【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及提供稳定的控制信号的沉积源的控制系统。
技术介绍
1、显示装置可以包括多个薄膜。薄膜中的每个可以通过真空沉积法、离子镀法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等形成。
2、用于执行真空沉积方法的沉积设备可以包括沉积源。沉积源可以包括存储沉积材料的坩埚、加热坩埚的加热器、喷射沉积材料的喷嘴等。
3、当加热器的温度在预定范围之外时，薄膜中的每个的膜厚度可能偏离参考厚度。例如，当加热器的温度过高时，膜厚度可能形成为比参考厚度厚。另一方面，当加热器的温度过低时，膜厚度可能小于参考厚度。
技术实现思路
1、本公开可以提供沉积源的控制系统。
2、由本公开实现的技术目的不限于本文中所阐述的那些，并且本领域技术人员从本公开的描述将清楚地理解本文中未提及的其它技术目的。
3、根据本公开的实施方式的沉积源的控制系统可以包括：沉积源，包括加热器并且向基板提供沉积材料；传感器，检测提供给基板的沉积材料的量；速率计算器，基于提供给基板的沉积材料的量来计算第一沉积速率；以及滤波器，通过从第一沉积速率去除噪声来计算第二沉积速率。
4、在实施方式中，传感器可以是石英晶体微天平(qcm)。
5、在实施方式中，滤波器可以是中值滤波器。
6、在实施方式中，在第一沉积速率在预定范围之外的情况下，滤波器可以去除噪声。
7、在实施方式中，沉积源的控制系统还可以包括第一控制器，第一控制器基于第二沉积速率产生控制信号。
<...【技术保护点】
1.沉积源的控制系统，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，所述传感器是石英晶体微天平。
3.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，所述滤波器是中值滤波器。
4.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，在所述第一沉积速率在预定范围之外的情况下，所述滤波器去除所述噪声。
5.根据权利要求4所述的沉积源的控制系统，还包括：
6.根据权利要求5所述的沉积源的控制系统，其中，所述第一控制器是比例积分微分控制器。
7.根据权利要求5所述的沉积源的控制系统，其中，所述控制信号控制提供给所述加热器的电力量。
8.根据权利要求5所述的沉积源的控制系统，其中，所述滤波器和所述第一控制器在同一装置中实现。
9.根据权利要求5所述的沉积源的控制系统，还包括：
10.根据权利要求9所述的沉积源的控制系统，其中，所述第二控制器是可编程逻辑控制器。
【技术特征摘要】
1.沉积源的控制系统，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，所述传感器是石英晶体微天平。
3.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，所述滤波器是中值滤波器。
4.根据权利要求1所述的沉积源的控制系统，其中，在所述第一沉积速率在预定范围之外的情况下，所述滤波器去除所述噪声。
5.根据权利要求4所述的沉积源的控制系统，还包括：
6.根据权利要求5所述的...
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