【技术实现步骤摘要】
本公开关于一种存储器装置及其存储器内搜索方法，尤其涉及一种不需设置参考存储单元的存储器装置及其存储器内搜索方法。
技术介绍
1、随着大数据和人工智能的硬件加速器的兴起，数据的比对/搜索成为不可缺少的功能。在现有技术中，所谓的三元内容可寻址存储器(tcam)可以实现高度的并列的数据搜索。现有技术中的三元内容可寻址存储器常由静态存储器所组成，因此常有存储密度不足以及高耗电量的问题。
2、对应于此，现有技术提出利用非易失式存储器来实现三元内容可寻址存储器。然而，在现有技术中，总需要一个非易失式存储单元以存储数据，另一个非易失式存储单元作为参考存储单元，才能完成一个位的数据的搜索动作。如此一来，存储器装置需要较大的电路面积，并造成浪费。
技术实现思路
1、本公开提供一种存储器装置及其存储器内搜索方法，通过两阶段方式进行存储器内的数据搜索动作。
2、本公开提供的存储器内搜索方法，包括：根据所要搜索数据的逻辑状态，在第一阶段，提供第一电压或第二电压至至少一个目标存储单元的字线，并读取第一电流；根据所要搜索数据的逻辑状态，在第二阶段，提供第三电压或第四电压至至少一个目标存储单元的字线，并读取第二电流；根据第一电流与第二电流的差值以获得搜索结果，其中，第一电压小于第三电压，第三电压小于或等于第二电压，第二电压小于第四电压。
3、本公开提供的存储器装置，包括存储单元阵列以及控制器。控制器耦接存储单元阵列。控制器用于：根据所要搜索数据的逻辑状态，在第一阶段，提供第一
4、基于上述，本公开通过两阶段的方式，可完成利用单一个非易失性存储单元，在不需要设置参考存储单元的条件下，完成存储器内搜索动作。有效提升存储单元的使用率，提升存储器内搜索的容量，并可降低存储器装置所需的电路面积。
5、附图说明
6、图1绘示本公开一实施例的存储器内搜索方法的流程图；
7、图2绘示本公开实施例的存储器内搜索方法的动作示意图；
8、图3a至图3e绘示在本公开实施例中，针对单一选中存储单元所进行的存储器内搜索动作的实施方式的示意图；
9、图4绘示本公开实施例的存储器内搜索方法的多个位的搜索动作的实施方式的示意图；
10、图5绘示本公开实施例的存储器内搜索方法的多个位的搜索动作的另一实施方式的示意图；
11、图6绘示本公开实施例的存储器内搜索方法的多个位的搜索动作的另一实施方式的示意图；以及
12、图7绘示本公开实施例的存储器装置的示意图。
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1.一种存储器内搜索方法，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中存储逻辑值0的多个第一存储单元的阈值电压介于一第一阈值电压以及一第二阈值电压之间，存储逻辑值1的多个第二存储单元的阈值电压介于一第三阈值电压以及一第四阈值电压间，该第一阈值电压＜该第二阈值电压＜该第三阈值电压＜该第四阈值电压，其中，该第一电压小于该第一阈值电压，该第三电压与该第二电压介于该第二阈值电压与该第三阈值电压之间，该第四电压大于该第四阈值电压。
3.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值0时，包括：
4.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值1时，包括：
5.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的为不在乎时，包括：
6.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的阈值电压大于该第四电压或小于该第一电压时，该
7.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量大于1时，包括：
8.一种存储器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中存储逻辑值0的多个第一存储单元的阈值电压介于一第一阈值电压以及一第二阈值电压间，存储逻辑值1的多个第二存储单元的阈值电压介于一第三阈值电压以及一第四阈值电压间，该第一阈值电压＜该第二阈值电压＜该第三阈值电压＜该第四阈值电压，其中，该第一电压小于该第一阈值电压，该第三电压与该第二电压介于该第二阈值电压与该第三阈值电压间，该第四电压大于该第四阈值电压。
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值0时，该控制器用于：
11.根据权利要求8所述的存储器装置，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值1时，该控制器用于：
12.根据权利要求8所述的存储器装置，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的为不在乎时，该控制器用于：
13.根据权利要求8所述的存储器装置，其中当该至少一个目标存储单元的阈值电压大于该第四电压或小于该第一电压时，该控制器产生的该搜索结果均为不相符。
14.根据权利要求8所述的存储器装置，其中当该至少一个目标存储单元的数量大于1时，该控制器用于：
15.根据权利要求8所述的存储器装置，其中该存储单元阵列为二维或三维的存储单元阵列。
16.根据权利要求8所述的存储器装置，其中该存储单元阵列为或非式或与式快闪存储单元阵列。
17.根据权利要求8所述的存储器装置，其中该存储单元阵列中的存储单元为浮动栅极式存储单元、分离栅极式存储单元、氮化硅式存储单元、浮点式存储单元或铁电栅极场效晶体管式存储单元。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器内搜索方法，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中存储逻辑值0的多个第一存储单元的阈值电压介于一第一阈值电压以及一第二阈值电压之间，存储逻辑值1的多个第二存储单元的阈值电压介于一第三阈值电压以及一第四阈值电压间，该第一阈值电压＜该第二阈值电压＜该第三阈值电压＜该第四阈值电压，其中，该第一电压小于该第一阈值电压，该第三电压与该第二电压介于该第二阈值电压与该第三阈值电压之间，该第四电压大于该第四阈值电压。
3.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值0时，包括：
4.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的逻辑值为逻辑值1时，包括：
5.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量为1时，且该所要搜索数据的为不在乎时，包括：
6.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的阈值电压大于该第四电压或小于该第一电压时，该搜索结果为不相符。
7.根据权利要求1所述的存储器内搜索方法，其中当该至少一个目标存储单元的数量大于1时，包括：
8.一种存储器装置，包括：
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中存储逻辑值0的多个第一存储单元的阈值电压介于一第一阈值电压以及一第二阈值电压间，存储逻辑值1的多个第二存储单元的阈...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾柏皓，李峯旻，栢添赐，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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