【技术实现步骤摘要】
所公开的实施例涉及装置，尤其涉及具有自偏置机构的半导体存储装置及其操作方法。
技术介绍
1、设备(例如，处理器、存储系统和/或其它电子设备)可以包括配置成存储和/或处理信息的一或多个半导体电路。例如，设备可以包括存储装置，例如易失性存储装置、非易失性存储装置或组合装置。存储装置，例如动态随机存取存储器(dram)，可以利用电能来存储和访问数据。
技术实现思路
1、在一个方面，本申请涉及一种设备，包含：连接到第一功率节点的第一组功率晶体管；连接到第二功率节点的第二组功率晶体管；连接在所述第一和第二组功率晶体管之间的隔离晶体管，其中：所述隔离晶体管在连线节点处连接到所述第一组功率晶体管，以及所述隔离晶体管在感测节点处连接到所述第二组功率晶体管；以及至少一个均衡晶体管，位于至少一对所述连线节点之间。
2、在另一方面，本申请涉及一种操作设备的方法，所述方法包含：增加一或多个功率节点处的电压电平，其中感测节点与连线节点隔离，所述连线节点电耦合在一起；去激活均衡晶体管以断开所述连线节点之间的电耦合；激活隔离晶体管，以将每个所述连线节点电耦合到所述感测节点中的一个；以及激活用于将存储单元连接到所述感测节点中的一个的字线，以读取存储在所述存储单元中的信息。
3、在又一方面，本申请涉及一种存储装置，包含：存储单元；耦合到第一组所述存储单元的第一数位线dl；耦合到第二组所述存储单元的第二数位线dlb；以及感测放大器，包括：直接连接到所述第一数位线dl的第一感测节点，直接连接到所
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1.一种设备，其包含：
2.根据权利要求1所述的设备，其中：
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述并联的功率电路组、所述隔离电路和所述均衡晶体管经配置以：
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述连线节点经配置以在不直接连接到外部预充电电压的情况下运行。
5.根据权利要求3所述的设备，其中：
6.根据权利要求5所述的设备，其中：
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述预充电电压对应于所述VARY电源电压与跨越所述并联的功率电路组的电压降之间的差。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述并联的功率电路组、所述隔离电路和所述均衡晶体管经配置以在所述第一阶段期间预充电，其中所述隔离电路还经配置以在所述第二阶段期间提供所述相应连线节点和所述相应感测节点之间的所述直接连接。
9.根据权利要求5所述的设备，其中：
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述设备包括存储装置内的感测放大器。
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包含：
2.根据权利要求1所述的设备，其中：
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述并联的功率电路组、所述隔离电路和所述均衡晶体管经配置以：
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述连线节点经配置以在不直接连接到外部预充电电压的情况下运行。
5.根据权利要求3所述的设备，其中：
6.根据权利要求5所述的设备，其中：
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述预充...
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