【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子，尤其涉及一种光电探测器。
技术介绍
1、现代光通信的迅猛发展，要求光通信网络必须有更大的信息传输容量和更快的信息处理速度，光电探测器是硅基光子学领域中重要的研究课题之一，高性能的光电探测器在该领域发挥着重要作用。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种光电探测器，通过在光电探测器中设置两个放大单元，可以对输入至光电探测器的光电信号进行两次放大，从而提升整体的探测效果。
2、第一方面，本专利技术实施例提供一种光电探测器，包括：衬底以及所述衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元；第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区，所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区；
3、所述第一集电区复用为所述第二集电区，所述第一集电区位于所述衬底一侧，所述第一集电区包括第一集电分部和第二集电分部，所述第一集电分部的厚度大于所述第二集电分部的厚度；
4、所述第二基极位于所述第二集电分部远离所述衬底一侧，所述第二基极包括第一基极分部和两个第二基极分部，所述第一基极分部的厚度大于所述第二基极分部的厚度，并且两个所述第二基极分部位于所述第一基极分部的两侧；
5、两个所述第二发射区分别位于所述第二基极分部远离所述第二集电分部一侧；
6、所述第一发射区位于所述第二发射区远离所述第二基极一侧，沿所述光电探测器的厚度方向，所述第一发射区的投影与所述第一基极分部的投影存在交叠，所述第一发射区的投影与所述第二
7、所述第一基极位于所述第一发射区远离所述第二发射区一侧，沿所述光电探测器的厚度方向，所述第一基极的投影与所述第二发射区的投影不交叠，同时与所述第一间隙的投影不交叠。
8、可选的，所述光电探测器还包括电极，所述电极两个发射区金属电极和集电区金属电极；
9、所述发射区金属电极位于所述第二发射区远离所述第二基极分部一侧，并且与所述第二发射区电连接；沿所述光电探测器的厚度方向，所述第二发射区的投影覆盖所述发射区金属电极的投影，所述第二发射区的投影与所述发射区金属电极的投影存在第二间隙；
10、所述集电区金属电极位于所述衬底远离所述第一集电区一侧，并且与所述衬底电连接。
11、可选的，所述光电探测器还包括介电层和互联金属层；
12、所述介电层位于所述第二基极远离所述第一集电区的一侧，所述互联金属层位于所述介电层远离所述第二基极的一侧；
13、所述介电层包括两个第一介电分部、两个第二介电分部和第三介电分部，所述第一介电分的厚度大于所述第二介电分部的厚度，所述第二介电分部的厚度大于所述第三介电分部的厚度；所述第二介电分部与相邻的所述第一介电分部电连接，所述第三介电分部与相邻的两个所述第二介电分部电连接；
14、沿所述光电探测器的厚度方向，所述第一介电分部的投影覆盖所述第一间隙的投影和所述第二间隙的投影；所述第二介电分部投影与所述第一基极分部的投影存在交叠，与所述第一间隙的投影不交叠；
15、沿所述光电探测器的厚度方向，所述互联金属层的投影覆盖所述第二介电层的投影和所述第三介电层的投影。
16、可选的，所述第一基极的厚度为h1；
17、其中，0.5μm≤h1≤1μm。
18、可选的，所述衬底包括掺杂区，所述掺杂区位于所述衬底靠近所述第一集电区一侧；所述衬底的厚度为h2，所述掺杂区的厚度为h3；
19、其中，50μm＜h2≤500μm，100nm≤h3≤300nm
20、可选的，所述发射区金属电极的材质包括铝金属，所述集电区金属电极的材质包括镓铟合金。
21、可选的，所述集电区金属电极的厚度为h4，所述发射区金属电极的厚度为h5；
22、其中，100nm≤h4≤200nm，50nm≤h3≤100nm。
23、可选的，所述第二基极的厚度为h6，所述第二发射区的厚度为h7，所述第一发射区的厚度为h8；
24、其中，300nm≤h6≤600nm，100nm≤h7≤300nm，50nm≤h8≤200nm。
25、可选的，所述介电层的材质包括氧化硅。
26、本专利技术实施例提供一种光电探测器，包括衬底以及衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元；第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区，所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区；第一集电区复用为所述第二集电区，第一集电区位于衬底一侧，第一集电区包括第一集电分部和第二集电分部；第二基极位于第二集电分部远离衬底一侧，第二基极包括第一基极分部和两个第二基极分部；两个第二发射区分别位于第二基极分部远离第二集电分部一侧；第一发射区位于第二发射区远离第二基极一侧；第一基极位于第一发射区远离第二发射区一侧。采用本专利技术提供的光电探测器，通过对第一放大单元和第二放大单位位置的调节，实现光电探测器对输入的光电信号可以进行两次放大，从而提升整体的探测效果，提升光电探测器的适用范围。
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1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底以及所述衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元；第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区，所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区；
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括电极，所述电极两个发射区金属电极和集电区金属电极；
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括介电层和互联金属层；
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一基极的厚度为h1；
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第一基极包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括PbS量子点。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底包括掺杂区，所述掺杂区位于所述衬底靠近所述第一集电区一侧；
7.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述发射区金属电极的材质包括铝金属，所述集电区金属电极的材质包括镓铟合金。
8.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述集电区金属电极的厚度为h
9.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第二基极的厚度为h6，所述第二发射区的厚度为h7，所述第一发射区的厚度为h8；
10.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述介电层的材质包括氧化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底以及所述衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元；第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区，所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区；
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括电极，所述电极两个发射区金属电极和集电区金属电极；
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器还包括介电层和互联金属层；
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一基极的厚度为h1；
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第一基极包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括pbs量...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卓曼，李占宇，
申请(专利权)人：知光量芯苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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