【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抑制漏极电压过冲的碳化硅vdmos的制备方法。
技术介绍
1、碳化硅vdmos作为碳化硅功率器件中的代表性器件，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。沟槽栅的碳化硅vdmos导通电阻低，但是栅极可靠性一直以内没能完美解决；在高压应用中，反向漏电随着电压等级的提高越发严重，抑制反向漏电成为特高压输电用器件亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种抑制漏极电压过冲的碳化硅vdmos的制备方法，有效抑制漏极的电压过冲，避免漏极泄露过来的电流对碳化硅vdmos的栅极产生大电场而出现失效的情况。
2、本专利技术是这样实现的：一种抑制漏极电压过冲的碳化硅vdmos的制备方法，包括如下步骤：
3、步骤1、在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底另一侧面淀积生长形成漂移层；
4、步骤2、在漂移层上方淀积阻挡层，对阻挡层刻蚀形成通孔，通过通孔在漂移层上淀积形成漏电抑制区；
5、步骤3、去除原阻挡层，淀积形成导电区；
6、步骤4、在导电区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及导电区，形成通孔，通过通孔进行淀积，形成栅介质层；
7、步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，并刻蚀栅介质层，形成沟槽，通过通孔在沟槽上淀积金属，形成栅极金属层；
8、步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡
9、本专利技术的优点在于：
10、一、器件内部包含漏电抑制区，可以有效抑制漏极的电压过冲，避免漏极泄露过来的电流对碳化硅vdmos的栅极产生大电场而出现失效的情况；二、漏电抑制区可以有效抑制器件关断时，漏极高压产生的反向电流，减小反向漏电，降低关态损耗；三、器件栅极采用的是沟槽栅，沟槽栅底部栅介质直接与漏电抑制区相接，底部栅介质厚度是增加了漏电抑制区厚度，器件栅极拐角处的电场集中问题由等效更厚的底部栅介质解决，提高了栅极的可靠性；四、器件的源极金属直接与导电区相接，其jfet区的导通电阻更小，降低了器件的导通电阻；五、器件在栅极为负压-10v时关断，在0v时导通，为负压控制器件。
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1.一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，漂移层的掺杂浓度为3e16cm-3，导电区的掺杂浓度为2e18 cm-3。
3.如权利要求1所述的一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述漏电抑制区和栅介质层均为二氧化硅。
4.如权利要求1所述的一种抑制漏极电压过冲的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底、漂移层、导电区均为N型。
【技术特征摘要】
1.一种抑制漏极电压过冲的碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种抑制漏极电压过冲的碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，碳化硅衬底的掺杂浓度为2e18cm-3，漂移层的掺杂浓度为3e16cm-3，导电区的掺杂浓度为2e18 c...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昀佶，张长沙，陈彤，张瑜洁，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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