【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法及太阳能电池。
技术介绍
1、近年来，随着光伏产能的不断扩充，未来对银的需求会越来越大。由于利用镍、铜等金属电镀或光诱导电镀的太阳能金属化方法替代银浆丝网印刷，能够大幅减少了太阳能电池制造对银的需求，因此基于镍铜等金属的电镀金属化方案有巨大潜力。
2、然而，目前在晶硅电池上电镀沉积金属时，硅基底边缘侧面由于导电层存在或钝化膜层被腐蚀后变薄、缺失，电镀时会生长上金属镀层，导致电池漏电；现有技术一般采用化学腐蚀方法去除边缘侧面金属镀层，或者在侧面涂抹掩膜保护，避免生长上金属镀层；但此类方法均需要消耗大量化学品，产生各类化学废弃物，增加了生产成本。
3、有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的在于提供一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法，所述处理方法在处理过程中无需消耗任何化学产品就可将电镀沉积金属后晶硅基片侧面生长的金属镀层去除，进而缓解了电池边缘漏电的技术问题。
2、本专利技术的第二目的在于提供一种太阳能电池，所述太阳能电池在电镀沉积金属电极后采用上述太阳能电池边缘漏电的处理方法处理得到。
3、本专利技术的第三目的在于提供一种太阳能电池组件。
4、为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：
5、本专利技术提供的一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法，所述处理方法包括：
6、提供电镀沉积金属电极后的太阳能电池晶硅基片，随后对晶硅基片的侧面依次进行热退火和等离子轰击，使电镀时晶硅基片侧面生长的金属镀层脱落。
7、进一步的，所述热退火采用红外加热灯管照射进行退火。
8、进一步的，所述热退火的温度为80～150℃，退火的时间为30～120s，退火的升温速率10～25℃/s。
9、进一步的，所述等离子轰击为采用低温等离子体进行扫吹处理。
10、更进一步的，所述低温等离子体扫吹的等离子体温度为20～50℃。
11、更进一步的，所述低温等离子体扫吹的等离子气体源包括氮气、氩气中的至少一种。
12、更进一步的，所述低温等离子体扫吹的速度为0.5～2m/min。
13、进一步的，所述处理方法包括：
14、(a)电镀沉积金属电极后的太阳能电池晶硅基片上下整齐堆叠，并将侧面完全对齐形成平面a；
15、使用红外加热灯管照射平面a进行热退火处理；
16、所述热退火的温度为80～150℃，退火的时间为30～120s，退火的升温速率10～25℃/s；
17、(b)使用低温等离子体对步骤(a)处理后的平面a进行吹扫；
18、所述低温等离子体的温度为20～50℃，低温等离子体扫吹的速度为0.5～2m/min，所述低温等离子体扫吹的等离子气体源包括氮气、氩气中的至少一种。
19、本专利技术提供的一种太阳能电池，所述太阳能电池在电镀沉积金属电极后采用上述太阳能电池边缘漏电的处理方法处理得到。
20、本专利技术提供的一种太阳能电池组件，所述太阳能电池组件包括上述太阳能电池。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
22、本申请提供的电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法，所述处理方法将电镀沉积金属电极后的太阳能电池晶硅基片的侧面依次进行热退火和等离子轰击，进而使电镀时晶硅基片侧面生长的金属镀层脱落。
23、相比于现有的电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的方法，例如：化学腐蚀和侧面掩膜法。本申请提供了一种完全不同的解决方案，首先通过热处理使基片侧面生长的金属镀层内的氢逸出，金属镀层产生收缩趋势，从而使其表面产生张应力，破坏金属镀层与硅基底接触的可靠性；随后利用等离子轰击基片侧面生长的金属镀层，由于等离子体能量远高于一般气体分子，会对金属镀层产生轰击和刻蚀作用，进而使金属镀层与硅基底侧面分离，解决了太阳能电池漏电的问题。因此，本申请处理过程中不使用任何化学产品就可将电镀时晶硅基片侧面生长的金属镀层脱落，具有经济性强，环境友好的优势。
24、本专利技术提供的太阳能电池，所述太阳能电池在电镀沉积金属电极后采用上述太阳能电池边缘漏电的处理方法处理得到。由上述处理方法所决定，该太阳能电池有效缓解了电池的边缘漏电问题，提高了电池的转换效率。
25、本专利技术提供的太阳能电池组件，所述太阳能电池组件包括上述太阳能电池，具有电池转换效率高的技术优势。
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1.一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述热退火采用红外加热灯管照射进行热退火。
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述热退火的温度为80～150℃，热退火的时间为30～120s，热退火的升温速率10～25℃/s。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述等离子轰击为采用低温等离子体进行扫吹处理。
5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述低温等离子体扫吹的等离子体温度为20～50℃。
6.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述低温等离子体扫吹的等离子气体源包括氮气、氩气中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述低温等离子体扫吹的速度为0.5～2m/min。
8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池在电镀沉积金属电极后采用权利要求1～8任一项所述太阳能电池边缘
10.一种太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件包括权利要求9所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种电镀沉积金属电极后太阳能电池边缘漏电的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述热退火采用红外加热灯管照射进行热退火。
3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述热退火的温度为80～150℃，热退火的时间为30～120s，热退火的升温速率10～25℃/s。
4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述等离子轰击为采用低温等离子体进行扫吹处理。
5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述低温等离子体扫吹的等离子体温度为20～50℃...
【专利技术属性】
技术研发人员：关统州，李科伟，杨帅，宋楠，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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