本发明专利技术提供一种本占地菇的菌床栽培方法，其中发芽步骤和／或子实体生长步骤是在高ＣＯ２浓度的环境条件下进行的。高ＣＯ２浓度的环境条件的例子包括：在发芽步骤中ＣＯ２浓度为２，５００ｐｐｍ或更高以及在子实体生长步骤中ＣＯ２浓度为５，０００ｐｐｍ或更高。由于本发明专利技术的实施方案提高了本占地菇的菌床栽培方法中小芽的形成率，因此可通过大规模的商业栽培来稳定地生产本占地菇。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及本占地燕(hon-shimeji mushroom, Lyophyllumshimeji)的菌床栽培 方法。
技术介绍
本占地菇为10月中旬左右生长在白栎林或者白栎和日本赤松的混合林的地上的 蘑菇。在日本，本占地菇被认为是可食用的蘑菇中的质量最高的蘑菇。具体而言，日本有 句谚语同时提到本占地菇和松茸(Tricholoma matsutake):"松茸香，占地美"。近年来，人 们设想使用培养基来人工栽培可食用的蘑菇(例如金针菇(Flammulinavelutipes)、平菇(Pleurotus ostreatus)、滑燕(Pholiota nameko)、真姬燕(Hypsizygus marmoreus)、灰树 花(Grifola frondosa)等)的菌床栽培方法，其中所述培养基是通过将锯末与米糠、麦糠 等营养源混合而制得的。因此能够在一年中稳定地收获蘑菇，而无需考虑季节的因素。由 于本占地菇为极为美味的蘑菇，因此人们希望确立其独属的人工栽培方法。然而，本占地菇 为菌根真菌，而上述金针菇等为木材腐朽真菌。因此，人们认为难以对本占地菇实施人工菌 床栽培方法。 然而，日本滋贺县森林研究中心(Forest Research Center of ShigaPrefecture) 的太田博士首次成功地进行了本占地菇的人工菌床栽培。专利文献1(JP-A-07-l 15844) 披露了使用麦类的，并且在非专利文献l(Journal of The Mycological Society of Japan,第39巻，第13 20页，1998)中披露了在使用麦类的培养 基上形成本占地菇子实体的试验。 此外，专利文献2 (JP-A-06-153695)披露了一种使用下列培养基来进行菌根真菌 的菌丝栽培方法，其中该培养基以泥炭(peat-moss)作为基材并添加有淀粉等。该专利技术人 在非专利文献2 (Journal of TheMycological Society of J即an，第35巻，第192 195 页，1994)中报道了通过下列培养基来形成本占地菇子实体的试验，其中该培养基以泥炭作 为基材并添加有淀粉等。 然而，由于专利文献l(JP-A-07-115844)的方法中使用的培养基中所用的麦类的 价格较高，因而该培养基的成本较高。此外，专利文献2 (JP-A-06-153695)的专利技术人的方法 中所形成的子实体的收率较低，因此至今尚未达到工业生产的水平。 近年来，披露了多种以本占地菇的工业栽培为目的的本占地菇的栽培方法。专利 文献3(JP-A-2000-106752)披露了一种在本占地菇的菌床上进行栽培的培养基(其含有黍 亚科(Panicum subfamily)植物)以及使用该培养基的本占地菇栽培方法。此外，专利文 献4(JP-A-2002-247917)披露了一种，其中通过下列步骤来形成3子实体制备至少含有玉米粉和阔叶树锯屑的混合培养基，然后在该混合培养基上、在水湿 润状态下接种本占地菇的菌丝，并将它们在30°C以下培养。 专利文献5(JP-A-2005-27585)披露了一种，其中将粉 碎的牡蛎壳与培养基混合，当本占地菇的菌丝被接种在所述培养基上并在水湿润状态下培 养时能够产生子实体。另外，将该培养基的pH值调节在不超过7的范围内。 专利文献6(JP-A-2007-54044)中披露了一种，其中混 合培养基是通过将少量的麦类和/或米类与含有玉米粉及锯屑的培养基进行混合而制得 的。将本占地菇接种在该混合培养基上、并在水湿润状态下进行培养后，形成子实体。 在专利文献1(JP-A-07-l 15844)中，通过将本占地菇菌株在23。C下培养70天、然 后将温度降至15t:来检查是否形成子实体原基。另外，通过用泥炭覆盖培养基表面，子实体 的形成率增加。此夕卜，在非专利文献1 (Journal of The Mycological Society of J即an， 第39巻，第13 20页，1998)中，在22。C下进行培养步骤过程中当本占地菇的菌丝在整个 培养基上铺展时，通过在培养基上添加厚度为1cm的泥炭来形成子实体。此后将该培养基 培养2周，然后在培养结束后将其转移至15°C的形成室中。 在非专利文献2 (Journal of The Mycological Society of J即an，第35巻，第 192 195页，1994)中，将本占地菇菌株接种在培养基上，然后在23。C下培养并老化后，在 16t:的形成室中进行形成操作，从而在此后的第13 15天观察子实体原基的形成。 在专利文献3(JP-A-2000-106752)中披露了这样的瓶栽培方法，该方法包括制备 培养基、填充在瓶中、灭菌、接种、培养、发芽、生长和收获的各个步骤，其中在培养后的发芽 步骤中形成子实体原基。此外，在实施例中，通过覆盖红泥(Akadama soil)来进行发芽步 骤。 在专利文献4(JP-A-2002-247917)的实施例中，将本占地菇菌株在23。C下培养60 天后，通过用鹿沼土 (Ka皿ma soil)覆盖培养基的上面来进一步培养7天。然后，将其转移 至15t:的形成室中来促进子实体的形成。 在专利文献5(JP-A-2005-27585)的实施例中，将本占地菇菌株在23。C下培养70 天，然后转移至设定为15t:的形成室中。另外，在小的子实体发育时去除菌盖，并且在其生 长至子实体的菌伞(pileus)张开的阶段时收获子实体。在专利文献6 (JP-A-2007-54044)的实施例中，将本占地菇菌株在23。C下培养55天，然后以鹿沼土覆盖培养基的上面以进一步培养10天。然后，将其转移至设定为15t:的形成室中以促进子实体的形成。 JP-A-07-l 15844 JP-A-06-153695 JP-A-2000-106752 JP-A-2002-247917 JP-A-2005-27585 JP-A-2007-54044 Journal of The Mycological Society of J即an，第39巻，第 13 20页，1998 Journal of The Mycological Society of J即an，第35巻，第192 195页，1994
技术实现思路
本专利技术人基于类似于上述专利文献3所披露的技术开始进行本占地菇的商业栽培。然而，由于进行大规模商业栽培时需要稳定地生产，因此要对这些技术进行进一步的改善。 因此，鉴于上述情况，本专利技术的目的之一是提供一种允许稳定地、大规模商业栽培 。 通常认为在中，在从菌丝培养到子实体形成的过程中需 要保持良好的透气性(非专利文献l)。本专利技术人进行了栽培研究以考察影响本占地菇的 菌床栽培的若干因素，并深入考察了这些因素对大规模商业栽培的影响。结果，本专利技术人惊 讶地发现，与常规情况相比，在的发芽步骤中，当透气性未得以改 善、而是(A的浓度增加时，幼芽(小芽)的形成率变高。此外，还发现在子实体的生长步 骤中，当C02浓度增加时，子实体的收率提高。另外，即使在生长成为本占地菇特征性的大 型子实体时，菌柄部分的孔隙也会减少甚至消失，而这在过本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种本占地菇的菌床栽培方法，包括如下步骤中的至少一个步骤：在高ＣＯ↓［２］浓度的环境条件下进行部分或全部的发芽步骤；以及在高ＣＯ↓［２］浓度的环境条件下进行部分或全部的子实体生长步骤。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：河合高志，桥本麻由，杉森武，日下部克彦，喜多昭彦，加藤郁之进，
申请(专利权)人：宝生物工程株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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