一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET制造技术

本技术提供一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET，包括：金刚石衬底，碳化硅外延层，所述碳化硅外延层设于所述金刚石衬底的上侧面；所述碳化硅外延层内设有阱区，所述阱区内设有源区；绝缘层，所述绝缘层连接至所述碳化硅外延层；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述绝缘层；以及，漏极，所述漏极连接至所述金刚石衬底的下侧面；使得碳化硅器件的导热性能大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet。

技术介绍

1、sic mosfet作为第三代半导体的典型代表，已经在市场上有了较为广泛的应用，其中平面栅碳化硅器件由于制备工艺相对简单，应用最为广泛。由于碳化硅功率器件单位面积电阻低，所以其相比硅器件有较大的优势。在这样的条件下，相同电阻的器件通过相同的电流，产生相同的热，但是碳化硅器件小，散热面积小，会导致热量散不出去，进而烧毁器件，不能充分发挥碳化硅器件的优势。单位面积通过电流的大小与功率密度直接相关。功率密度越高通过的电流越大。体积相等的充电器，一个功率密度是另外一个的2倍，意味着功率密度高的充电功率是低的2倍，充电速度是低的2倍。所以在所有应用中，提高功率密度是永恒的追求。而提高散热能力既可以有效提高器件的功率密度。

技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet，使得碳化硅的导热性能大大提高。

2、本技术是这样实现的：一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet，包括：

3、一金刚石衬底，

4、一碳化硅外延层，所述碳化硅外延层设于所述金刚石衬底的上侧面；所述碳化硅外延层内设有阱区，所述阱区内设有源区；

5、一绝缘层，所述绝缘层连接至所述碳化硅外延层；

6、一源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；

7、一栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述绝缘层；

8、以及，一漏极，所述漏极连接至所述金刚石衬底的下侧面。

9、本技术具有如下优点：通过使用金刚石衬底，使得碳化硅器件的导热性能大大提高，并且该金刚石衬底的厚度远小于现有的碳化硅衬底，这就使得整个碳化硅器件的厚度减小，更有利于用户使用。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，所述漏极为石墨烯层。

3.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，金刚石衬底的厚度为200-600nm。

【技术特征摘要】

1.一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于金刚石衬底的平面栅碳化硅mosfet，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：施广彦，张长沙，张瑜洁，李昀佶，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：