【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，更为具体地说，涉及一种高压led(light-emittingdiode，发光二极管)芯片及其制作方法。
技术介绍
1、高压led芯片通过多颗led芯片串联获得，在同样输出功率下，高压led芯片所需的驱动电流远远小于低压led芯片，所以同样输出功率的高压led芯片在工作时其他负载耗散的功率要远小于低压led芯片，因此装载高压led芯片整个模组的产热量就会减小，使得高压led芯片的散热外壳的成本大大降低。另外，高压led芯片可以大幅降低ac/dc转换效率损失，因为输入和输出压差越低，ac/dc的转换效率就越高，这一热耗的减少可进一步降低高压led芯片的散热外壳的成本。虽然高压led芯片具有诸多优势，但是，现有高压led芯片通过多颗led在水平方向上连接实现，相对于单颗led芯片的面积较大，不利于高压led芯片的集成封装。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种高压led芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，将第一发光外延至第n发光外延叠层设置并串联电连接，在实现高压led芯片的功能基础上，有效减小了高压led芯片的面积，利于高压led芯片的集成封装。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
3、一种高压led芯片，所述高压led芯片包括：
4、沿第一方向依次叠加的固定衬底、第一发光外延至第n发光外延，n为不小于2的整数；
5、所述第一发光外延至所述第n发光外延中任意一发光外延包括沿
6、相应的，本专利技术还提供了一种高压led芯片的制作方法，用于制作上述的高压led芯片，制作方法包括：
7、提供第一待键合发光外延至第n待键合发光外延，所述第一待键合发光外延至所述第n待键合发光外延中任意一待键合发光外延包括依次叠加的生长衬底、第二半导体层、发光层和第一半导体层，n为不小于2的整数；
8、将所述第一待键合发光外延的第一半导体层固定于固定衬底上，并去除所述第一待键合发光外延的生长衬底得到第一发光外延；
9、将第i+1待键合发光外延的第一半导体层与第i发光外延的第二半导体层键合电连接，并去除所述第i+1待键合发光外延的生长衬底得到第i+1发光外延，i为小于n的正整数。
10、相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：
11、本专利技术提供了一种高压led芯片及其制作方法，所述高压led芯片包括：沿第一方向依次叠加的固定衬底、第一发光外延至第n发光外延，n为不小于2的整数；所述第一发光外延至所述第n发光外延中任意一发光外延包括沿所述第一方向依次叠加的第一半导体层、发光层和第二半导体层，且第i发光外延的第二半导体层与第i+1发光外延的第一半导体层之间键合电连接，i为小于n的正整数。
12、由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，将第一发光外延至第n发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压led芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压led芯片的功能基础上，有效减小了高压led芯片的面积，利于高压led芯片的集成封装。
13、同时，本专利技术提供的第一发光外延至第n发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压led芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第n发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。
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1.一种高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片包括：
2.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第i+1发光外延的第一半导体层朝向所述固定衬底一侧设置有第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括有多个第一通孔，所述第一通孔内设置有第一键合电极与所述第i+1发光外延的第一半导体层电连接；
3.根据权利要求2所述的高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片包括：位于所述第N发光外延的第二半导体层背离所述固定衬底一侧的外接电极；
4.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片还包括位于所述固定衬底和所述第一发光外延之间的反射镜。
5.根据权利要求4所述的高压LED芯片，其特征在于，所述固定衬底为导电衬底；
6.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层中之一者为N型半导体层，另一者为P型半导体层；
7.根据权利要求1所述的高压LED芯片，其特征在于，所述高压LED芯片还包括：至少覆盖所述第一发光外延至所述第N发光外延的裸露表面的钝化
8.一种高压LED芯片的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-7任意一项所述的高压LED芯片，制作方法包括：
9.根据权利要求8所述的高压LED芯片的制作方法，其特征在于，将第i+1待键合发光外延的第一半导体层与第i发光外延的第二半导体层键合电连接，包括：
10.根据权利要求9所述的高压LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述第N发光外延之后，制作方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片包括：
2.根据权利要求1所述的高压led芯片，其特征在于，所述第i+1发光外延的第一半导体层朝向所述固定衬底一侧设置有第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层包括有多个第一通孔，所述第一通孔内设置有第一键合电极与所述第i+1发光外延的第一半导体层电连接；
3.根据权利要求2所述的高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片包括：位于所述第n发光外延的第二半导体层背离所述固定衬底一侧的外接电极；
4.根据权利要求1所述的高压led芯片，其特征在于，所述高压led芯片还包括位于所述固定衬底和所述第一发光外延之间的反射镜。
5.根据权利要求4所述的高压led芯片，其特征在于，所述固定衬底为导电衬底；
【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，罗桂兰，杨克伟，曲晓东，陈凯轩，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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