【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种带有漏极场板的器件结构及其制备方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管(hemt)是一种场效应晶体管，其是由两种带隙不同的材料形成异质结，为载流子提供沟道，hemt可以在极高频下工作，所以其在通信、卫星、雷达等方面有着广泛的应用。
2、特别是gan(氮化镓)基的hemt器件，因其具有禁带宽度大、高击穿电场、抗辐照和耐高温等优点而倍受人们关注。但是gan基hemt器件的耐压和可靠性问题往往受多种因素制约。国内外学者研究发现，gan基hemt器件漏极附近处的电场强度会达到峰值，进而会使得器件在长时间的高场应力作用下，发生退化甚至直接击穿。而为解决这一问题，许多研究者采用不同种类的场板结构使得漏源电场均匀化，削减峰值电场，从而提高器件的击穿电压，其中就包括带有漏极场板的漏极。
3、但是现有在制备带有漏极场板的漏极的过程中，通常采用两次光刻才能得到漏极场板结构，结合图1a至图1e，其制备过程如下：在已生长标记的基板上涂第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光；当第一层光刻胶曝光完成后，对势垒层进行欧姆凹陷刻蚀(recess)，形成欧姆凹槽；然后去胶，在欧姆凹槽的基础上进行二次光刻，最后淀积金属并剥离，形成带有漏极场板的漏极欧姆接触区域，也即形成带有漏极场板的漏极。但是由于生长过程涉及二次光刻与套刻，为了保证两次光刻在位置上的一致性，需要额外生长对准标记，同时二次光刻增加了出现缺陷的可能性，影响器件性能，风险性较大，并且制备带有漏极场板的漏极的工艺步骤繁琐、周期冗长、成本昂贵且成
技术实现思路
1、为解决上述问题，本专利技术提供的带有漏极场板的器件结构及其制备方法，通过形成侧壁为斜面或球面的欧姆凹槽，并依据欧姆凹槽形成带有漏极场板的漏极，能够有效的降低制备带有漏极场板的漏极的复杂度，并提高器件结构的成品率。
2、第二方面，本专利技术提供一种带有漏极场板的器件结构的制备方法，包括：
3、提供基板。基板包括：衬底、势垒层和钝化层，势垒层和钝化层均位于衬底的上方，钝化层位于势垒层的上方；
4、在钝化层上涂覆光刻胶，以形成光刻层；
5、在光刻层上刻蚀出欧姆窗口，以露出钝化层；
6、通过欧姆窗口对基板进行刻蚀，以形成欧姆凹槽并露出势垒层，欧姆凹槽的侧壁为斜面或球面；
7、在欧姆窗口和欧姆凹槽内淀积导电材料，以形成带有漏极场板的漏极。
8、可选地，在欧姆窗口和欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后，制备方法还包括：
9、去除光刻层。
10、可选地，欧姆凹槽的底端位于势垒层内。
11、可选地，在光刻层上刻蚀出欧姆窗口的步骤之后，制备方法还包括：
12、对光刻层进行回流，以形成侧壁为球面的欧姆窗口。
13、可选地，在欧姆窗口和欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后，制备方法还包括：
14、对漏极中突出钝化层的部分进行剥离，以使漏极中朝向源极的侧面为斜面或球面。
15、第二方面，本专利技术提供一种带有漏极场板的器件结构，包括：基板和带有漏极场板的漏极；
16、基板包括：衬底、势垒层和钝化层，势垒层和钝化层均位于衬底的上方，钝化层位于势垒层的上方；
17、基板上开设有欧姆凹槽，欧姆凹槽贯穿钝化层，欧姆凹槽的侧壁为斜面或球面，漏极的一端与欧姆凹槽适配，漏极的一端位于欧姆凹槽内并与势垒层连接，漏极的另一端突出于钝化层。
18、可选地，欧姆凹槽的底端位于势垒层内。
19、可选地，漏极的材料为与半导体材料结合后生成欧姆接触的金属材料。
20、可选地，器件结构还包括：源极；
21、源极的一端穿过钝化层并与势垒层连接，源极的另一端突出于钝化层。
22、可选地，漏极的另一端中的朝向源极的侧面为斜面或球面。
23、本专利技术提供的带有漏极场板的器件结构及其制备方法，通过形成侧壁为斜面或球面的欧姆凹槽，并依据欧姆凹槽形成带有漏极场板的漏极，使得漏极的底端位于欧姆凹槽内并与欧姆凹槽适配，不但能够减少光刻的次数，有效的降低制备带有漏极场板的漏极的复杂度以及成本，同时还能够使漏极的底部与基板更紧密的贴合，避免欧姆凹槽与漏极之间出现空隙，且能够减少热电子注入漏极时所引起的击穿，提高了器件结构的性能以及成品率。
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1.一种带有漏极场板的器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述欧姆窗口和所述欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后，所述制备方法还包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述欧姆凹槽的底端位于所述势垒层内。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光刻层上刻蚀出欧姆窗口的步骤之后，所述制备方法还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述欧姆窗口和所述欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后，所述制备方法还包括：
6.一种带有漏极场板的器件结构，其特征在于，包括：基板和带有漏极场板的漏极；
7.根据权利要求6所述的器件结构，其特征在于，所述欧姆凹槽的底端位于所述势垒层内。
8.根据权利要求6所述的器件结构，其特征在于，所述漏极的材料为与半导体材料结合后生成欧姆接触的金属材料。
9.根据权利要求6所述的器件结构，其特征在于，所述器件结构还包括：源极；
10.根据权利要求6至9任一项所述
...【技术特征摘要】
1.一种带有漏极场板的器件结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述欧姆窗口和所述欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后，所述制备方法还包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述欧姆凹槽的底端位于所述势垒层内。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述光刻层上刻蚀出欧姆窗口的步骤之后，所述制备方法还包括：
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述欧姆窗口和所述欧姆凹槽内淀积导电材料的步骤之后...
【专利技术属性】
技术研发人员：张睿哲，魏珂，张昇，何晓强，王建超，陈晓娟，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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