【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，具体涉及一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器及其制备方法。
技术介绍
1、现有制冷红外探测器的制造工艺通过在衬底(substrate)采用分子束外延技术或液相外延技术，形成p型碲镉汞(p-type mct)外延层，然后在p型碲镉汞(mct)外延层表面采用硼离子注入掺杂的方式形成平面pn结，从而实现红外波段的探测与成像。如图1所示，现有技术制造平面pn结的流程为先形成p型碲镉汞外延层结合离子注入硼离子注入工序实现，再离子注入硼离子形成pn结。由于硼离子注入需要在p型碲镉汞外延层表面的特定内区域进行，因此这一工艺至少包含有注入孔图形的光刻、离子注入、注入后清洗去光刻胶三个步骤，其中硼离子注入需要额外的三个工序注入光刻、带光刻胶注入和注入后去光刻胶，光刻胶本身以及注入后清洗去胶的溶液对p型碲镉汞外延层表面状态的影响会直接导致表面的漏电流增大，影响探测器的成像性能。可见，现有的平面pn结的局限性为：1)步骤繁琐；2)加工周期长；3)光刻胶本身与注入后去光刻胶的溶液会影响mct外延层的表面状态，增加表面漏电流，影响探测器性能。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提出一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器及其制备方法，该方法通过用p型碲镉汞外延层与金属之间的肖特基结代替制冷红外探测器的pn结，省去了注入形成pn结的工艺过程，大大缩短了制冷红外焦平面探测器的制备周期，降低了制备成本，提升了制备效率。
2、为了实现上述目的，本专利技术的基于肖
3、提供碲镉汞基底，其包括碲镉汞衬底及碲镉汞衬底上的p型碲镉汞外延层；
4、在所述p型碲镉汞外延层上形成钝化层；
5、在所述钝化层中形成通孔，通孔暴露底部p型碲镉汞外延层表面；
6、在所述通孔内生长金属，金属和p型碲镉汞外延层构成肖特基二极管。
7、本专利技术还提供一种上述的制备方法制备的制冷红外焦平面探测器产品。
8、本专利技术的技术效果包括：
9、(1)本专利技术提出的基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器的制备方法，通过用p型碲镉汞外延层与金属之间的肖特基结代替制冷红外探测器的pn结，省去了注入形成pn结的工艺过程，大大缩短了制冷红外焦平面探测器的制备周期，降低了制备成本，提升了制备效率。
10、(2)本专利技术提出的基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器的制备方法，不需要经过注入工艺，因此减少了光刻注入孔、硼离子掺杂、注入后去胶工序，避免了光刻胶本身以及注入后清洗去胶的溶液对p型碲镉汞外延层表面状态的影响，减小了p型碲镉汞外延层表面的漏电流，提升了探测器的成像性能。
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1.一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，P型碲镉汞外延层的掺杂离子为硼离子，形成P型碲镉汞外延层厚度为1um-25um。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层的材料为硫化锌，厚度为30nm-500nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通孔呈阵列排布，孔径为1um-10um。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，孔间距为5um-50um。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述通孔内生长金属所采用的工艺为镀膜工艺，金属电极材料为铬、铂、钨、钼、金中的任意一种或其组合，金属厚度为10nm-500nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，每个金属形成凹槽结构，且凹槽结构周边的金属凸出于其周边的所述钝化层外表面。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个凹槽及周边的金属凸的面积为10um2-500um2。
9.根据权利要求1所述的
10.一种权利要求1-9任意一项所述的制备方法制备的制冷红外焦平面探测器，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基于肖特基结的制冷红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，p型碲镉汞外延层的掺杂离子为硼离子，形成p型碲镉汞外延层厚度为1um-25um。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钝化层的材料为硫化锌，厚度为30nm-500nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通孔呈阵列排布，孔径为1um-10um。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，孔间距为5um-50um。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚汉红，谭必松，毛剑宏，
申请(专利权)人：浙江珏芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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