【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示器，具体而言，涉及显示面板、有机发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、敏化荧光技术在充分利用敏化剂(如磷光或tadf(热激活延迟荧光))的高效率特点的同时，兼具荧光发光体高色纯度的优势，因此相对于当前的荧光和磷光技术，在显示领域更具有技术优势。
2、目前该体系的器件结构相对于普通的荧光器件，还是较为复杂，特别是针对于串联结构应用时，需要额外的蒸发设备对应，无形中提高了生产制造的工艺难度及成本。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供显示面板、有机发光二极管及其制备方法，用以降低制造工艺难度及成本。
2、根据本公开的一个方面，提供一种有机发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、发光功能单元和阴极；
3、所述发光功能单元包括至少一个发光堆叠结构，每个所述发光堆叠结构包括一个发光单元；其中，至少一个所述发光单元包括沿从所述阳极至所述阴极的方向依次层叠的辅助发光层和发光层；
4、其中，所述辅助发光层的组分为所述发光层的组分中的一部分。
5、在本公开一种实施方式中，所述发光功能单元包括至少两个依次层叠设置的所述发光堆叠结构。
6、在本公开一种实施方式中，所述发光层包括空穴传输型主体材料、热活化延迟荧光材料、客体掺杂材料；
7
8、在本公开一种实施方式中，所述发光单元还包括调整层，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层，所述空穴传输层与所述调整层相邻设置；
9、所述发光功能单元包括相邻且层叠设置的第一发光堆叠结构和第二发光堆叠结构；所述第一发光堆叠结构包括依次层叠设置的空穴传输层、调整层、辅助发光层和发光层；所述第二发光堆叠结构包括依次层叠设置的空穴传输层、调整层、辅助发光层和发光层；
10、所述第一发光堆叠结构的空穴传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值小于所述第二发光堆叠结构的空穴传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值，所述第一发光堆叠结构的调整层的厚度大于所述第二发光堆叠结构的调整层的厚度。
11、在本公开一种实施方式中，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层；
12、所述发光功能单元包括相邻且层叠设置的第三发光堆叠结构和第四发光堆叠结构；所述第三发光堆叠结构包括依次层叠设置的空穴传输层、调整层、辅助发光层和发光层；所述第四发光堆叠结构包括依次层叠设置的空穴传输层、辅助发光层和发光层；
13、所述第三发光堆叠结构的空穴传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值小于所述第四发光堆叠结构的空穴传输层的最高占据分子轨道能级的绝对值。
14、在本公开一种实施方式中，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
15、任意一个所述发光堆叠结构包括依次层叠的空穴传输层、调整层、辅助发光层和发光层；所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级与所述发光层中的空穴传输型主体材料的最高占据分子轨道能级差值的绝对值不小于0.25ev；
16、相邻两个所述发光堆叠结构中的所述空穴传输层的材料相同；
17、所述发光功能单元包括相邻且层叠设置的第五发光堆叠结构和第六发光堆叠结构；所述第五发光堆叠结构与所述阳极的距离小于所述第六发光堆叠结构与所述阳极的距离；
18、所述第五发光堆叠结构的空穴传输层和调整层的厚度之和，大于所述第六发光堆叠结构的空穴传输层和调整层的厚度之和。
19、在本公开一种实施方式中，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
20、任意一个所述发光堆叠结构包括依次层叠的空穴传输层、调整层、辅助发光层和发光层；所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级与所述发光层中的空穴传输型主体材料的最高占据分子轨道能级差值的绝对值不小于0.25ev；
21、相邻两个所述发光堆叠结构中的空穴传输层的材料相同；
22、所述发光功能单元包括相邻且层叠设置的第七发光堆叠结构和第八发光堆叠结构；所述第七发光堆叠结构与所述阳极的距离小于所述第八发光堆叠结构与所述阳极的距离；
23、所述第七发光堆叠结构的空穴传输层的厚度大，调整层的厚度小。
24、在本公开一种实施方式中，所述辅助发光层的厚度小于所述发光层的厚度。
25、在本公开一种实施方式中，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元背离所述阳极一侧的空穴阻挡层；
26、所述空穴阻挡层的第一三线态能级的能量值与所述发光层中的热活化延迟荧光材料的第一三线态能级的能量值的差值不小于0.2ev。
27、在本公开一种实施方式中，所述发光层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱与所述客体掺杂材料的吸收光谱的重合面积不小于所述客体掺杂材料的吸收光谱面积的60％。
28、在本公开一种实施方式中，所述发光层中的空穴传输型主体材料的第一三线态能级的能量值与热活化延迟荧光材料的第一三线态能级的能量值的差值不小于0.1ev。
29、根据本公开的另一方面，提供一种显示面板，包括阵列设置的有机发光二极管；其中，至少一种有机发光二极管选自上述有机发光二极管。
30、在本公开一种实施方式中，所述显示面板包括红光有机发光二极管、绿光有机发光二极管和蓝光有机发光二极管，所述绿光有机发光二极管选自上述有机发光二极管。
31、根据本公开的另一方面，提供一种有机发光二极管的制备方法，包括依次层叠设置的阳极、发光功能单元和阴极；
32、所述发光功能单元包括至少一个发光堆叠结构，每个所述发光堆叠结构包括一个发光单元；其中，至少一个所述发光单元包括沿从所述阳极至所述阴极的方向依次层叠的辅助发光层和发光层；所述辅助发光层的组分为所述发光层的组分中的一部分；
33、其中，形成至少一个发光单元包括：
34、在蒸镀腔室中蒸镀形成辅助发光层；
35、在同一蒸镀腔室中，蒸镀形成发光层。
36、在本公开一种实施方式中，在蒸镀腔室中蒸镀形成辅助发光层包括：
37、在蒸镀腔室中放入发光层所需的各个组分的靶材；
38、对辅助发光层中不包含的组分的靶材进行遮挡，且暴露其他靶材；使得暴露的靶材蒸发以形成辅助发光层；
39、暴露同一蒸镀腔室中的各个靶材，使得暴露的靶材蒸发以形成发光层。
40、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
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1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、发光功能单元和阴极；
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光功能单元包括至少两个依次层叠设置的所述发光堆叠结构。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层包括空穴传输型主体材料、热活化延迟荧光材料、客体掺杂材料；
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光单元还包括调整层，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层，所述空穴传输层与所述调整层相邻设置；
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层；
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述辅助发光层的厚度小于所
9.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元背离所述阳极一侧的空穴阻挡层；
10.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层中的热活化延迟荧光材料的发射光谱与所述客体掺杂材料的吸收光谱的重合面积不小于所述客体掺杂材料的吸收光谱面积的60％。
11.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层中的空穴传输型主体材料的第一三线态能级的能量值与热活化延迟荧光材料的第一三线态能级的能量值的差值不小于0.1eV。
12.一种显示面板，其特征在于，包括阵列设置的有机发光二极管；其中，至少一种有机发光二极管选自权利要求1～11任意一项所述的有机发光二极管。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括红色有机发光二极管、绿光有机发光二极管和蓝光有机发光二极管，所述绿光有机发光二极管选自上述权利要求1～11任意一项所述的有机发光二极管。
14.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、发光功能单元和阴极；
15.根据权利要求14所述有机发光二极管的制备方法，其特征在于，在蒸镀腔室中蒸镀形成辅助发光层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、发光功能单元和阴极；
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光功能单元包括至少两个依次层叠设置的所述发光堆叠结构。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层包括空穴传输型主体材料、热活化延迟荧光材料、客体掺杂材料；
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光单元还包括调整层，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层，所述空穴传输层与所述调整层相邻设置；
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光堆叠结构还包括位于所述发光单元靠近所述阳极一侧的空穴传输层；
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管包括依次层叠的多个发光堆叠结构；
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述辅助发光层的厚度小于所述发光层的厚度。
9.根据权利要求3所述的有机发光二极...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙海雁，张晓晋，吴桐，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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