【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利涉及半导体生产，具体涉及一种硅晶片清洗工艺。
技术介绍
1、元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8％是硅元素构成的，仅次于氧元素含量排行第二，硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，在由硅锭加工成硅晶片诸多过程中需要经常进行清洗。
2、在半导体硅晶片酸蚀刻制程加工工艺过程后，硅晶片表面会残留较多的酸蚀杂质，为去除硅晶片表面残留物，需要经过一系列清洗流程。但现有硅晶片清洗流程中，清洗工艺流程较长，且需要搭配一些较为完整的设备(如超音压)，这样不仅清洗的工作效率较低，而且影响到酸蚀刻工艺中异常的反映的及时性。
技术实现思路
1、为了改善上述情况，本实专利技术的目的在于提供一种简单的用于硅晶片酸蚀刻后清洗工艺，通过该清洗该清洗工艺较目前酸蚀刻后清洗工艺更加简易，清洗流程更加简短，提高了生产效率，可以更早的发现酸蚀刻中异常状况。
2、本实用性专利的目的可通过下列技术方案来实现：
3、一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于：包括药剂槽、溢流槽、加热器8、控制面板5、循环泵6、溢流控制阀门；所述加热器可以用于为药剂槽提供了加热功能；所述循环泵可以为药剂槽内的溶剂提供循环功能；所述控制面板，清洗中的温度、时间、循环可以同通过控制面板进行控制。整个清洗工艺晶片篮从左往右依次经过药剂槽1、药剂槽2、溢流槽3、溢流槽4，最终从溢流槽4转出完成酸
4、所述清洗工艺可以满足多尺寸晶片酸蚀刻后清洗要求。
5、所述药剂槽均为单独槽体，相互之间互不影响，且可以根据实际情况单独使用一个药剂槽。
6、所述清洗工艺中装置的材质为耐酸碱材质，可以很好的用于清洗酸蚀刻以及清洗的碱性药剂。
7、所述清洗工艺中使用的药剂为碱性药剂，可以很好的除去酸蚀刻后晶片表面残留，且选用的碱性药剂可以避免晶片产生其他污染，清洗后晶片金属残留可以便于后站流程除去。
8、所述加热器8可以为药剂槽提供更加稳定的温度要求。
9、所述溢流槽3高度略低于溢流槽4，这样方便溢流槽4的水可以进入的溢流槽3中，两个溢流槽共享一个进水，节约用水。
10、所述溢流槽4进水有一个控制阀门7，可以根据所需流量控制进水大小。
11、所述溢流槽3也安装由一个单独的进水阀门9，可以单独使用
12、本专利技术的突出效果是：与现有的硅晶片清洗技术相比，该清洗工艺流程相较更加简短，除了可以除去酸蚀刻后晶片表面酸性物质的残留，获得更加洁净的晶片表面状态，还可以提高了生产效率。
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1.一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于：包括药剂槽、溢流槽、加热器、控制面板、循环泵、溢流控制阀门；所述加热器可以用于为药剂槽提供了加热功能；所述循环泵可以为药剂槽内的溶剂提供循环功能；所述控制面板，清洗中的温度、时间、循环可以同通过控制面板进行控制。整个清洗工艺晶片篮从左往右依次经过药剂槽1、药剂槽2、溢流槽3、溢流槽4，最终从溢流槽4转出完成酸蚀刻后的清洗流程；。
2.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述药剂槽均为单独槽体，相互之间互不影响，且可以根据实际情况单独使用一个药剂槽。
3.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺中装置的材质为耐酸碱材质，可以很好的用于清洗酸蚀刻以及清洗的碱性药剂。
4.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺中使用的药剂为碱性药剂，可以很好的除去酸蚀刻后晶片表面残留，且选用的碱性药剂可以避免晶片产生其他污染，清洗后晶片金属残留可以便于后站流程除去。
5.如权利要求1所述的
6.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述溢流槽高度略低于溢流槽，这样方便溢流槽的水可以进入的溢流槽中，两个溢流槽共享一个进水。
7.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述溢流槽4进水有一个控制阀门，可以根据所需流量控制进水大小。
8.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述溢流槽3也安装由一个单独的进水阀门，可以单独使用。
9.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺虽然各有两个药剂槽和溢流槽，但是可以根据实际生产工艺设定来只是用一个药剂槽和一个溢流槽。
...【技术特征摘要】
1.一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于：包括药剂槽、溢流槽、加热器、控制面板、循环泵、溢流控制阀门；所述加热器可以用于为药剂槽提供了加热功能；所述循环泵可以为药剂槽内的溶剂提供循环功能；所述控制面板，清洗中的温度、时间、循环可以同通过控制面板进行控制。整个清洗工艺晶片篮从左往右依次经过药剂槽1、药剂槽2、溢流槽3、溢流槽4，最终从溢流槽4转出完成酸蚀刻后的清洗流程；。
2.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述药剂槽均为单独槽体，相互之间互不影响，且可以根据实际情况单独使用一个药剂槽。
3.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺中装置的材质为耐酸碱材质，可以很好的用于清洗酸蚀刻以及清洗的碱性药剂。
4.如权利要求1所述的一种用于硅晶片酸蚀刻后简单的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺中使用的药剂为碱性药剂，可以很好的除去酸蚀刻后晶片表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚松，李汉生，蔡雪良，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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