【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)一种半导体器件，其基本结构包括p型半导体和n型半导体之间的pn结，当正向电压加到led上时，电子和空穴在pn结的交界处复合，释放出能量，这些能量以光子的形式发射出来，形成光辐射。
2、根据不同发光波长，发光二极管可分为红光led、紫光led、红外光led和紫外光led等。作为新一代固态紫外光源，algan基紫外光(波长短于320nm的uvb、uvc)发光二极管在医疗、植物照明、消毒杀菌、空气和水源净化等领域都有广范应用。然而，目前紫外光led的光电转换效率普遍偏低，这是由于传统led结构中p-gan接触层对于紫外光有强烈的吸收损耗，严重影响了紫外光led光输出效率，也进一步影响了发光装置的产品性能，制约了其大规模产业化及普及应用。
3、因此，在芯片设计和制造过程中，需要提供一种针对上述现有技术中不足的改进技术方案，以进一步提高紫外光led的光电转换效率和/或发光亮度。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术中芯片制程中存在的缺陷及不足，本申请提供一种发光二极管及发光装置，以提高现有发光二极管的光取出效率和/或发光亮度。
2、为了实现上述目的及其他相关目的，第一方面，本申请提供一种发光二极管，至少包括：
3、外延结构，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；
4、所述第二半导体层包
5、所述p型欧姆接触层中的al组分含量介于1％～40％之间，p型掺杂浓度大于或等于1×1019atom/cm3。
6、第二方面，本申请还提供一种发光装置，所述发光装置包括：
7、封装基板；
8、至少一个发光二极管，设置于所述封装基板的表面，所述封装基板与所述发光二极管的电极结构形成电性连接；所述发光二极管为上述技术方案提供的发光二极管。
9、与现有技术相比，本申请提供的发光二极管及发光装置至少具有以下有益效果：
10、本申请的技术方案中，以p型掺杂的algan接触层取代现有的gan层，并通过限定algan接触层的al组分介于1％～40％之间以及p型掺杂浓度大于或等于1×1019atom/cm3，进而优化p型欧姆接触层的性能。本申请技术方案通过降低接触层中al组分含量，降低了层内空穴激活难度，并且通过掺杂一定浓度的杂质原子增加接触层的空穴浓度，进一步有利于空穴激活，提高空穴/电子复合效率。本申请提供的algan接触层在能够和金属电极等形成良好欧姆接触的前提下，大幅降低其自身对光线的吸收，进而提高发光二极管的光取出效率和发光亮度。
11、另外，本申请提供的发光装置包括上述技术方案提供的发光二极管，因此，该发光装置同样具有上述良好的技术效果。
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1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型欧姆接触层的厚度介于1.0nm～50.0nm之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
5.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，所述P型欧姆接触层的Al组分平均含量小于或等于20％。
6.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格结构呈周期性排列且周期数大于等于1。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层的Al组分含量y介于15％～30％之间，所述第二子层的Al组分含量z介于1％～15％之间，z＜y。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，沿所述外延结构的厚度生长方向，所述P型欧姆接触层的超晶格结构中每个周期的Al组分平均含量依次降低。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，沿
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述有源层包括交替排列的AlmGa1-mN势垒层和AlnGa1-nN势阱层，其中，0＜m≤0.85，0＜n≤0.85。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括衬底，以及位于所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型欧姆接触层的P型掺杂物为Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba中的一种或几种。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管辐射的光的波长介于220nm～380nm。
15.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述p型欧姆接触层的厚度介于1.0nm～50.0nm之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，
5.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，所述p型欧姆接触层的al组分平均含量小于或等于20％。
6.根据权利要求1～4任一所述的发光二极管，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格结构呈周期性排列且周期数大于等于1。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一子层的al组分含量y介于15％～30％之间，所述第二子层的al组分含量z介于1％～15％之间，z＜y。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，沿所述外延结构的厚度生长方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，杨仲杰，黄景蜂，蓝永凌，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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