向上偏移20um的第一斜面，第一凸台的上表面具有向下倾斜且用以让偏振无关光隔离器平行布置其在上，并将光路在高度方向向下偏移20um的第二
3、本专利技术的有益效果是：具备三个不同位置用以布置偏振无关光隔离器，从而可以根据实际测高情况确定偏振无关光隔离器的位置，比如假设钨铜块上表面上所贴片固定的激光器芯片光路中心高度为j，硅光芯片的光路中心高度为g，若：│j-g│≤10um，即高度差的绝对值≤10um，此时不用采用偏振无关光隔离器去补偿高度方向上的错位量，则将偏振无关光隔离器贴在第二凸台的0°平面上，耦合效率不会有影响；若：10um≤g-j≤30um，即激光器芯片比硅光芯片矮很多，该情况下如果不用偏振无关光隔离器补偿光路高度方向上的差异，耦合效率会有影响，从而导致良率下降，则将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第一斜面上，以让光路在高度方向向上偏移20um，即将激光器芯片射向硅光芯片的光向上抬20um，从而让│g-j-20│≤10um，以不影响耦合效率；若：10um≤j-g≤30um，即激光器芯片比硅光芯片高很多，该情况下如果不用偏振无关光隔离器补偿光路高度方向上的差异，耦合效率会有影响，从而导致良率下降，则将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第二斜面上，以让光路在高度方向向下偏移20um，即将激光器芯片射向硅光芯片的光向下降20um，从而让│j-g-20│≤10um，以不影响耦合效率；
4、采用该特殊的钨铜基座，可以在没有额外增加物料的情况下达到优化激光器芯片和硅光芯片光路高度差的目的，从而让30um误差降低到10um，以提升耦合效率和良率。
5、在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。
6、进一步，第一斜面从下往上倾斜3.3°，第二斜面从上往下倾斜3.3°。
7、进一步，第一凸台相对钨铜块上表面的高度为0.2mm～0.3mm, 第二凸台相对钨铜块上表面的高度为0.2mm～0.3mm。
8、基于上述技术方案，本专利技术还提供一种800g dr8硅光光引擎耦合方法，采用所述钨铜基座，包括如下耦合步骤：
9、step1、在钨铜块上表面上以贴片方式固定硅光芯片以及带激光器芯片的陶瓷热沉，激光器芯片和硅光芯片分别位于第一凸台以及第二凸台外侧；
10、step2、分别测量激光器芯片光路中心高度和硅光芯片光路中心高度，假设激光器芯片光路中心高度为j，硅光芯片光路中心高度为g；
11、若：│j-g│≤10um，则将偏振无关光隔离器贴在第二凸台的0°平面上；
12、若：10um≤g-j≤30um，则将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第一斜面上，以让光路在高度方向向上偏移20um；
13、若：10um≤j-g≤30um，则将偏振无关光隔离器贴在第一凸台的第二斜面上，以让光路在高度方向向下偏移20um。
14、采用上述进一步的有益效果为：可以在没有额外增加物料的情况下达到优化激光器芯片和硅光芯片高度差的目的，从而让30um误差降低到10um，以提升耦合效率和良率。
15、进一步，耦合步骤还包括：
16、step3、采用自动耦合机在钨铜基座上同时耦合准直透镜以及汇聚透镜，并采用胶水先固定准直透镜，若准直透镜固定后光功率下降，则对汇聚透镜二次耦合，再用胶水固定汇聚透镜。
17、进一步，耦合步骤还包括：
18、step4、在钨铜基座上固定与硅光芯片出光波导相耦合的光纤阵列。
19、进一步，准直透镜采用紫外胶粘在钨铜基座上，汇聚透镜采用紫外胶粘在钨铜基座上。
20、基于上述技术方案，本专利技术还提供一种800g dr8硅光光引擎，采用所述800g dr8硅光光引擎耦合方法耦合所得。
21、采用上述进一步的有益效果为：耦合效率好，良率高。
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1.一种钨铜基座，其特征在于，包括：上表面为水平面的钨铜块（110），所述钨铜块（110）上表面上设有第一凸台（120），所述第一凸台（120）的上表面具有向上倾斜且用以让偏振无关光隔离器（8）平行布置其在上，并将光路在高度方向向上偏移20um的第一斜面（121），所述第一凸台（120）的上表面具有向下倾斜且用以让偏振无关光隔离器（8）平行布置其在上，并将光路在高度方向向下偏移20um的第二斜面（122），所述第一斜面（121）和第二斜面（122）以屋脊型分布，所述钨铜块（110）上表面上设有上表面为0°平面（131）的第二凸台（130）。
2.根据权利要求1所述的一种钨铜基座，其特征在于，所述第一斜面（121）从下往上倾斜3.3°，所述第二斜面（122）从上往下倾斜3.3°。
3.根据权利要求2所述的一种钨铜基座，其特征在于，所述第一凸台（120）相对钨铜块（110）上表面的高度为0.2mm～0.3mm, 所述第二凸台（130）相对钨铜块（110）上表面的高度为0.2mm～0.3mm。
4.一种800G DR8硅光光引擎耦合方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种800G DR8硅光光引擎耦合方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的一种800G DR8硅光光引擎耦合方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求5所述的一种800G DR8硅光光引擎耦合方法，其特征在于，所述准直透镜（5）采用紫外胶粘在钨铜基座（1）上，所述汇聚透镜（6）采用紫外胶粘在钨铜基座（1）上。
8.一种800G DR8硅光光引擎，其特征在于，采用如权利要求4～7任一项所述800G DR8硅光光引擎耦合方法耦合所得。
...【技术特征摘要】
1.一种钨铜基座，其特征在于，包括：上表面为水平面的钨铜块（110），所述钨铜块（110）上表面上设有第一凸台（120），所述第一凸台（120）的上表面具有向上倾斜且用以让偏振无关光隔离器（8）平行布置其在上，并将光路在高度方向向上偏移20um的第一斜面（121），所述第一凸台（120）的上表面具有向下倾斜且用以让偏振无关光隔离器（8）平行布置其在上，并将光路在高度方向向下偏移20um的第二斜面（122），所述第一斜面（121）和第二斜面（122）以屋脊型分布，所述钨铜块（110）上表面上设有上表面为0°平面（131）的第二凸台（130）。
2.根据权利要求1所述的一种钨铜基座，其特征在于，所述第一斜面（121）从下往上倾斜3.3°，所述第二斜面（122）从上往下倾斜3.3°。
3.根据权利要求2所述的一种钨铜基座，其特征在于，所述第一凸台（120）相对钨...
【专利技术属性】
技术研发人员：方文银，彭开盛，
申请(专利权)人：武汉钧恒科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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