【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及像素隔离结构，尤其涉及一种像素隔离结构及其制造方法。
技术介绍
1、像素隔离结构己广泛应用于led显示模组、多像素智能汽车前大灯光源(adb)、led图案光源等领域，其特点是为了实现图像和字符显示，led像素之间必须设置隔墙，以减少像素之间干扰，提升显示的反差对比度。
2、常用的像素隔离结构如图1所示，包括基板1、由发光芯片2和芯片隔离墙3组成的发光结构、透光层4和透光层隔离墙5。上述像素隔离结构制造时通常先在发光结构上设置透光层4，然后在透光层4上开设隔离槽，再在隔离槽内填充遮光材料形成透光层隔离墙5。由于芯片隔离墙3的宽度很小，一般小于100微米，从而为加工制造隔离槽带来了很大的困难，如加工深度很难控制，当隔离槽未贯穿透光层4时会产生漏光，反之则会损伤芯片隔离墙3。在隔离槽加工过程中，一旦加工工具碰触到发光芯片2都会导致发光芯片2的失效与漏电，致使总体制造良率很低，控制要求很高，成本居高不下。
3、显而易见，目前常用的像素隔离结构及其制造方法己无法满足高效低成本大批量制造的要求。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于，提供一种改进的像素隔离结构的制造方法及制得的像素隔离结构。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种像素隔离结构的制造方法，包括以下步骤：
3、s1、提供基板，在所述基板上设置导电电路；所述基板包括相对的第一表面和第二表面；
4、s2、将若干发光芯片设置在所述基板
5、s3、在所述基板上设置芯片隔离墙，使所述芯片隔离墙围设在所述发光阵列的外侧并填充在相邻的所述发光芯片之间；所述发光阵列与所述芯片隔离墙形成发光单元；
6、s4、在所述发光单元上设置透光隔离墙，使所述透光隔离墙对应在所述芯片隔离墙的上方；
7、s5、提供预固化的透光膜，将所述透光膜放置在所述发光单元上，覆盖所述发光单元和透光隔离墙；
8、s6、在所述透光膜上均匀施压，使所述透光隔离墙嵌入所述透光膜，所述透光膜紧贴在所述发光单元表面。
9、在一些实施例中，所述透光膜为无色透明的硅胶薄膜。
10、在一些实施例中，所述透光膜为掺有至少一种荧光粉的硅胶薄膜。
11、在一些实施例中，所述透光膜为掺有至少一种扩散粉和/或至少一种石墨粉的硅胶薄膜。
12、在一些实施例中，所述导电电路包括设置在所述基板第一表面的第一线路层、设置在所述基板第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述发光芯片导电连接；步骤s1还包括：在所述基板上设置导电通孔，所述导电通孔导电连接所述第一线路层和第二线路层。
13、在一些实施例中，步骤s1还包括：在所述基板的第二表面上设置导热焊垫。
14、在一些实施例中，步骤s5中，在放置所述透光膜之前，在所述发光单元的表面涂覆粘接剂。
15、在一些实施例中，步骤s6中，在施压过程中，通过加热固化所述透光膜；加热固化温度为50℃～350℃，加热固化时间不少于10秒。
16、在一些实施例中，所述透光隔离墙为固化后的白胶、黑胶、黑油或白油；所述芯片隔离墙为固化后的白胶或黑胶。
17、在一些实施例中，所述制造方法还包括以下步骤：
18、s7、在所述透光膜上设置隔离槽，所述隔离槽对应在所述透光隔离墙的上方，所述隔离槽的底面位于所述透光隔离墙的表面或所述透光隔离墙内。
19、在一些实施例中，所述制造方法还包括以下步骤：
20、s8、在所述隔离槽内填充遮光材料，形成膜隔离墙。
21、本专利技术还提供一种像素隔离结构，由以上任一项所述的制造方法制得。
22、本专利技术的像素隔离结构的制造方法，通过在发光单元上先设置透光隔离墙，再将预固化的透光膜放置其上，通过施压使透光隔离墙嵌入透光膜内形成隔离结构，避免了先设置透光层再通过开槽设置隔离墙带来的开槽加工深度难以控制的问题，进而避免了在加工过程中对发光芯片可能的损伤，不仅降低了制造难度，也大幅提升了制造良率，使成本大幅下降。
23、由于透光隔离墙在透光膜内的存在，从发光单元上发出的光不会在透光膜内横向扩散，避免了像素间串光，从而大幅提升像素间的反差对比度。
24、本专利技术能够满足制造led显示模组、多像素智能汽车前大灯光源(adb)、led图案光源等的要求。
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1.一种像素隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述透光膜为无色透明的硅胶薄膜；和/或，
3.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述导电电路包括设置在所述基板第一表面的第一线路层、设置在所述基板第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述发光芯片导电连接；
4.根据权利要求3所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S1还包括：在所述基板的第二表面上设置导热焊垫。
5.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S5中，在放置所述透光膜之前，在所述发光单元的表面涂覆粘接剂。
6.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤S6中，在施压过程中，通过加热固化所述透光膜；加热固化温度为50℃～350℃，加热固化时间不少于10秒。
7.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述透光隔离墙为固化后的白胶、黑胶、黑油或白油；所述芯片隔离墙为固化后的白胶或黑胶。
9.根据权利要求8所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括以下步骤：
10.一种像素隔离结构，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的制造方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种像素隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述透光膜为无色透明的硅胶薄膜；和/或，
3.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，所述导电电路包括设置在所述基板第一表面的第一线路层、设置在所述基板第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述发光芯片导电连接；
4.根据权利要求3所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤s1还包括：在所述基板的第二表面上设置导热焊垫。
5.根据权利要求1所述的像素隔离结构的制造方法，其特征在于，步骤s5中，在放置所述透光膜之前，在所述发光单元的表面涂覆粘接剂。
【专利技术属性】
技术研发人员：刘运筹，钟伟荣，李刚，
申请(专利权)人：深圳大道半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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